论文摘要
提出了一种新型SOI绝缘硅材料及其制备方法。通过高温工艺制备SiO2-Ta2O5-B2O3-RO复合粉体,以其为中间层,将上下两层单晶硅片在700～800℃熔凝从而获得Si-insulator-Si 3层结构体。结果表明该样品层间结合紧密、分布均匀,具有良好的高压绝缘性能和介电性能。其绝缘层厚度、深度和性能参数可调,是一种新型的厚膜SOI绝缘硅复合材料。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 黄志强,沈彦宇,顾宇杰,马雪涛
关键词: 新型,复合材料,薄膜,绝缘,介电
来源: 功能材料 2019年01期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑
专业: 材料科学
单位: 同济大学电信学院
分类号: TB33
页码: 1001-1005
总页数: 5
文件大小: 1598K
下载量: 145
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