导读:本文包含了氧化钽论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:存储器,薄膜,空位,固体,磁控溅射,热膨胀,负极。
氧化钽论文文献综述
胡立坤,谢盼平,袁思成,许登峰,彭智[1]（2019）在《阳极氧化钽酸锂薄膜在NaOH溶液中的腐蚀行为研究》一文中研究指出通过阳极氧化法在高纯钽片表面制备了钽酸锂复合薄膜,采用浸泡失重法和电化学测试法考察了镀膜前后样品在10%(质量分数) NaOH溶液中的腐蚀行为。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及能谱仪分别对薄膜的物相组成、表面及截面形貌、膜层厚度进行了测试分析。结果表明,阳极氧化后得到的复合薄膜由钽酸锂和氧化钽组成;该薄膜与基体之间结合良好,厚度约3μm;镀膜后样品的质量腐蚀速率至少减少了6倍,腐蚀电流密度下降了2个数量级,腐蚀96 h后样品表面没有明显变化。而对比的纯钽样品却发生了严重的腐蚀反应,生成了很多长条状和多棱柱状的腐蚀产物Na_3TaO_4、Na_2Ta_2O_6和Na_8Ta_6O_(19)。(本文来源于《腐蚀科学与防护技术》期刊2019年04期）
余开荣,庄军平,朱俏俏,刘颖,武书彬[2]（2019）在《氧化钽催化葡萄糖制备乳酸》一文中研究指出将Ta_2O_5作为催化剂用于葡萄糖制备乳酸,结果发现Ta_2O_5的催化效果比较优异。利用SEM对Ta_2O_5进行表征,结果表明,Ta_2O_5表面由许多球状颗粒堆砌形成,颗粒尺寸为200～300 nm。此外,利用正交实验分析不同反应条件对催化效果的影响程度,实验证明反应温度>底物质量浓度>反应时间>催化剂质量。最后考察了催化剂重复使用性能和不同反应条件对于催化效果的影响,结果表明,反应温度为190℃、反应时间为4 h、底物质量浓度为6 g/L、催化剂质量为0. 06 g时,催化效果最佳,葡萄糖转化率达到92. 3%,乳酸得率达到71. 9%。催化剂经重复使用5次后,乳酸得率仍有46. 7%。(本文来源于《现代化工》期刊2019年08期）
丁子彧[3]（2019）在《Ti6Al4V表面医用氧化钽复合涂层的制备及其性能研究》一文中研究指出Ti6Al4V钛合金在生物相容性、耐腐蚀和力学性能等方面具有良好的综合性能,是当今医用植入体的首选材料。但是,体液环境的腐蚀性使长期服役的Ti6Al4V植入材料释放有毒的Al~(3+)、V~(2+)等金属离子,引发宿主产生不良反应,导致植入体失效;另外,Ti6Al4V本身不具备抗菌功能,细菌感染率高,对人体健康构成极大威胁。本文基于Ti6Al4V临床应用中存在的问题,采用磁控溅射技术在其表面制备多功能医用涂层,围绕涂层的成分设计、制备与表征、结合强度、电化学腐蚀和抗菌等方面开展系统地研究。基于功能梯度材料理论,提出了新型多功能医用复合涂层的设计理念。该涂层由5层薄膜组成,第1至第5层依次为Ti、TiO_2、Ta_xO_y-TiO_2,Ta_xO_y和ZnO-Ta_xO_y。其中第1至第3层为中间层,其作用是提高涂层统的结合强度,第4层Ta_xO_y薄膜起抗腐蚀作用,最外层的ZnO-Ta_xO_y薄膜为抗菌层。采用磁控溅射技术在Ti6Al4V表面上制备了含有不同中间层的Ta_xO_y复合涂层(SL、ML-1、ML-2和ML-3),利用SEM、XRD和EDS对涂层试样进行了表征,系统研究了涂层试样的微观结构、结合强度、硬度与弹性模量、润湿性和耐腐蚀性能。结果表明:(1)Ta_xO_y薄膜呈非晶结构,由单晶或多晶组成。(2)随着中间层层数的增加,涂层试样的疏水性增强,硬度和弹性模量提高,结合力增大,其中ML-3的涂层结合力是无中间层SL试样的9.09倍。(3)随着中间层层数的增加,涂层试样在模拟体液环境下的自腐蚀电位增加,腐蚀电流减小,耐腐性能越好,其中ML-3试样的涂层保护率为92.43%。研究了掺杂ZnO的Ta_xO_y多层复合涂层的润湿性、耐腐蚀性和抗菌性能。结果表明:随着ZnO掺杂量由2.36 wt.%增加到5.53 wt.%,涂层试样表面的水接触角由103.12°减小到86.9°,亲水性增强;涂层试样的腐蚀电位较Ti6Al4V的腐蚀电位正203 mV以上,腐蚀电流密度较Ti6Al4V的腐蚀电流密度小5.56μA·cm-2以上;掺杂ZnO的复合涂层对金黄色葡萄球菌的生长具有显着的抑制作用,而且ZnO掺杂量越多,杀菌率越高,其中ZML-200的杀菌率为98.92%。(本文来源于《湖南工业大学》期刊2019-06-04）
余杰[4]（2019）在《基于氧化钽阻变存储器可靠性优化研究》一文中研究指出21世纪存储技术的主要发展特点是:超大容量、超高密度的信息存储以及超快信息传输速度。随着工艺节点的不断降低,占据主要市场的Flash存储器面临着量子隧穿和电容耦合等问题。新型存储技术成为了存储器领域的研究热点,有望取代浮栅结构存储技术。其中,以电阻转变效应的阻变存储器是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。阻变存储器具有结构简单,功耗低,与CMOS工艺兼容,集成密度高等优势,国际半导体技术路线图(ITRS)指出,“阻变存储器是一类最具商业化前景而值得加大研发力量投入的新型存储技术之一”。然而,阻变存储器在获得大规模量产之前,尚有若干关键性技术性的问题亟待解决,如:电阻转变机制不明确,缺乏普适性的器件模型,阻变器件均一性差,器件可靠性有待提高;适合集成的自选通阻变器件的缺失等。针对上述问题,本文从阻变存储器可靠性出发,从导电细丝生长动力学,器件工艺表征以及器件编程能量优化工作方面开展了研究,取得了以下对可靠性优化的成果:(1)双层结构已被广泛采用以提高导电桥电阻随机存储器(CBRAM)的可靠性。在这项工作中,我们提出了一种方便和经济的解决方案,通过使用低温退火工艺实现Ta_2O_5/TaO_x双层结构。在该结构中TaO_x层充当串联电阻的作用,在编程期间抑制溢出电流,从而实现自限流,抑制过冲现象。实验结果表明,由于抑制了过冲现象,高阻态和低阻态的电阻分布得到改善。此外,由于阻变层中缺陷在退火过程中得到了修复,CBRAM的LRS的保持特性明显提高。这项工作不仅提供了一种简单而经济的方法来提高CBRAM的可靠性,而且使用的材料完全兼容CMOS工艺。(2)器件使用不同的脉冲操作方式对提高阻变存储器可靠性有很大的影响。本项工作中,我们提出了一种脉冲编程方案改善了 TaO_y/Ta_2O_5/TaO_x叁层结构的耐久性和高低阻态的均一性。首先使用了TEM,EDS元素分析对器件进行表征,验证了器件的结构。根据器件耐久性的失效行为,分析了器件的失效的的物理机制是复位操作时能量过高,导致细丝与电极之间的间隙逐渐增大,从而致使器件失效。使用低能量的优化脉冲方案后,器件的耐久性得到改善,同时,器件的高低阻态的稳定性增强。本工作不仅对器件可靠性做了改进,而且完全兼容在硬件电路系统上基本脉冲发送电路的设计,可间接性降低外围电路系统设计成本。本文的工作旨在为RRAM产业化做了工作铺垫,基于以上器件设计及脉冲下操作实验,确定了RRAM器件演变方向。从工艺角度和脉冲算法的角度对器件进行优化和改进,确保合适的编程脉冲从而保证RRAM存储器存储信息的真正能力。(本文来源于《安徽大学》期刊2019-02-01）
石凯熙[5]（2018）在《氧化钽基阻变式存储器氧空位调控与性能改善研究》一文中研究指出21世纪大数据时代对高密度信息存储需求越来越迫切,传统闪存存储器面临21nm技术节点的物理尺寸极限,越来越难以满足与日俱增的高密度集成应用需求。因此新兴非易失性存储器,如铁电存储器、磁阻存储器、相变存储器以及阻变式存储器应运而生。阻变式存储器(RRAM)因其优异的存储特性脱颖而出,并相继在众多材料中实现。其中,TaO_x基阻变器件被报道10~(12)次方高耐擦写能力、105ps/120ps超快开关速度以及纳米尺度可缩小能力等极具竞争力的性能指标,成为叁星等电子公司和科研机构研究热点,但是依然存在制约其进一步实际应用的瓶颈问题,例如高操作电流、阻变参数波动性以及集成串扰等问题。TaO_x基阻变器件是基于氧离子迁移型非易失性存储器,因此,构建导电通道的氧空位浓度、分布、含量等是影响器件性能和阻变运行物理过程重要因素。本论文基于这叁个角度展开工作,目的改善器件性能并深入探究阻变机理,具体研究内容如下:1.调节氧空位浓度角度,发展获得超低功耗器件有效手段:首先,通过调节生长制备过程氧分压含量,探究薄膜内部缺陷浓度与阻变过程参数的依赖关系,进一步,通过简单Gd掺杂方法抑制薄膜氧空位生成增加离子迁移势垒,平衡超低功耗运行与保持性的两难问题。这里利用稀土Gd与O之间强电负性差值,促进薄膜内部非晶格氧含量降低,并通过一系列不同掺杂浓度XPS测试比对验证,优化器件实现1μA操作电流DC模式2000组循环无衰退,外延85~oC保持十年之久。其单次运行功耗值低至60fJ/bit,接近50fJ/spike高能效人脑神经元。2.调控氧空位分布角度,设计阻变通道高度可控性器件:设计Ta_2O_(5-x)/Ta_2O_(5-x):Si双层结构器件,通过Si掺杂局域引入氧空位调节缺陷分布,构建“尖锥形”导电通道。结构设计旨在实现阻变局域导通与断裂双过程可控,提高器件参数可靠性。第一性原理计算Si掺杂前后氧空位激活能与迁移势垒差异,并预言其对Ta_2O_(5-x)体系开启过程局域氧空位形成与传输促进作用,并分别从XPS、EDS、C-AFM以及变温快速测试结合Arrhenius方程计算核实Si掺杂效应。双层结构器件中,Si掺杂层局域粗氧空位通道作为有序氧空位储存池并诱导上层非掺杂缺氧层生成局域细导电通道,C-AFM层析技术3D立体再现其“尖锥形”通道构型,结合傅里叶方程理论计算局域尖端焦耳热最大为阻变转变区域。于此,我们报道通过原位TEM观察导电通道开启与关闭的动态过程,以此阐明在非掺杂区域可控转变,核实双层结构器件中“尖锥形”CF几何效应设计理念。3.改变氧空位含量角度,探究回避串生互补型器件机理:研究缺陷产生本质诱因电场强度影响因素,解决回避串生CRS器件的制备与性能改善问题。通过调节薄膜与导电通道之间氧空位含量供求关系,归纳总结发生CRS条件(即Q_S<Q_R),并有效应用构筑TaO_x基CRS器件。进一步,从电场强度(即E_F=V_F/t_(oxide))两方面诱因出发,分别调节薄膜制备厚度(不同薄膜制备生长时间)以及初始化实际施加在阻变器件的电压(器件初始化过程限制电流),以此优化改性CRS器件窗口值与运行功耗,探究CRS行为的场依赖效应,为未来十字叉乘高密度器件集成提出理论参考意义。(本文来源于《东北师范大学》期刊2018-05-01）
夏森林[6]（2018）在《氧化钽的电化学储能研究》一文中研究指出五氧化二钽(Ta2O5)是钽最常见的氧化物,也是钽在空气中燃烧生成的最终产物,主要用作拉钽酸锂单晶和制造特种光学玻璃。由于钽具有多种可变价态,因而,五氧化二钽在电化学能源及催化方面也得到了广泛的关注。近年来,五氧化二钽在锂离子、钠离子电池和超级电容器等储能器件电极材料方面有着很多应用。通过部分转化反应,Ta2O5可以提供高达482 m Ah g-1的理论容量,高于石墨负极及一些常规氧化物,因而在电化学储能方面具有潜在的应用性。然而,Ta2O5的宽带隙(4.2 e V)和低电子导电率导致了其较差的电化学性能,故无法满足实际应用的需要。本论文工作针对Ta2O5导电性差的缺点,通过设计叁维自支撑结构的Ta2O5薄膜以及调控其氧缺陷的方法,最终有效降低了氧化钽的能量带隙,并较好地提升了其导电性能。随后在此基础上进行了系统的电化学性能表征,取得了一些有意义的成果。具体研究内容如下:1)针对氧化铌和氧化钽具有相似的物理化学性质,从目前研究报道较多的五氧化二铌入手,运用电化学阳极氧化的方法在金属铌的表面合成叁维有序自支撑的纳米多孔阵列,为叁维自支撑纳米结构氧化钽薄膜的合成提供实验思路和方法的支撑。然后对样品进行高温处理,开展后续的表征和电化学测试工作。将处理后的自支撑氧化铌薄膜作为超级电容器的负极材料测试其电化学性能,展现出了典型的赝电容性和较好的稳定性,也为后续的研究打下了基础。2)在五氧化二铌工作的基础上,重点探究如何在金属钽表面生长有序纳米结构的五氧化二钽薄膜,并在合适的温度下于氩气中进行退火处理,最后运用到电化学储能器件的电极材料中。叁维自支撑结构保证了离子的固相传输始终处在纳米尺度,并且在作为电化学储能器件的电极材料时无需使用粘结剂和集流体,能够提高离子扩散速率。在氩气中高温退火处理能够充分除去合成过程中的水分残留和产生氧空位,降低氧化钽的带隙,最终提升了氧化钽薄膜的导电性,也提升了氧化钽电极材料的电化学储能的容量和循环稳定性。将处理后的样品作为锂离子电池的负极材料进行电化学测试。450oC氩气中退火的样品(Ta2O5-450)在96.4 m A g-1(0.2 C,1 C表示8个锂离子在1小时内嵌入Ta2O5中,等于482 m A g-1)的电流密度下能保持402 m Ah g-1的容量,在较大的电流密度2410 m A g-1(5 C)下循环10000次后仍然能保持209 m Ah g-1的容量,该倍率和循环性能优于目前的文献报道的结果。氧化钽在充放电过程中表现出赝电容性能,并且在储锂过程中主要发生嵌入反应。3)在此基础上,对五氧化二钽薄膜在水系和有机体系中的储钠性能进行了研究。在水系中,氧化钽薄膜的储钠表现出赝电容性特性和较好的稳定性。而在有机系中,五氧化二钽储钠的性能一般,拟通过调控氧化钽表面形貌的方法来提高其储钠活性。(本文来源于《苏州大学》期刊2018-05-01）
宋梓阳[7]（2018）在《氧化钽—氧化钛基固体氧化物燃料电池电解质的制备与性能研究》一文中研究指出随着传统化石能源的日渐枯竭,以燃料电池、锂电池等为代表的新能源利用方式不断涌现。固体氧化物燃料电池(Solid Oxide Fuel Cell;SOFC)以其高效、环保的优点成为研究的重点之一。电解质作为SOFC的核心部件,直接关系到整个电池体系的使用寿命和性能,得到了越来越多的关注。本论文用草酸盐沉淀法制备纳米氧化钽—氧化钛基固体电解质粉体,采用扫描电镜(Scanning Electron Microscopy;SEM)、X 射线衍射仪(X-ray diffraction;XRD)等测试手段对固体电解质粉体有关性质进行了表征,确定了最佳制备工艺。使用阿基米德排水法、电化学工作站、热膨胀仪等计算和测试了不同掺杂物以及不同掺杂浓度的电解质的相对密度、电化学阻抗谱(Electrochemical Impedance Spectroscopy;EIS)和热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion;CTE)。并根据掺Fe2O3电解质烧结前后XRD结果,探讨了 Ta2O5-TiO2-Fe2O3系电解质结构的变化及与电导率之间的关系。取得结果如下:Fe2O3掺杂量为2.3%时,电解质相对密度约92.91%,800℃时电导率为2.80×10-2S/cm,电导活化能约0.9491eV,热膨胀系数约3.26×10-6K-1。Al2O3掺杂量为2.3%时,电解质相对密度约86.24%,800℃时电导率约1.99×10-2S/cm,电导活化能约0.9508eV,热膨胀系数约2.38×10-6K-1。不同含量Ga2O3掺杂的电解质的相对密度均低于80%,掺杂Ga2O3之后电解质电导率均有所降低,其热膨胀系数随掺杂比的增加而升高,从3.04×10-6K-1增加到 3.52×10-6K-1。XRD结果表明,电解质粉体的晶体类型为正交晶型,烧结后晶体类型为叁斜晶型,晶体类型发生了转变。随着Fe2O3掺杂量的增加,晶体中杂质相FeTaO4含量不断增加。当体积较小的Ti4+和Fe3+取代多面体中的Ta5+时,为了维持电中性,多面体中Ta5+周围的O2-位置产生氧空位,多面体中邻近的O2-受外界能量激发时向氧空位的位置迁移,从而完成氧离子导电的过程。叁斜晶体的空间群结构中[TaO7]正十面体的占有率比在正交晶型的空间群中占有率高,为氧空位的产生提供了更大可能,叁斜晶型的电解质具有较高的电导率。(本文来源于《海南大学》期刊2018-05-01）
王利栓,杨霄,刘丹丹,姜承慧,刘华松[8]（2018）在《离子束溅射氧化钽薄膜光学特性的热处理效应》一文中研究指出主要研究了离子束溅射制备的氧化钽薄膜在大气氛围下热处理对其光学特性的影响规律。实验中热处理温度范围的选择为150~550℃,间隔为200℃。研究中分别采用介电常数的CodyLorentz色散模型和振子模型对氧化钽薄膜的能带特性(1~4 eV)和红外波段(400~4 000 cm~(-1))的微结构振动特性进行了表征。研究结果表明,在150℃和350℃之间出现热处理温度转折点,即热处理温度高于此值时消光系数增加。Urbach能量的变化与消光系数趋势相同,而禁带宽度的变化与消光系数恰好相反。通过红外微结构振动特性分析,薄膜中仍存在亚氧化物的化学计量缺陷。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2018年03期）
李俊青[9]（2018）在《氧化钽薄膜的制备及表征》一文中研究指出随着科技的进步,纳米材料逐步进入人们的视野,为了提高产品的性能,人们对影响性能的因素-材料的结构,进行了深入研究。氧化钽,作为宽带隙金属氧化物,具有良好的光电性能,成为本文的首选。经过调研发现,人们对氧化钽的研究大多集中在电学方面,对磁性的研究很少。而对于Ta_2O_5薄膜在室温下显现铁磁性的原因也是众说纷纭。为了对这一问题做出合理解释,本文采用了磁控溅射的手法制备出氧化钽,并采用XRD、FE–SEM、EDS、MPMS和PPMS等设备对其形貌和磁性机理等进行了研究。具体结果如下:(1)采用二次阳极氧化的方法制备出了有序多孔的氧化铝(AAO),然后以氧化铝为基底,采用磁控溅射的方法制备出有序多孔Ta_2O_5薄膜。由于不同的条件下,制备出的样品不同,所以本文研究了不同氧气流量、不同基温、不同溅射时间对样品的影响。结果显示,基底温度对样品的制备没有很大的影响。通过SEM对样品的形貌表征,发现随着溅射时间的增加,Ta_2O_5薄膜的孔径减小,厚度增加。并得到了制备纯的有序多孔Ta_2O_5薄膜的最佳条件。(2)研究了样品的磁性与制备条件之间的关系。通过MPMS和PPMS表征,发现在室温下Ta_2O_5薄膜具有铁磁性。随着氧气流量的增多,样品的磁性先增大后减小。施加垂直于膜表面磁场的样品的磁性要远远大于施加平行于膜表面磁场的样品的磁性,这一结果说明Ta_2O_5薄膜具有磁各向异性。与此同时,随着溅射时间的增加,样品的饱和磁化强度逐渐减小。(3)研究了样品的磁性与退火环境之间的关系。为了研究氧空位对样品的磁性是否产生影响。对样品进行了退火处理及PL谱的测试。分别测试了不同的退火环境,不同的退火时间对样品的影响。在空气、真空中进行退火,并与未处理的样品进行比较,结果表明经真空退火后样品的磁性增加,经空气退火后样品的磁性减弱。这一结果与PL谱相符合,说明Ta_2O_5薄膜的磁性与氧空位有关。为了再次证实这一结论,将样品在空气退火不同的时间。结果显示,随着退火时间的增加,样品的磁性逐渐减弱,与前者相符。并对样品的磁性与温度关系进行了测试和拟合,得出Ta_2O_5薄膜的铁磁性是符合自旋波理论的,其磁性的起源是与铁、钴、镍类似的。文章最后,对Ta_2O_5薄膜的铁磁性机理进行了解释。其磁特性不仅与材料特殊的多孔结构有关,还与捕获一个电子的氧空位密切相关。利用这一特性可在实验过程中,通过控制氧空位的多少实现对Ta_2O_5薄膜磁性的定量调控,制备符合条件的样品。(本文来源于《河北师范大学》期刊2018-03-19）
王一川[10]（2018）在《基于氧化钽材料阻变存储器的阻变特性与导电机制研究》一文中研究指出随着科技的发展和我国第叁次消费结构升级转型,高集成度的电子消费产品越来越受到人们的青睐。其中,存储器作为消费电子不可或缺的组成部分,越发受到产业链所关注。Flash存储器作为成熟的非挥发性存储器,由于其操作速度快、存储密度大等特点而被广泛应用。然而,随着Flash器件单元尺寸的缩小,其发展程度也收到了很大的限制,所以新型非挥发性存储器的研究迎来了一个新的高潮。其中,阻变存储器(RRAM,Resistive Random Access Memory)集成度高,工艺简单,操作速度快,功耗相比其他新型存储器较低等优势,成为了新型存储器的有力竞争者之一。近十年来,阻变存储器得到了迅速发展,由于阻变层的选择决定了阻变存储器的存储能力,因此各种材料的阻变层相继进行了研究,其中氧化物作为一种易于制备,工艺简单的材料而被应用。TaO_x材料由于其优异的耐受性(endurance)和较快的擦写速度(<150ps)成为了氧化物基阻变存储器研究热点。本论文实验所制备的器件均采用射频磁控溅射生长完成,而插层则是采用离子束溅射精确控制厚度制备完成。一方面,利用AFM和XPS对薄膜的表面形貌进行表征,一方面使用半导体参数分析仪测试器件的电学性能,进而对器件的阻变性能和传输机理进行研究和分析。首先对Ta/TaO_x/Pt结构未插层器件的工艺条件进行改善。通过对比不同氧分压和厚度阻变层的未插层器件电学特性,得出3%氧分压下,厚度为10nm的未插层器件性能比较稳定。然后以此未插层器件为基础,进行了结构上的优化,在上电极和阻变层之间插入薄层金属Ti或者Hf,厚度均为1nm。对比叁种器件的电学性能,得出了Ti插层器件的性能最为优异,高低阻态的稳定性最好。最后对叁种器件的薄膜表面进行表征、I-V曲线的线性拟合以及阻变模型的建立,发现插层器件的传输机理并没有由于金属插层的加入而得到改变,金属薄层的加入只是充当串联电阻以及储氧层的作用,防止器件出现硬击穿,而且由于HfO_x的标准生成吉布斯自由能比TiO_x要大,所以不是任何金属作为插层都能起到积极的作用。在Ta/TaO_x/Pt结构器件加入Ti插层可以改善性能的基础上,研究插入Ti层的厚度对器件性能的影响。通过对比四种不同厚度Ti插层器件的电学性能,得出较厚Ti插层器件的性能反而会下降。最后通过线性拟合和模型建立,得出过厚的Ti插层会降低器件性能的原因。通过本论文相关实验,证实了合适厚度的金属插层可以提升未插层器件的阻变特性,为改善离子型阻变存储器的稳定性提供了参考,也为阻变存储器进一步得到产业化应用提供了一定的理论意义。(本文来源于《天津理工大学》期刊2018-03-01）
氧化钽论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
将Ta_2O_5作为催化剂用于葡萄糖制备乳酸,结果发现Ta_2O_5的催化效果比较优异。利用SEM对Ta_2O_5进行表征,结果表明,Ta_2O_5表面由许多球状颗粒堆砌形成,颗粒尺寸为200～300 nm。此外,利用正交实验分析不同反应条件对催化效果的影响程度,实验证明反应温度>底物质量浓度>反应时间>催化剂质量。最后考察了催化剂重复使用性能和不同反应条件对于催化效果的影响,结果表明,反应温度为190℃、反应时间为4 h、底物质量浓度为6 g/L、催化剂质量为0. 06 g时,催化效果最佳,葡萄糖转化率达到92. 3%,乳酸得率达到71. 9%。催化剂经重复使用5次后,乳酸得率仍有46. 7%。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氧化钽论文参考文献
[1].胡立坤,谢盼平,袁思成,许登峰,彭智.阳极氧化钽酸锂薄膜在NaOH溶液中的腐蚀行为研究[J].腐蚀科学与防护技术.2019
[2].余开荣,庄军平,朱俏俏,刘颖,武书彬.氧化钽催化葡萄糖制备乳酸[J].现代化工.2019
[3].丁子彧.Ti6Al4V表面医用氧化钽复合涂层的制备及其性能研究[D].湖南工业大学.2019
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[5].石凯熙.氧化钽基阻变式存储器氧空位调控与性能改善研究[D].东北师范大学.2018
[6].夏森林.氧化钽的电化学储能研究[D].苏州大学.2018
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[8].王利栓,杨霄,刘丹丹,姜承慧,刘华松.离子束溅射氧化钽薄膜光学特性的热处理效应[J].红外与激光工程.2018
[9].李俊青.氧化钽薄膜的制备及表征[D].河北师范大学.2018
[10].王一川.基于氧化钽材料阻变存储器的阻变特性与导电机制研究[D].天津理工大学.2018
论文知识图
