全文摘要
本揭露涉及一种真空镀膜机。一种真空镀膜机，包括：腔体；真空抽气装置用于使腔体内形成真空环境；工件架设置于腔体内以用于承载待处理模具；驱动装置用于驱动工件架转动；加热器设置于腔体内且与腔体绝缘并对待处理模具加热；一或多个矩形多弧阴极离子源设置于腔体内，矩形多弧阴极离子源包括阴极座体和靶材，阴极座体与腔体绝缘，靶材设置于阴极座体内表面；阳极盘部分设置于腔体内且与腔体绝缘；空心阴极离子源与阳极盘相对应且部分设置于腔体内；空心阴极电源，其中阳极盘与空心阴极电源的阳极电连接，空心阴极离子源与空心阴极电源的阴极电连接；空心阴极电源使阳极盘和空心阴极离子源之间产生电子和电场。
主设计要求
1.一种真空镀膜机，其特征在于，包括：腔体；真空抽气装置，其用于使所述腔体内形成真空环境；工件架，设置于所述腔体内以用于承载待处理模具；驱动装置，其用于驱动所述工件架转动；加热器，设置于所述腔体内且与所述腔体绝缘，所述加热器用于对待处理模具加热；一或多个矩形多弧阴极离子源，其设置于所述腔体内，所述矩形多弧阴极离子源包括阴极座体和靶材，其中所述阴极座体与所述腔体绝缘，所述靶材设置于所述阴极座体内表面；阳极盘，其部分设置于所述腔体内，且与所述腔体绝缘；空心阴极离子源，其与所述阳极盘相对应，且部分设置于所述腔体内；空心阴极电源，其中所述阳极盘与所述空心阴极电源的阳极电连接，所述空心阴极离子源与所述空心阴极电源的阴极电连接；其中，所述空心阴极电源使所述阳极盘和所述空心阴极离子源之间产生电子和电场。
设计方案
1.一种真空镀膜机，其特征在于，包括：
腔体；
真空抽气装置，其用于使所述腔体内形成真空环境；
工件架，设置于所述腔体内以用于承载待处理模具；
驱动装置，其用于驱动所述工件架转动；
加热器，设置于所述腔体内且与所述腔体绝缘，所述加热器用于对待处理模具加热；
一或多个矩形多弧阴极离子源，其设置于所述腔体内，所述矩形多弧阴极离子源包括阴极座体和靶材，其中所述阴极座体与所述腔体绝缘，所述靶材设置于所述阴极座体内表面；
阳极盘，其部分设置于所述腔体内，且与所述腔体绝缘；
空心阴极离子源，其与所述阳极盘相对应，且部分设置于所述腔体内；
空心阴极电源，其中所述阳极盘与所述空心阴极电源的阳极电连接，所述空心阴极离子源与所述空心阴极电源的阴极电连接；
其中，所述空心阴极电源使所述阳极盘和所述空心阴极离子源之间产生电子和电场。
2.如权利要求1所述的真空镀膜机，其特征在于，所述矩形多弧阴极离子源还包括在所述靶材表面安装的气管，所述气管通过接口与外部混气盒相连通，所述混气盒用于通入混合气体。
3.如权利要求2所述的真空镀膜机，其特征在于，所述混气盒至少与氮气瓶、氩气瓶及氢气瓶连通，以用于将具有氮气、氩气和氢气的所述混合气体通过气管和接口导入所述腔体内；以及
所述接口用于通过密封圈与所述腔体进行真空密封。
4.如权利要求1所述的真空镀膜机，其特征在于，其进一步包括温控装置，所述温控装置用于测量并显示所述腔体内的温度；
所述温控装置包括测温热电偶，所述测温热电偶设置于所述腔体内。
5.如权利要求1所述的真空镀膜机，其特征在于，其中，所述驱动装置包括：伺服电机、联轴器和磁流体传动轴，其中所述伺服电机通过所述联轴器驱动所述磁流体传动轴转动，所述磁流体传动轴与所述工件架连接固定，所述磁流体传动轴通过磁流体与所述腔体绝缘，所述磁流体还用于所述磁流体传动轴在真空环境下的密封；以及
其中，所述真空镀膜机还包括偏压电源，所述偏压电源对所述驱动装置供电。
6.根据权利要求1所述的真空镀膜机，其特征在于，其进一步包括：冷却水装置，所述冷却水装置用于冷却所述腔体。
设计说明书
技术领域
本申请涉及镀膜技术领域，特别涉及一种真空镀膜机。
背景技术
针对于机械加工中冷冲压模具和热压铸模具，为了提高模具的使用寿命，需要进行等离子氮化或气体氮化，以及物理气相淀积(PVD)等工艺。
实用新型内容
本揭露的实施例之一在于提供了一种真空镀膜机，包括：腔体；真空抽气装置，其用于使所述腔体内形成真空环境；工件架，设置于所述腔体内以用于承载待处理模具；驱动装置，其用于驱动所述工件架转动；加热器，设置于所述腔体内且与所述腔体绝缘，所述加热器用于对待处理模具加热；一或多个矩形多弧阴极离子源，其设置于所述腔体内，所述矩形多弧阴极离子源包括阴极座体和靶材，其中所述阴极座体与所述腔体绝缘，所述靶材设置于所述阴极座体内表面；阳极盘，其部分设置于腔体内，且与所述腔体绝缘；空心阴极离子源，其与所述阳极盘相对应，且部分设置于所述腔体内；空心阴极电源，其中所述阳极盘与所述空心阴极电源的阳极电连接，所述空心阴极离子源与所述空心阴极电源的阴极电连接；其中，所述空心阴极电源用于经配置以使所述阳极盘和所述空心阴极离子源之间产生电子和电场。
在本揭露的实施例中，所述矩形多弧阴极离子源还包括在所述靶材表面安装的气管，所述气管通过接口与外部混气盒相连通，所述混气盒用于通入所述混合气体。
在本揭露的实施例中，其中所述混气盒至少与氮气瓶、氩气瓶及氢气瓶连通，以用于将具有氮气、氩气和氢气的所述混合气体通过气管和接口导入所述腔体内；以及所述接口用于通过密封圈与所述腔体进行真空密封。
在本揭露的实施例中，真空镀膜机进一步包括温控装置，所述温控装置用于测量并显示所述腔体内的温度；其中所述温控装置包括测温热电偶，所述测温热电偶设置于所述腔体内。
在本揭露的实施例中，所述驱动装置包括：伺服电机、联轴器和磁流体传动轴，其中所述伺服电机通过所述联轴器驱动所述磁流体传动轴转动，所述磁流体传动轴与所述工件架连接固定，所述磁流体传动轴通过磁流体与所述腔体绝缘，所述磁流体还用于所述磁流体传动轴在真空环境下的密封；以及其中，所述真空镀膜机还包括偏压电源，所述偏压电源的阴极通过连接驱动装置传动轴并连接工件架，所述偏压电源的阳极连接腔体，所述偏压电源的阴极及阳极之间形成电场。
在本揭露的实施例中，真空镀膜机进一步包括：冷却水装置，其中，所述冷却水装置用于冷却所述腔体。
本揭露的实施例还提供了一种复合涂层的镀膜方法，采用所述的真空镀膜机实现，所述镀膜方法包括以下步骤：使腔体内形成真空环境；对位于所述腔体内的待处理模具进行氮化；在氮化后的所述待处理模具表面沉积第一金属层；在所述第一金属层上沉积第二金属陶瓷纳米结构薄膜层。
在本揭露的实施例中，其中所述真空环境中的压力为1x10-2<\/sup>Pa-10-3<\/sup>Pa。
在本揭露的实施例中，其中在对所述待处理模具进行氮化的步骤之前，还包括：当所述腔体内的温度为450℃-550℃时，通过温控装置自动控制加热器使所述腔体内的温度保持在设定温度。
在本揭露的实施例中，在对所述待处理模具进行氮化的步骤之前，还包括：将混合气体导入所述腔体，并调整所述腔体内的压力为1Pa-6Pa。
在本揭露的实施例中，所述混合气体包括氩气、氮气和氢气。
在本揭露的实施例中，在调整所述腔体内的压力为1Pa-6Pa的步骤之后，还包括：打开偏压电源，将所述偏压电源的电压调整至100V-300V；以及打开空心阴极电源及将所述空心阴极电源的输出电流设定为60A-200A，并导入氩气20-100SCCM；其中，对位于所述腔体内的待处理模具进行氮化的时间为1h-3h。
在本揭露的实施例中，在对位于所述腔体内的待处理模具进行氮化的步骤之后，以及在氮化后的所述待处理模具表面沉积第一金属层的步骤之前，还包括：关闭空心阴极电源，将偏压电源的电压调整为30V-200V。
在本揭露的实施例中，在氮化后的所述待处理模具表面沉积第一金属层的步骤包括：打开第一数量的矩形多弧阴极离子源，设定电流为150A，沉积时间为5min-30min。
在本揭露的实施例中，在所述第一金属层上沉积第二金属陶瓷纳米结构薄膜层的步骤包括：将氮气导入所述腔体，调整所述腔体的压力为1Pa-5Pa，打开第二数量的矩形多弧阴极离子源，设定电流为150A-200A，沉积时间为60min-150min。
在本揭露的实施例中，当所述待处理模具为冷冲压模具时，在对所述待处理模具进行氮化的步骤之前，所述腔体内的温度为450℃-500℃时，通过温控装置自动控制加热器使所述腔体内的温度保持在设定温度，其中所述冷冲压模具的材质为Cr12MoV、Cr12WoV、Cr12Mo1V1、或Cr8MoV；或者，当所述待处理模具为热压铸模具时，在对所述待处理模具进行氮化的步骤之前，所述腔体内的温度为500℃-550℃时，通过温控装置自动控制加热器使所述腔体内的温度保持在设定温度，其中所述热压铸模具的材质为4Cr5MoSiV1、0.4C-5.5Cr-Mo-V、0.38C-5.3Cr-1.3M0-0.9V、4Cr5Mo2V、3Cr2W8V或4Cr5MoSiV。
在本揭露的实施例中，当将所述冷冲压模具放入所述腔体之前需要对所述冷冲压模具进行520℃以上高温热处理回火；以及当将所述热压铸模具放入所述腔体之前需要对所述热压铸模具进行530℃以上高温热处理回火。
在本揭露的实施例中，当沉积第一金属层时，所述第一数量的矩形多弧阴极离子源的靶材的材质为Ti或Cr；当沉积第二金属陶瓷纳米结构薄膜层时，所述第二数量的矩形多弧阴极离子源的靶材的材质为TiAl7030、TiAl50、Cr、Ti、TiSi8020或CrAl7030；以及所述第二金属陶瓷纳米结构薄膜层的材质为TiAlN、TiAlCrN、CrN、AlCrN或TiAlSiN。
附图说明
图1为本揭露的实施例的真空镀膜机的部分结构示意图。
图2为本揭露的实施例的真空镀膜机的部分结构示意图。
图3为本揭露的实施例的复合涂层的镀膜方法的流程图。
图4为本揭露的实施例的复合涂层的镀膜方法的流程图。
图5为本揭露的实施例的复合涂层的镀膜方法的流程图。
具体实施方式
针对机械加工中的冷冲压模具和热压铸模具，为了提高模具的使用寿命，目前将等离子氮化或气体氮化和PVD涂层工艺步骤采用独立的两个炉体进行，即将第一炉体中氮化后的待处理模具，再送入第二炉体中进行PVD涂层工艺。然而，在采用独立的两个炉体进行镀膜时，在氮化阶段，采用脉冲直流电源在第一炉体内的正极和负极之间施加700V左右电压，氮化气压在20Pa-200Pa，通过辉光放电作用，氮正离子在电场作用下飞向模具，与铁离子结合后逐渐渗入到模具内部。在上述氮化过程中容易引起电弧，烧伤模具。同时空心阴极效应明显，且模具中具有的空心和小孔在辉光叠加作用下引起模具回火，导致模具硬度降低，氮化后的模具容易产生白亮层，导致后续在第二炉完成PVD涂层工艺时，结合力变差。
本揭露的实施例提供的真空镀膜机及复合涂层的镀膜方法可有效解决上述问题。
为了更好的理解本实用新型的精神，以下结合本实用新型的部分优选实施例对其作进一步说明。
图1和2所示为本揭露的实施例的真空镀膜机的部分结构示意图。真空镀膜机1包括腔体10、真空抽气装置11、工件架12、驱动装置13、加热器14、矩形多弧阴极离子源15、阳极盘16、空心阴极离子源17和空心阴极电源(图中未示出)。其中空心阴极离子源17采用HCD(Hollow Cathode Discharge，空心阴极放电法)技术实现。
在本揭露的实施例中，真空抽气装置11用于使腔体10内形成真空环境。工件架12设置于腔体10内以用于承载待处理模具。驱动装置13用于驱动工件架12转动。加热器14设置于腔体10内且与腔体10绝缘，并用于对待处理模具加热。矩形多弧阴极离子源15设置于腔体10内，其包括阴极座体和靶材(图中未示出)，其中阴极座体与腔体10绝缘，靶材设置于阴极座体内表面。阳极盘16部分设置于腔体10内，且与腔体10绝缘。空心阴极离子源17与阳极盘16相对应，且部分设置于腔体10内。阳极盘16与空心阴极电源的阳极电连接，空心阴极离子源17与空心阴极电源的阴极电连接。其中，空心阴极电源用于经配置以使阳极盘16和空心阴极离子源17之间产生电子和电场，以使电子在电场作用下与导入腔体10内的混合气体发生碰撞产生雪崩效应，从而实现在真空镀膜机1的一个腔体10内进行氮化和PVD复合涂层工艺，可以有效缩短生产时间，降低成本，并可以有效解决氮化过程中的电弧、空心阴极效应及白亮层问题。
在本揭露的实施例中，腔体10和工件架12由不锈钢材料焊接加工而成。阴极座体外接直流电源或直流脉冲电源，电源负极连接矩形多弧阴极离子源15，电源正极连接腔体10。矩形多弧阴极离子源15还包括在靶材表面安装的气管，该气管为不锈钢管气管，该气管通过接口与外部混气盒连通，混气盒用于通入混合气体。混气盒至少与氮气瓶、氩气瓶、氢气瓶连通，以用于将具有氮气、氩气和氢气的混合气体通过气管和接口导入腔体10内，该接口通过密封圈与腔体10进行真空密封。混气盒也可以与氮气瓶、氩气瓶、氢气瓶和其他气瓶四个气瓶连通，且在混气盒和四个气瓶之间还设置有气体质量流量计。
在本揭露的实施例中，真空镀膜机1还包括温控装置，其用于测量并显示腔体10内的温度，该温控装置包括测温热电偶181，该测温热电偶181设置于腔体10内。
在本揭露的实施例中，驱动装置13包括伺服电机、联轴器和磁流体转动轴，伺服电机作为驱动器，伺服电机通过联轴驱动磁流体传动轴转动，磁流体传动轴与工件架固定连接，从而通过传动轴带动工件架转动，使待处理模具在进行均匀镀膜。其中，磁流体传动抽通过磁流体与腔体10绝缘，磁流体还用于磁流体传动轴在真空环境下的密封。其中，真空镀膜机还包括偏压电源，偏压电源用于对驱动装置供电，偏压电源的阴极通过连接驱动装置传动轴并连接工件架，偏压电源的阳极连接腔体10，偏压电源的阴极和阳极之间形成电场。
在本揭露的实施例中，真空镀膜机1还包括冷却水装置19，冷却水装置19包括冷却水槽和冷却水柜。冷却水柜为冷却水槽输送冷却水以及将吸热后的冷却水输出，冷却水槽焊接于腔体10外表面，以利于腔体10内的快速降温，提高生产效率。腔体10中设置有离子源接口、反应气体接入接口、真空计接入接口、加热器接入接口、驱动装置接口、真空抽气装置接入接口以及温控装置接入接口等。
在本揭露的实施例中，真空抽气系统11包括真空泵组，由机械泵、罗茨泵、分子泵通过不锈钢管路连接而成，并通过连接口与腔体10连接。
在本揭露的实施例中，真空镀膜机1还包括电器控制柜18，以用于控制真空镀膜机1的其他电器装置稳定运行，且将矩形多弧阴极离子源的直流电源以及偏压电源安置于所述电器控制柜18中。
在本揭露的实施例中，空心阴极离子源17通过空心阴极效应，其在腔体10的管口产生大量的热电子，空心阴极离子源17与阳极盘之间形成电场，电子从HCD离子源17向阳极盘16运动过程中与腔体内的气体，如氮气或氩气发生碰撞，氮气或氩气进行离化，分解为氮正离子和电子，氩正离子与电子，电子在电场作用下与气体发生剧烈碰撞发生雪崩效应，产生大量氮正离子。
图3所示为本揭露实施例的复合涂层的镀膜方法。该复合涂层的镀膜方法采用上述实施例的真空镀膜机实现，镀膜方法包括以下步骤：
步骤200、使腔体内形成真空环境。其中，真空环境中的压力为1x10-2<\/sup>Pa-10-3<\/sup>Pa。
步骤201、对位于腔体内的待处理模具进行氮化。
其中，开启加热器，当所述腔体内的温度为450℃-550℃时，通过温控装置自动控制加热器使所述腔体内的温度保持在设定温度。然后，将混合气体即氩气、氮气和氢气导入腔体内，并调整腔体内的压力为1Pa-6Pa。打开偏压电源，将偏压电源的电压调整至100V-300V。打开空心阴极电源，及将所述空心阴极电源的输出电流设定为60A-200A，并导入氩气20-100SCCM(即标准毫升\/分钟)。其中，对位于所述腔体内的待处理模具进行氮化的时间为1h-3h。
步骤202、在氮化后的待处理模具表面沉积第一金属层。
其中，关闭空心阴极电源，关闭反应气体阀门，调整偏压电源的电压为30V-200V。然后，打开第一数量的矩形多弧阴极离子源，设定电流为150A，沉积时间为5min-30min。
步骤203、在第一金属层上沉积第二金属陶瓷纳米结构薄膜层。
其中，打开反应气体阀门，将氮气导入腔体，调整腔体的压力为1Pa-5Pa，打开第二数量的矩形弧阴极离子源，设定电流为150A-200A，沉积时间为60min-150min。
然后，关闭矩形多弧阴极离子源的直流电源或直流脉冲电源，关闭反应气体阀门，关闭偏压电源，关闭加热器，让腔体内自然冷却。
在本揭露实施例中，第一数量可以为1，第二数量可以为3，矩形多弧阴极离子源的第一数量和第二数量可以根据实际情况进行选择，这里不作具体限定。此外，沉积的第二金属陶瓷纳米结构薄膜层的材质可以为TiAlN、TiAlCrN、CrN、AlCrN或TiAlSiN。
通过采用阴极多弧离子镀工艺，通过空心阴极离子源或电子束离子源装置增加了氮气离化率；采用低压氮化，氮化压力为1Pa-6Pa，减少或杜绝组织内白亮层的生成；等离子氮化与PVD复合涂层“同炉”完成，减少氮化层表面污染，增加了氮化层与PVD涂层的结合力，提高了生产效率，减少了能源和人力费用。
如图4所示为本揭露的实施例的复合涂层的镀膜方法。该复合涂层的镀膜方法采用上述实施例的真空镀膜机实现，镀膜方法包括以下步骤：
步骤300、将冷冲压模具放入工件架，并使腔体内形成真空环境，真空环境压力为1x10-2<\/sup>Pa-10-3<\/sup>Pa。
其中，当将所述冷冲压模具放入所述腔体之前需要对所述冷冲压模具进行520℃以上高温热处理回火，其中所述冷冲压模具的材质或型号为SKD11(日本和台湾钢材牌号，对应中国牌号是Cr12MoV)、Cr12WoV、D2(美国钢材牌号，对应化学式是Cr12Mo1V1)、或DC53(日本牌号模具钢，是对SKD11钢的改良，对应化学式为Cr8MoV)。
步骤301、开启加热器，当温控装置测量温度在450℃-500℃时，自动控制加热器使腔体内的温度保持在设定温度。
步骤302、将混合气体导入所述腔体，并调整所述腔体内的压力为1Pa-6Pa。
步骤303、打开偏压电源，将偏压电源的电压为100V-300V。
步骤304、打开空心阴极电源及将所述空心阴极电源的输出电流设定为60A-200A，并导入氩气20-100SCCM。
步骤305、对位于所述腔体内的冷冲压模具进行氮化的时间为1h-3h。
步骤306、关闭空心阴极电源，将偏压电源的电压调整为30V-200V。
步骤307、打开1个矩形多弧阴极离子源，设定电流为150A，沉积时间为5min-30min，在冷冲压模具表面沉积第一金属层。其中，当沉积第一金属层时，该矩形多弧阴极离子源的靶材的材质为Ti或Cr。矩形多弧阴极离子源的数量并不限定于此。
步骤308、将氮气导入所述腔体，调整所述腔体的压力为1Pa-5Pa，打开另外3个矩形多弧阴极离子源，设定电流为150A，沉积时间为60min-150min，在冷冲压模具表面沉积第二金属陶瓷纳米结构薄膜层。其中，当沉积第二金属陶瓷纳米结构薄膜层时，3个矩形多弧阴极离子源的靶材的材质为TiAl7030、TiAl50、Cr、Ti、TiSi8020或CrAl7030。同时，所述第二金属陶瓷纳米结构薄膜层的材质为TiAlN、TiAlCrN、CrN、AlCrN或TiAlSiN。矩形多弧阴极离子源的数量并不限定于此。
然后，关闭矩形多弧阴极离子源的直流电源或直流脉冲电源，关闭反应气体阀门，关闭偏压电源，关闭加热器，让腔体内自然冷却。
如图5所示为本揭露的实施例的复合涂层的镀膜方法。该复合涂层的镀膜方法采用上述实施例的真空镀膜机实现，镀膜方法包括以下步骤：
步骤400、将热压铸模具放入工件架，并使腔体内形成真空环境，真空环境压力为1x10-2<\/sup>Pa-10-3<\/sup>Pa。
其中，当将所述热压铸模具放入所述腔体之前需要对所述热压铸模具进行530℃以上高温热处理回火，其中所述热压铸模具的材质或型号为SKD61(日本钢材牌号化学式为4Cr5MoSiV1)、DAC(日本大同牌号，SKD61钢改良款，化学式4Cr5MoSiV1)、DH-31(日本大同牌号，化学式0.4C-5.5Cr-Mo-V)、8407(德国牌号，化学式0.38C-5.3Cr-1.3M0-0.9V)、8418(瑞典牌号，化学式4Cr5Mo2V)、H13(中国牌号，化学式4Cr5MoSiV1)、3Cr2W8V、4Cr5MoSiV、1.2344(德国牌号，化学式4Cr5MoSiV1)或W302(奥地利牌号，化学式4Cr5MoSiV1)。
步骤401、开启加热器，当温控装置测量温度在500℃-550℃时，自动控制加热器使腔体内的温度保持在设定温度。
步骤402、将混合气体导入所述腔体，并调整所述腔体内的压力为1Pa-6Pa。
步骤403、打开偏压电源，将偏压电源的电压为100V-300V。
步骤404、打开空心阴极电源及将所述空心阴极电源的输出电流设定为60A-200A，并导入氩气20-100SCCM。
步骤405、对位于所述腔体内的热压铸模具进行氮化的时间为1h-3h。
步骤406、关闭空心阴极电源，将偏压电源的电压调整为30V-200V。
步骤407、打开1个矩形多弧阴极离子源，设定电流为150A，沉积时间为5min-30min，在热压铸模具表面沉积第一金属层。其中，当沉积第一金属层时，该矩形多弧阴极离子源的靶材的材质为Ti或Cr。矩形多弧阴极离子源的数量并不限定于此。
步骤408、将氮气导入所述腔体，调整所述腔体的压力为1Pa-5Pa，打开另外3个矩形多弧阴极离子源，设定电流为150A-200A，沉积时间为60min-150min，在热压铸模具表面沉积第二金属陶瓷纳米结构薄膜层。其中，当沉积第二金属陶瓷纳米结构薄膜层时，3个矩形多弧阴极离子源的靶材的材质为TiAl7030、TiAl50、Cr、Ti、TiSi8020或CrAl7030。同时，所述第二金属陶瓷纳米结构薄膜层的材质为TiAlN、TiAlCrN、CrN、AlCrN或TiAlSiN。矩形多弧阴极离子源的数量并不限定于此。
然后，关闭矩形多弧阴极离子源的直流电源或直流脉冲电源，关闭反应气体阀门，关闭偏压电源，关闭加热器，让腔体内自然冷却。
针对本揭露的图4和图5所示的实施例的复合涂层的镀膜方法形成的复合涂层与普通两组涂层性能对比，如表1所示：
表1
本揭露的复合涂层的镀膜方法，通过采用阴极多弧离子镀工艺，通过空心阴极离子源或电子束离子源装置增加了氮气离化率；采用低压氮化，氮化压力为1Pa-6Pa，减少或杜绝组织内白亮层的生成；等离子氮化与PVD复合涂层“同炉”完成，减少氮化层表面污染，增加了氮化层与PVD涂层的结合力，提高了生产效率，减少了能源和人力费用。
本揭露的技术内容及技术特点已揭示如上，然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本揭露的教示及揭示而作种种不背离本揭露精神的替换及修饰。因此，本揭露的保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不背离本揭露的替换及修饰，并为本专利申请权利要求书所涵盖。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920029662.X
申请日:2019-01-07
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:33(浙江)
授权编号:CN209636325U
授权时间:20191115
主分类号:C23F 17/00
专利分类号:C23F17/00;C23C8/38;C23C14/32;C23C14/16
范畴分类:25F;
申请人:纳狮新材料（浙江）有限公司
第一申请人:纳狮新材料（浙江）有限公司
申请人地址:314200 浙江省嘉兴市平湖市经济技术开发区兴平二路1661号
发明人:朱国朝;袁安素
第一发明人:朱国朝
当前权利人:纳狮新材料（浙江）有限公司
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类型名称:外观设计