导读:本文包含了纳米镶嵌结构论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:纳米,结构,微结构,特性,紫光,分子筛,形貌。
纳米镶嵌结构论文文献综述
薄琼,王改,杨冬花,李玉鹏,葛超[1]（2018）在《具有纳米线镶嵌结构ZSM-5/L复合分子筛的合成及表征》一文中研究指出采用两步晶化法,以四丙基氢氧化铵预处理ZSM-5为晶种,快速合成了纳米线镶嵌结构ZSM-5/L复合分子筛.通过XRD、SEM-EDX、TEM和N_2吸附-脱附等手段对合成样品的物理化学性质进行了表征.孔道性质表明复合分子筛具有微孔和介孔的多级孔道结构,椭球的L分子筛镶嵌在纳米线的ZSM-5分子筛周围.晶种预处理影响了溶胶的电荷及分子筛的形貌,当合成样品中ZSM-5的质量分数小于2%(重量百分比)时,凝胶的负电荷较多,易形成椭球状L分子筛;当合成样品中ZSM-5的质量分数大于2%(重量百分比)时,zeta电位在-39.822～-42.352mV之间波动,ZSM-5分子筛的形貌从长条状逐渐转变为纳米线状.阳离子比影响复合分子筛中L分子筛形成,当阳离子比R=n(K_2O)/(n(K_2O)+n(Na_2O))小于0.6时,不利于L型分子筛的形成;当阳离子比大于0.6,即K~+较多Na~+较少时,有利于L型分子筛中α-钙霞石笼的形成.(本文来源于《分子催化》期刊2018年06期）
张盛华,卢铁城,敦少博,胡强,赵建君[2]（2006）在《镶嵌结构锗纳米晶电输运的研究》一文中研究指出利用离子注入然后退火的方法制备了镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合薄膜,从拉曼散射和透射电镜测量了解到薄膜中镶嵌有5~7nm大小的锗纳米晶层.研究了锗纳米晶层在常温和低温下的电输运性质.结果表明:锗纳米晶在100K~300K温度范围内符合莫特变程跳跃电导(VRH)导电,100K以下的低温电导基本上是一常数,导电主要是电子在相邻纳米晶之间的直接跃迁;经退火可消除离子注入引入的缺陷,能增加薄膜的电导;对由3×1017cm-2注量锗离子注入制备的薄膜观察到半导体向金属导电的转变.(本文来源于《四川大学学报(自然科学版)》期刊2006年03期）
石礼伟,李玉国,王强,薛成山,庄惠照[3]（2005）在《磁控共溅射SiC纳米颗粒/SiO_2基质镶嵌结构薄膜材料的微结构和光致发光特性》一文中研究指出采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性。结果表明:样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中。以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365nm的紫外光发射以及458nm和490nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显着增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2005年07期）
王强[4]（2004）在《纳米硅镶嵌结构与磁控溅射SiC膜的制备与荧光特性研究》一文中研究指出硅基发光一直是硅基材料和器件研究的重要课题。自从1990年Canham首次发现电化学阳极氧化多孔硅的强室温光致荧光现象以来，各类硅基材料的制备与发光特性研究始终为广大材料物理学家所关注。由于硅集成电路技术的成熟，人们一直想实现硅基光电集成，从而为现代光通讯技术和光电子计算技术提供一条新的发展途径。研制能有效发光的纳米硅材料与器件将是解决硅基光电集成问题的重要手段。要实现光电集成，就必须有高效的发射和接收光信号的光电子器件。众所周知，硅是间接禁带半导体，不能有效发光；而硅材料又是现代电子工业的基础材料，因此寻找硅基发光的有效途径是目前急需解决的问题。半导体全色显示器件也是目前研究的热点，它对促进显示器件的小型化和集成化有重要的意义。 第叁代宽禁带半导体在蓝光发射方面有独特的优势，因此人们竞相研究GaN、SiC等宽禁带半导体的蓝光发射材料，但难以解决以上材料与硅基的兼容性问题。近几年来，硅基SiC蓝光发射材料的研制获得巨大进展，并越来越受到人们的重视，可以预想硅基SiC蓝光发射材料亦将成为硅基发光材料研究的焦点。 关于硅基发光的机制，人们曾提出很多模型，如量子(尺寸)限制效应模型、表面复合模型以及秦国刚等人提出的量子限制效应—表面复合模型等。就目前而言，没有一种理论能够解释所有的硅基发光现象。本文认为碳注入样品的蓝紫光发射源于实验过程中所形成的纳摘要米硅镶嵌结构，这可以归于量子限制效应一表面复合模型。多孔碳化硅膜所发射的紫外光则是由于多孔化过程所形成蜂窝状结构的量子限制效应所致。 在本论文中，我们首先在外延硅和单晶硅两种不同的衬底上，进行不同剂量的碳离子注入，形成碳注入隐埋层，经退火和电化学处理，获得能够发出较强蓝紫光的硅基材料。经过氢气退火的样品发出43Onm左右的蓝光，经过氮气退火处理的样品则发出位于400nm的紫光。我们采用X射线衍射(XRD)、红外光谱(FTIR)和扫描电镜(SEM)研究了样品的结构、成分以及表面形貌，探索了各种试验因素对发光特性的影响，讨论了相应的发光机制。我们还制备了多孔磁控溅射SIC膜，讨论了其紫外发光特性，并对发光机理进行了初步探讨。 本文第一章概括阐述了当前硅基发光材料研究的现状，概括了人们对硅基发光材料所提出的各种发光机理，并分析了选取该研究课题的原因。由于光电集成技术的发展，硅基发光材料的研究前景十分广阔，其应用必将引起硅集成技术的新的飞跃。 第二章介绍了实验设备、仪器、试验流程及对所制‘备样品所采用的相关表征手段。我们采用低能离子注入机，将C十离子注入硅中，注入能量分别为40keV、50 keV和1 .SMeV，注入剂量为lx10’“ionszemZ、2 x 10’6 ionszemZ和2 x 10‘5 ions/emZ。高温退火过程采用了氮气和氢气两种不同气氛，退火温度分别控制在800℃、850℃、900℃、950oC、10000C、1050oC和1100℃，退火时间为0.5小时。电化学处理过程采用自制的电化学腐蚀系统来完成，电流密度控制在4omAzemZ，腐蚀时间分别为smin、lomin、一smin及Zomin;磁控溅射Sic膜多孔化过程也由该设备完成，电流密度为6OmA/c mZ，时间为Zomin。发光特性分析由Edingburge:FLs92O荧光谱仪完成，并己进行校正。我们还采用了FTIR、XRD、SEM等手段，分析了样品的成分、结晶状况及表面形貌。 第叁章重点阐述了碳注入样品的荧光特性，讨论了基片类型、注摘要入剂量、注入能量、退火温度、退火气氛以及电化学腐蚀条件等因素对蓝紫光发射特性的影响，详细地分析了样品的发光机理。 氢气退火条件下，样品的光致发光谱出现位于43Onm的蓝光发射。随着退火温度从800℃升至1 1 00℃，发光强度不断增强，1050℃时发光最强，1100OC时强度下降。电化学腐蚀条件对发光特性有明显的影响:电流密度控制在4omA/cmZ，随着腐蚀时间从omin经smin、10min、15min升至ZOmin，发光强度先增后减，最后430nm的蓝光峰湮灭，并出现位于大约716nm附近的红光峰。 氮气退火条件下，样品的光致发光谱出现位于400nm的紫光发射，随着退火温度从800℃升至1 100℃，发光强度亦呈现先增后减的变化规律，大约在1000℃附近出现最大发光强度。电化学腐蚀条件对发光特性的影响呈先增后减，最后40Onm的紫光峰湮灭，并出现位于大约6O0nm附近的红光峰。 在低能量(40一50KeV)注入时，注入剂量对发光特性的影响并不明显。但选用单晶硅基片，进行高能量注入可以明显提高发光强度。 在氢气氛退火时，部分样品出现分别位于34Onm和43Onm附近的强窄发光峰(FWHW小于1 Onm)的奇异现象，我们分析了这种奇异现象产生的原因，认为这种发光峰可能源于测试过程中所引入的某种散射，而不太可能源于我们的样品本身。 对比样品的FTIR结果，我们认为碳注入过程中所引入C=0复合体杂质是引起发光的重要因素。我们认为，碳注入样品的蓝紫光发射源于实验过程中所形成的纳米硅镶嵌结构，载流子在其内部激发，并隧穿到纳米硅表面的C二O复合体杂质所形成的发光中心而完成辐射复合，从?(本文来源于《山东师范大学》期刊2004-04-22）
陈大鹏,叶甜春,谢常青,李兵,赵玲莉[5]（2001）在《LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力》一文中研究指出报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响 ,对富硅型 Si Nx 膜的 L PCVD生长工艺进行优化 ,大大降低了膜的张应力 ,无支撑成膜面积可达 4 0 m m× 4 0 mm.通过这一研究结果 ,实现了 L PCVD可控制生长确定张应力的 Si Nx 膜(本文来源于《半导体学报》期刊2001年12期）
易仲珍[6]（2001）在《共注入共沉积金属材料表面改性及其纳米镶嵌结构的研究》一文中研究指出本论文是利用MEVVA源离子注入机和沉积设备,首次采用金属与碳离子及金属与金属离子共注入和共沉积新方法,对H13钢和不锈钢进行合成表面改性优化层和陶瓷层的研究。本研究探讨了共注入和共沉积的特点和表面优化机理,分析研究了纳米镶嵌结构对金属材料表面改性的影响,以及热原子化学效应对共注入表面改性的作用。利用改进了的阴极,成功地对H13钢和不锈钢进行了共注入和共沉积,使得两种以上元素同时注入或沉积成为现实,为离子束表面改性技术开辟一条新路。 首次采用共注入方法研究了金属材料表面改性的效果。本实验选用了C+Me和Cr+Me两大系列阴极材料共注入H13钢和不锈钢基体材料中。结果表明:C+Ti和C+Mo系列共注入H13钢和不锈钢后,有效地提高了这两种材料的表面硬度和耐磨性能,同时材料表面的耐腐蚀性能也得到了明显改善,其中,C+Ti共注入系列表现出更好的材料表面改性效果;Cr+Ti和Cr+Mo系列共注入不锈钢中,同样有效地提高了样品表面的显微硬度和抗磨损能力,也提高了不锈钢表面的耐腐蚀性能,此系列中,Cr+Ti共注入更有利于改善不锈钢表面的耐酸蚀性能,而Cr+Mo共注入对改善不锈钢表面的耐点蚀行为更有效。 采用X射线衍射和透射电镜分析方法对共注入层的微观组织结构进行了综合分析,结果表明:共注入后,在注入层内生成了多种新相,这些新相主要是合金相、碳化物和陶瓷相,它们以纳米量级的尺寸均匀地弥散在注入改性层内,使得基体材料中的表面结构发生变化。正由于这种表面结构的变化,尤其是纳米级陶瓷相的镶嵌作用,使得注入层硬化,表面硬度和抗磨损特性明显提高,同时显着地改善了注入层的抗腐蚀特性。 首次对共注入过程中的热原子化学效应进行了研究和分析。采用俄歇电子能谱分析方法研究了C+Ti共注入系列注入层内元素的浓度分布,发现共注入层内碳原子的浓度分布大大高于理论计算值,且高于C原子单注入和Ti+C原子双注入样品内的C原子浓度(俄歇测试结果)。研究结果表明,这是由于共注入过程中产生了比双注入和单注入过程中更强的热原子化学效应所导致的结果。 本文首次采用磁过滤MEVVA源进行了Ti+C+N共沉积实验。Ti+C+N共沉积于H13钢后,其表面形成了均匀而致密的陶瓷膜,这层陶瓷膜的形成极大地提高了H13钢表(本文来源于《北京师范大学》期刊2001-12-01）
张通和,吴瑜光,崔平,王平[7]（1999）在《钛注入钢退火中纳米相镶嵌结构的形成和表面强化》一文中研究指出透射电子显微镜观察表明,经过Ti注入的钢,表面形成了直径为3.5～20nm的FeTi_2相,镶嵌在注入层中,其平均直径为8nm。靶温在400℃注入时,这些纳米相出现在位错和晶界处。这种镶嵌的结构具有很强的抗磨损特性和抗腐蚀特性。经过退火后,这种结果将发生变化。在350～500℃退火20min后,其结构没有明显的变化,但是注入层的硬度得到了明显的提高。经过500℃退火后,表面硬度最高。说明退火能有效地增强表面强化效果。当退火温度为750℃和1000℃时,位错和晶界消失,纳米相平均直径分别增加到10 nm和15 nm。其平均密度分别为8.8×10~(10)/cm~2和6.5×10~(10)/cm~2。注入硬度明显下降,说明基体软化。(本文来源于《中国核科技报告》期刊1999年S4期）
纳米镶嵌结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用离子注入然后退火的方法制备了镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合薄膜,从拉曼散射和透射电镜测量了解到薄膜中镶嵌有5~7nm大小的锗纳米晶层.研究了锗纳米晶层在常温和低温下的电输运性质.结果表明:锗纳米晶在100K~300K温度范围内符合莫特变程跳跃电导(VRH)导电,100K以下的低温电导基本上是一常数,导电主要是电子在相邻纳米晶之间的直接跃迁;经退火可消除离子注入引入的缺陷,能增加薄膜的电导;对由3×1017cm-2注量锗离子注入制备的薄膜观察到半导体向金属导电的转变.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
纳米镶嵌结构论文参考文献
[1].薄琼,王改,杨冬花,李玉鹏,葛超.具有纳米线镶嵌结构ZSM-5/L复合分子筛的合成及表征[J].分子催化.2018
[2].张盛华,卢铁城,敦少博,胡强,赵建君.镶嵌结构锗纳米晶电输运的研究[J].四川大学学报(自然科学版).2006
[3].石礼伟,李玉国,王强,薛成山,庄惠照.磁控共溅射SiC纳米颗粒/SiO_2基质镶嵌结构薄膜材料的微结构和光致发光特性[J].稀有金属材料与工程.2005
[4].王强.纳米硅镶嵌结构与磁控溅射SiC膜的制备与荧光特性研究[D].山东师范大学.2004
[5].陈大鹏,叶甜春,谢常青,李兵,赵玲莉.LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力[J].半导体学报.2001
[6].易仲珍.共注入共沉积金属材料表面改性及其纳米镶嵌结构的研究[D].北京师范大学.2001
[7].张通和,吴瑜光,崔平,王平.钛注入钢退火中纳米相镶嵌结构的形成和表面强化[J].中国核科技报告.1999
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