胍基硅前驱体的合成及应用

论文摘要

以胍基取代的二甲基二氯硅烷与胺基锂反应合成了3种硅基化合物,使用核磁共振、高分辨质谱、元素分析对化合物结构进行了表征,通过热重分析（TGA）研究了化合物的热稳定性、挥发性、蒸汽压等性能。3种化合物均具有良好的热稳定性及挥发性,无明显热分解过程,固体残留小于1%,接近纯挥发过程,最高蒸汽压在3600～5300 Pa,满足前驱体使用要求。以二甲基-胍基-甲乙胺基-硅烷为前驱体,采用螺旋波等离子体气相沉积（HWPCVD）工艺制备了硅基薄膜,使用X射线光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）分析了薄膜的化学组成和膜表面结构,XPS分析结果证实该薄膜为Si、N、C组成,实验结果表明,该类胍基硅化合物可作为硅基化学气相沉积（CVD）前驱体材料应用于集成电路制造。

论文目录

• 1 实验部分
•   1.1 试剂和仪器
•   1.2 胍基二甲基氯硅烷中间体的合成（TMG-1）
•   1.3 胍基甲乙胺基二甲基硅烷的合成（TMG-2）
•   1.4 胍基二乙胺基二甲基硅烷的合成（TMG-3）
•   1.5 胍基二异丙基胺基二甲基硅烷的合成（TMG-4）
•   1.6 薄膜沉积
• 2 结果与讨论
•   2.1 合成及表征
•   2.2 热性能分析
•   2.3 HWPCVD成膜研究
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 马潇,许从应,许东升,丁玉强,金成刚,季佩宇

关键词: 胍基,前驱体,化学气相沉积,应用

来源: 应用化学 2019年10期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,信息科技

专业: 有机化工,无线电电子学

单位: 江南大学化学与材料工程学院,苏州大学物理科学与技术学院

基金: 国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”(2016ZX02301003-004-004)资助~~

分类号: TN405;TQ264.1

页码: 1179-1185

总页数: 7

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