导读:本文包含了俘获效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:知识封锁,能力隔离,战略俘获,低端锁定
俘获效应论文文献综述
胡大立,黄虞[1]（2019）在《知识封锁、能力隔离、战略俘获与低端锁定效应形成实证研究》一文中研究指出发展中国家以代工形式嵌入全球价值链生产体系,从事价值链低端环节的加工制造活动。中国代工企业在进行功能升级时,发包商会利用一切手段将中国代工企业锁定在全球价值链低端环节。实证研究了知识封锁、能力隔离和战略俘获对低端锁定效应形成的影响,结果显示:知识封锁导致技术升级能力缺失,从而形成低端锁定效应;市场隔离致使市场升级能力缺失,进而形成低端锁定效应;战略俘获引致升级意愿缺失,继而形成低端锁定效应。根据实证结果,从企业、集群和政府3个层面提出中国代工企业突破低端锁定效应的政策建议。(本文来源于《科技进步与对策》期刊2019年18期）
朱石沙,周潇,雷先华,袁佳莹[2]（2018）在《基于可视化的电流变动力学中的俘获效应》一文中研究指出本文设计并制造了一个动力学可视化试验台。试图通过可视化试验来观察电流变液在多场耦合作用下的俘获效应,进而研究电流变悬浮液的力学性能与场致亚微观结构的动态耦合关系。试验研究结果表明,采集到的动态变化映像验证了电流变液在动态耦合场下其电流变效应与俘获效应有关,即流动介质的固相分率φ、密度ρ以及颗粒的堆积形式N由于俘获效应的存在从而发生改变。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2018年03期）
周潇[3]（2017）在《基于可视化的电流变液动力学中俘获效应实验研究》一文中研究指出电流变效应的机理研究,一直是电流变技术领域的核心研究内容,其成果无论是对电流变材料的配方设计还是工程应用都是至关重要的。虽然电流变材料已具备kPa级的屈服应力,但对于工程实践中MPa级的要求仍存在很大差距,因此电流变效应机理的准确而全面的表征还需要深入研究。然而,在动态耦合环境(电场、流动场)中,基于俘获效应来研究电流变效应机理的理论和实验工作,在该研究领域还是一个新的课题。鉴于此,本文建立了电流变悬浮液的动态耦合数学模型,通过可视化科学实验和模拟仿真工作,研究电流变悬浮液的“结构-力”动态耦合关系,并寻求决定基于俘获效应的“结构-力”动态耦合强度和完成时间的关键因子。首先,基于俘获效应现象,综合运用电介质物理学、流变学和电动力学,并结合传统的电流变悬浮液动力学方程,分析电敏颗粒在电场和流动场耦合作用下所受的主要作用力,建立了能够表征电流变悬浮液的“结构-力”动态耦合关系的动态耦合数学模型。其次,利用分子动力学方法数值模拟了电流变悬浮液在静态场和动态耦合场(电场、流动场)下电敏颗粒的运动规律,即在静态场下电敏颗粒在静电极化力作用下集聚成链状结构,而在动态耦合场下电敏颗粒由于受到俘获作用力的影响而被链状网络结构俘获,从而致使控制流动场内电流变悬浮液的亚微观结构与力学性能产生一个动态耦合过程。最后,通过可视化科学实验观测研究了电流变悬浮液在静态场和动态耦合场(电场、流动场)下的亚微观结构演变规律。对比分析可知,静态场下不存在俘获效应,而动态耦合场下由于俘获效应的存在,致使链状网络结构能够俘获来自控制场内上游的自由电敏颗粒,从而引起控制场内电流变悬浮液的固相分率Ф、密度ρ以及颗粒的堆积形式N发生改变(亚微观结构产生形变),进而改变电流变悬浮液的宏观力学性能,即“结构-力”的动态耦合,该结果与模拟仿真基本吻合。(本文来源于《湘潭大学》期刊2017-05-01）
胡雪兰,罗阳,赵若汐,胡艳敏,张艳峰[4]（2016）在《NiAl中Ni空位对杂质C原子的多重俘获及温度效应的第一性原理研究》一文中研究指出本文应用基于密度泛函理论的第一原理方法,研究了NiAl金属间化合物中Ni空位对杂质C元素的多重俘获.研究结果表明:在Ni空位存在时,单个C原子最易于存在于空位中心附近的富Ni八面体间隙位置且与邻近的Ni原子和Al原子之间存在共价键形式的相互作用.多个C原子在NiAl中倾向于以"Sequential"的方式被Ni空位俘获,进而形成CnVNi(n=1,2,3,4)团簇.通过电荷密度和差分电荷密度分析得到,当Ni空位俘获多个C原子后,C原子之间有着优先于自身成键的特性.进一步,我们应用热力学模型计算了温度对于C_nV_(Ni)(n=1,2,3,4)团簇浓度及空位浓度的影响.研究表明本征Ni空位的浓度会随着温度的升高而升高.在NiAl金属间化合物中,大多数的杂质C原子会被Ni空位俘获而不是存在于远离Ni空位的八面体间隙位置.由于C原子被Ni空位俘获的过程是一个放热过程,使得体系温度升高,因此会进一步激发更多的Ni空位产生.但是在一定的温度范围内(温度小于700 K时),Ni空位均以C_nV_(Ni)团簇的形式存在.(本文来源于《物理学报》期刊2016年20期）
王博彦[5]（2016）在《光子晶体光纤中自陡效应对孤子俘获效应影响研究》一文中研究指出相比于传统光纤,由于光子晶体光纤(photonic crystal fiber,PCF)特殊结构致使其拥有许多非常优异的光学特性,比如可控色散特性、高阶非线性、无截止单模特性等,也为非线性光学领域更深入的研究提供了可能。传输在非线性介质中的高阶孤子由于受到了色散以及高阶非线性效应的共同作用会分裂出一系列基阶孤子,在此过程中会向外辐射出色散波。在PCF中,色散波的生成过程是非常复杂的,位于正常色散区的色散波能极大展宽输出频谱,它是超连续谱生成机制中的一个重要的因素。色散波的产生在科学研究和实际应用方面都有非常广泛的应用,是近几年的研究热点。基于广义的非线性薛定谔方程,本文使用数值研究的方法分析了具有双零色散波点的PCF中孤子俘获现象。研究了自陡效应对色散波产生的影响,进一步探究了自陡效应对孤子捕获现象的影响,研究的主要内容如下:第一,基于在PCF中传输的光脉冲需要遵循的非线性薛定谔方程,我们通过分步傅里叶算法数值模拟了在具有双零色散点PCF中,色散波的生成和自陡效应对色散波造成的影响。本文利用了窗口傅里叶变换方法模拟并实现了交叉相关频率分辨光学开关(X-FROG)的技术,研究了自陡效应对色散波的影响。首先,通过数值分析自陡效应对色散波的影响,发现由于红、蓝移色散波的生成机制有所差异,导致自陡效应对红、蓝移色散波产生的影响也不相同。当考虑自陡效应时,红移色散波的强度随之明显减弱而蓝移色散波的强度随之增强。第二,研究了光子晶体光纤中自陡效应对孤子俘获色散波的影响。通过仿真结果可以发现,当考虑自陡效应时,改变入射脉冲的初始宽度,自陡系数会随之改变,随着自陡系数的增加,俘获的红移色散波强度削弱,而俘获的蓝移色散波强度有所增强。这对优化超连续谱光源,控制超连续谱的宽度和平坦度具有重要意义。(本文来源于《湖南大学》期刊2016-04-18）
曾麒麟[6]（2015）在《光子晶体光纤中啁啾对孤子俘获效应影响的研究》一文中研究指出光子晶体光纤相比传统的光纤有着其优越的性质,比如单模特性、高度色散可调的特性、高非线性等特性,在非线性光纤光学等一些领域的研究产生了重要的意义。色散波的产生是指在非线性介质中入射的高阶孤子传输时受到高阶色散以及非线性效应的微扰而向外辐射出能量的一种现象,它的产生是一个非常复杂的非线性问题,是光纤中超连续谱产生的物理机制之一。无论是在科学研究或是在实际工程中都有着广泛的应用。本文通过求解广义非线性薛定谔方程,对双零波长光子晶体光纤中的孤子捕获色散波现象及超连续谱产生进行了研究,研究了自陡对双零色散波长的光子晶体光纤中色散波产生的影响,同时研究了啁啾对色散波产生以及孤子与色散波间共同作用的时频特性的影响,主要的研究内容如下:第一,基于光脉冲信号在光纤中传输的非线性薛定谔方程,采用分步傅立叶方法研究了双零色散点光子晶体光纤中自陡对色散波产生及啁啾对孤子俘获色散波的影响。由于它们受到诸多因素之间的相互影响,本文采用了一种数值计算方法分析色散波的产生。另外,采用窗口傅立叶变化模拟实现了交叉相关频率分辨光学开关技术,分析了自陡对色散波及啁啾对孤子俘获色散波的影响。首先,数值分析了光纤中自陡对色散波的影响,通过研究得出的结果是:色散波产生的机理不同,自陡对红移和蓝移色散波的影响就会不同。当考虑自陡时,红移色散波的强度会受到明显的影响,而对蓝移色散波的强度影响却比较小。第二,用分步傅里叶方法研究了初始啁啾对光子晶体光纤中孤子俘获色散波的影响。首先,分析了不同初始啁啾脉冲在时域上的演化特征,研究发现初始啁啾为正的脉冲与初始啁啾为零或者负的脉冲相比,高阶孤子分裂和进入饱和阶段所需的传输距离更短。根据传输距离演化,脉冲的演化可以分为叁个阶段:初始展宽阶段、剧烈展宽阶段和饱和展宽阶段。通过研究发现,是否有初始啁啾对各个展宽阶段的演化有着一定的区别,啁啾对初始展宽以及剧烈展宽两个阶段的光谱影响较为明显。但是在饱和阶段时,啁啾对光谱的展宽不再有影响。从时频图中分析得出,初始啁啾为正的脉冲有益于色散波的产生及产生的超连续谱更平坦,孤子的俘获现象也较为明显。同时研究发现俘获的色散波波包强度会受孤子强度的影响。(本文来源于《湖南大学》期刊2015-04-28）
梁钊铭,吴永刚,夏子奂,周建,秦雪飞[7]（2014）在《前后光栅周期对于双光栅结构薄膜太阳能电池光俘获效应的影响》一文中研究指出本文用时域有限差分法对硅层等效厚度为100 nm的具有不同前后光栅周期的介质/金属双光栅结构薄膜太阳能电池进行了模拟分析,比较了叁角形最佳相同与不同周期光栅结构的吸收光谱特性,分析了光栅高度、填充比、硅吸收层厚度对最佳相同和不同周期光栅结构光吸收特性的影响,以及相应结构中导致光吸收增强的共振模式.结果表明前后光栅周期为1:1的共形双光栅结构中存在光泄漏现象,偏离1:1后的光栅结构可有效地抑制低级次衍射光的泄漏,前光栅周期小于后光栅周期的结构光吸收性能的提高来自于平面波导模式在吸收层中的有效激发和传播,而前光栅周期大于后光栅周期的结构光吸收性能的提高则来自于后光栅界面上所激发的等离子体极化模式.在较厚的硅吸收层厚度,前后光栅周期比为1:2和1:3的电池结构也会出现光泄漏现象,从而使具有最大光吸收效率的结构偏离这些周期比结构的位置.(本文来源于《物理学报》期刊2014年19期）
刘晓杰[8]（2014）在《金属纳米晶电荷俘获型存储单元的制备及其存储效应的研究》一文中研究指出浮栅型存储器是非易失性存储器市场上的主流产品。随着微电子集成度不断提高,半导体器件特征尺寸日益小型化。当技术节点进入22nm代以后,浮栅型存储技术将趋近其物理极限。寻找一种新型的与半导体工艺兼容的非易失性存储器,成为当今存储器领域研究的热点。电荷俘获型存储器具有同半导体工艺相兼容、操作电压低、功耗低和抗疲劳性能好等优良特性,是一种极具应用前景的新型非易失性存储器,而其中的金属纳米晶存储器由于具有超高的存储密度、选择功函数范围宽、无多维载流子限制效应等一系列独特的优点,受到业界广泛地关注。金属纳米晶存储器基本结构单元为：半导体衬底隧穿层金属纳米晶存储层阻挡层＼栅电极。目前,金属纳米晶存储层的主要制备方法是高温热退火,存在着可控性和重复性差等缺点。探索分布均一、制备工艺可靠的纳米晶沉积技术,仍是亟待解决的问题。另外,纳米晶存储器中隧穿层和阻挡层材料的选择和高质量制备也很重要。原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)技术是基于前驱体在衬底表面发生化学吸附反应的一种新型薄膜沉积技术,其自限制性与自饱和性保证了沉积的大面积均匀性和叁维贴合性(Conformality)。近些年,ALD在微电子、纳米技术等领域展现出巨大的优势和广阔的应用前号。因此,本论文主要采用与微电子工艺兼容的ALD技术作为金属纳米晶存储单元的制备手段,利用自组装和ALD技术分别制备了FePt纳米晶、Pt纳米晶和Ir纳米晶存储层,利用ALD沉积了高介电(高k)薄膜Al2O3、HfO2作为隧穿层和阻挡层,制备了FePt、Pt和Ir叁种金属纳米晶存储单元,系统研究了工艺条件对纳米晶的形成、排列、面密度和结构的影响,并深入表征了相关存储单元的存储效应,研究了ALD沉积高k隧穿层乖阻挡层对纳米晶存储单元性能的影响。另外,本文还利用第一性原理计算了Gd掺杂对立方相HfO2介电性能和能带特性的影响,探索了含Gd的高k材料作为存储层在缺陷型电荷俘获型存储器中的应用。主要进展如下：1.重点研究了FePt纳米晶旋涂法和浸渍涂覆法的自组装工艺,并通过FePt纳米晶自组装与ALD技术相结合的途径制备了单层FePt纳米晶存储单元,对内嵌有FePt纳米晶的A1203介质MOS电容器的结构和存储性能进行了深入表征。H终止的Si表面旋涂法自组装可获得单层FePt纳米晶(Nanocrystals, NCs),制得的SiFePt NCsAl2O3复合薄膜,经热退火处理无法获得高质量的隧穿层,存储性能较差,此工艺不适用于FePt纳米晶存储单元的制备。在ALD Al2O3表面浸渍涂覆法自组装可获得单层有序排列FePt NCs,形成晶胞参数为8nm的二维六方结构,面密度为1.8×1012/cm2。在500℃氧气氛中快速热退火5分钟,分立的FePt纳米晶形成了Fe0.75Pt@Fe2O3核壳结构,核是面心立方的Fe0.75Pt纳米晶,壳是非晶的Fe2O3,核壳结构明显提高了SiAl2O3FePt NCsAl2O3Pt存储单元的存储能力,在±8v的扫描电压下存储窗口由退火前的4.1V增加到8.1V。 FePt纳米晶存储单元展示出优异的抗疲劳特性,然而其保持特性尚不理想,与500℃退火后尽管FePt纳米晶仍是分立的但排列有序性降低相关,制备工艺有待进一步改进。2.系统研究了ALD沉积中前驱体温度和反应循环数对Pt纳米晶成核、尺寸、面密度的影响。Pt源温为70℃,有利于调控Pt纳米晶的尺寸和面密度。研究了Pt纳米晶在Al2O3薄膜表面的形成过程,符合成核孕育模型,成核孕育期为30～40循环；接着,成核与生长并存,纳米晶尺寸与面密度同时增大；之后,纳米晶之间出现连接团聚,并逐渐占据主导,面密度开始减小。获得大面积面心立方结构Pt单层纳米晶的最佳生长工艺：70循环时,平均粒径3.9nm,面密度达最大值,为1.0×1012/cm2。制备了SiAl2O3Pt NCsAl2O3Pt和SiAl2O3Pt NCsHfO2Pt两种结构的Pt纳米晶存储单元。研究表明选择合适的隧穿层和阻挡层的厚度才能获得较好的存储性能。通过对隧穿层和阻挡层材料和厚度的调控,将A1203阻挡层替换为介电常数较大的HfO2,可以改变隧穿层和阻挡层上电压降的分配,获得的Pt纳米晶存储单元具有较大的存储窗口和较好的数据保持能力。在±12V的扫描电压下存储窗口达6.6V,保持特性曲线显示经过1×105s后,电荷仅损失了27%。分析能带关系可知,HfO2作为阻挡层可以增大隧穿层上的电压降,在10V栅电压下写入机制是Fowler-Nordheim隧穿,而Al2O3作为阻挡层的存储单元的写入机制是直接隧穿。通过选择合适的阻挡层材料,可以有效改变编程/擦除时的隧穿机制,从而优化MOS电容器的存储性能。3.衬底表面及其预处理对ALD沉积Ir纳米晶的形成过程有很大影响。H终止的si表面因缺少活性基团无法沉积Ir。不同的表面预处理使得ALD-Al2O3表面具有不同的活性基团种类和数量,影响Ir纳米晶的成核。非原位沉积中,ALD-Al2O3表面在空气中钝化,OH基团较少,难以成核生长；原位沉积中,无论是TMA还是水脉冲预处理,表面活性基团较多,易于成核生长。且吸附Al(CH3)2基团的表面比吸附OH基团的表面反应活性高,因而面密度更高。ALD-Al2O3表面原位沉积Ir纳米晶的过程与Pt纳米晶相似,40～50循环的成核孕育期；50-90循环间,Ir纳米晶成核与生长占主导地位,面密度和颗粒大小都会增加；100循环以上,Ir纳米晶之间的连接团聚占优势,Ir纳米晶密度减小,尺寸迅速增大。循环数为90时,面密度达最大值,为0.6×1012/cm2,此时Ir NCs平均尺寸为4.9nm。组成与结构分析表明,生长的纳米晶是面心立方结构的纯Ir。对比研究了ALD制备的Ir纳米晶和Pt纳米晶存储单元的存储性能。SiAl2O3Ir NCsHfO2Pt存储单元具有较大的存储窗口和较好的保持特性。在±10V的扫描电压下存储窗口达到4.2v,保持特性曲线经过1×105s后损失32%的电荷。相似结构的Pt纳米晶存储单元表现出相对更好的存储性能：较高的纳米晶面密度和较好的数据保持能力,归因于在Al2O3表面,Pt源比Ir源更易于ALD成核生长,而且Pt纳米晶在相似的存储单元结构中形成的势阱更深。4.第一性原理计算表明：将Gd掺杂到Hf02薄膜中形成[(GdHf)2Vo]0复合缺陷,一个复合缺陷中的O空位附近形成了4个7配位的Hf。复合缺陷的存在能够稳定立方相Hf02,进而提高Hf02的介电常数,也抑制了立方相Hf02中O空位的形成。从理论上证实了Hf5d和Gd5d的反键态电子是通过桥O原子发生d-d耦合的,从而Gd掺杂导致禁带宽度增加。利用ALD技术制备了不同Gd掺杂量的Hf02薄膜,随着Gd含量增加,带隙增大、导带偏移先增大后减小、价带偏移先减小后增大；积累态电容在Gd掺杂量为11.6%时,出现极值。然而其介电常数为13.3,仍然小于Hf02薄膜的介电常数,原因在于Gd[N(SiMe3)2]3前驱体用于ALD生长,会在Gd203薄膜中引入较多的Si残留。将ALD沉积的富含缺陷Gd-Si-O薄膜作为电荷存储层应用于SiAl2O3Gd-Si-OAl2O3Pt电荷俘获型存储单元,其在±8V的扫描电压下存储窗口为2.46V,存储效应可能来源于Gd-Si-O薄膜中的氧空位,02气氛中600℃快速热退火会明显减少氧空位,从而失去存储能力。另外Gd-Si-O薄膜俘获空穴的能力明显大于其俘获电子的能力,存储单元编程状态的保持能力明显优于其擦除状态的保持能力,与编程状态下俘获电子的数量小于在擦除状态下失去电子的数量相关。总之,本论文探索了ALD技术在电荷俘获型存储器,特别是高密度金属纳米晶存储器制备中的应用,深入表征了其存储性能,为未来新型电荷俘获型存储器的实用化奠定了基础。(本文来源于《南京大学》期刊2014-05-01）
马忠华,张耀举,李世磊[9]（2012）在《提高两类不同折射率粒子的俘获效应》一文中研究指出通过调节双环型涡旋偏振光的截断参数,可分别得到中心强度较大且变化梯度大的叁维亮斑和面积较小而且被均匀分布的亮场包围的叁维暗斑.利用亮斑俘获折射率较大的瑞利粒子,使得俘获系数提高,达到717;利用暗斑俘获折射率较小的粒子,俘获系数也明显提高,为1 150.(本文来源于《陕西科技大学学报(自然科学版)》期刊2012年03期）
陈楼,张伟,黄瑞玲,张蕴丰[10]（2012）在《基于EPC-Gen2协议带俘获效应的Q算法》一文中研究指出基于现有EPC-Gen2协议的Q算法,提出一种带俘获效应的Qext算法。在计算Q值的过程中,分别考虑空闲时隙和冲突时隙2种不同情形下的参数C,引入俘获效应计算参数C。实验结果表明,该算法能获得精确的Q值,高效地求得ALOHA协议下最佳帧尺寸,提高无线射频识别系统的识别性能。(本文来源于《计算机工程》期刊2012年08期）
俘获效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文设计并制造了一个动力学可视化试验台。试图通过可视化试验来观察电流变液在多场耦合作用下的俘获效应,进而研究电流变悬浮液的力学性能与场致亚微观结构的动态耦合关系。试验研究结果表明,采集到的动态变化映像验证了电流变液在动态耦合场下其电流变效应与俘获效应有关,即流动介质的固相分率φ、密度ρ以及颗粒的堆积形式N由于俘获效应的存在从而发生改变。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
俘获效应论文参考文献
[1].胡大立,黄虞.知识封锁、能力隔离、战略俘获与低端锁定效应形成实证研究[J].科技进步与对策.2019
[2].朱石沙,周潇,雷先华,袁佳莹.基于可视化的电流变动力学中的俘获效应[J].材料科学与工程学报.2018
[3].周潇.基于可视化的电流变液动力学中俘获效应实验研究[D].湘潭大学.2017
[4].胡雪兰,罗阳,赵若汐,胡艳敏,张艳峰.NiAl中Ni空位对杂质C原子的多重俘获及温度效应的第一性原理研究[J].物理学报.2016
[5].王博彦.光子晶体光纤中自陡效应对孤子俘获效应影响研究[D].湖南大学.2016
[6].曾麒麟.光子晶体光纤中啁啾对孤子俘获效应影响的研究[D].湖南大学.2015
[7].梁钊铭,吴永刚,夏子奂,周建,秦雪飞.前后光栅周期对于双光栅结构薄膜太阳能电池光俘获效应的影响[J].物理学报.2014
[8].刘晓杰.金属纳米晶电荷俘获型存储单元的制备及其存储效应的研究[D].南京大学.2014
[9].马忠华,张耀举,李世磊.提高两类不同折射率粒子的俘获效应[J].陕西科技大学学报(自然科学版).2012
[10].陈楼,张伟,黄瑞玲,张蕴丰.基于EPC-Gen2协议带俘获效应的Q算法[J].计算机工程.2012