导读:本文包含了界面电荷论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:电荷,界面,电流,油纸,空间,载流子,电缆。
界面电荷论文文献综述
周郁明,穆世路,蒋保国,王兵,陈兆权[1](2019)在《SiC/SiO_2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究》一文中研究指出碳化硅/二氧化硅(SiC/SiO_2)界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会给遭遇短路故障的SiC MOSFET带来更大的电流应力。在传统的SiC MOSFET等效电路模型的基础上建立了SiC MOSFET的短路失效模型,该模型考虑了强电流应力下器件内的泄漏电流,并引入了包含界面态电荷的沟道载流子迁移率。利用该模型讨论了SiC/SiO_2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性的影响,结果显示界面态电荷的减少缩短了SiC MOSFET短路耐受时间。随后通过从失效电流中分离出不同产生机制下的泄漏电流分量,讨论了界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的机理。(本文来源于《电子科技大学学报》期刊2019年06期)
韩布兴[2](2019)在《高效圆偏振发光的两种新策略:手性发光分子界面自组装和电荷转移态发光》一文中研究指出发光不对称因子(g_(lum))和发光量子效率(ΦPL)是评估圆偏振发光(CPL)材料性能的两个重要的参数。一般而言,g_(lum)是由电偶极跃迁距和磁偶极跃迁距决定的。有机体系中,相比于电偶极跃迁距,磁偶极跃迁距往往是可以忽略的1,2。因此,具有较大电偶极的有机小分子其荧光量子效率很(本文来源于《物理化学学报》期刊2019年11期)
于治,郭春雷[3](2019)在《基于MAPbCl_3钙钛矿单晶界面电荷转移的SERS增强机制研究》一文中研究指出有机无机杂化钙钛矿材料,由于其具有较高的光吸收系数、长载流子扩散长度以及高载流子迁移率而被广泛的应用于光电领域的研究。基于钙钛矿材料的光电响应器件界面电荷转移过程则是影响其性能的关键因素。表面增强拉曼(SERS)光谱已发展成为一种有力的表面、界面分析技术。利用SERS光谱研究基于钙钛矿单晶材料所制备的光电器件的界面相互作用,有助于我们更好的理解其界面电荷转移过程。在此,我们制备了MAPbCl_3钙钛矿单晶材料,并且,通过化学吸附在其表面吸附一层MPY分子。图1A为吸附在钙钛矿单晶表面MPY分子的SERS光谱。我们观察到吸附在MAPbCl_3单晶上的MPY分子的Raman信号在532 nm激光激发条件下被明显增强。(图1A、B)。这主要是由于在钙钛矿单晶与MPY分子界面之间形成了新的电荷转移复合物,其带隙宽度与532 nm激光能量最为匹配,因此,532 nm激光能够诱导界面之间发生电荷转移,促使吸附在钙钛矿表面的MPY分子信号大大增强。我们进一步利用MPY修饰的MAPbCl_3钙钛矿单晶构筑了光电探测器件(图1C),在532 nm激光照射下采集器件I-V曲线(图1D)。结果表明,MPY改性后的MAPbCl_3对532nm光有明显的光电响应。本研究建立了CT共振增强拉曼光谱与钙钛矿材料光电子响应之间的相关性,有利于利用SERS手段研究光电响应器件界面电荷转移过程。(本文来源于《第二十届全国光散射学术会议(CNCLS 20)论文摘要集》期刊2019-11-03)
郝建,廖瑞金,George,Chen,闵道敏,张灵[4](2019)在《油纸绝缘复合电介质的空间/界面电荷特性及其抑制方法综述》一文中研究指出聚合物电介质的空间/界面电荷问题一直是国内外绝缘领域研究的前沿和热点。换流变压器是超/特高压直流输电工程中的关键设备,其内部油纸绝缘系统空间/界面电荷的产生、输运、积聚等过程会直接导致局部电场分布的畸变,易诱发绝缘介质的击穿、沿面闪络、老化加速等,是影响换流变压器安全稳定运行的重要因素。文中总结了国内外近20年来油纸绝缘电介质空间/界面电荷方面的研究成果,首先介绍了油纸绝缘复合电介质的空间/界面电荷测量和仿真研究新进展;然后分析了不同电压类型(直流、交流、交直流复合、极性反转)、场强大小、温度梯度、油纸本体状态等对油纸绝缘电介质空间/界面电荷演化的影响规律;最后分析了油纸绝缘介质空间/界面电荷的抑制方法。国内外在油纸绝缘电介质空间/界面电荷研究方面取得的大量有价值的研究成果,为换流变压器绝缘结构设计、绝缘性能提升提供了理论支撑。未来仍需在大尺寸油纸绝缘结构空间/界面电荷的测量及仿真方法、空间/界面电荷与材料绝缘性能的关联机制,以及优异绝缘性能先进电工绝缘材料等方面进一步开展研究。(本文来源于《高电压技术》期刊2019年10期)
周郁明,蒋保国,刘航志,陈兆权,王兵[5](2019)在《包含SiC/SiO_2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型》一文中研究指出建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用叁段电流表达式分别描述SiC MOSFET工作在截止区、线性区和饱和区,引入SiCMOSFET的漏极和源极之间的泄漏电流及栅极氧化层的泄漏电流,并采用包含SiC/Si O2界面电荷的迁移率模型描述沟道载流子在不同温度范围内的行为表现,建立电–热网络模型模拟SiC MOSFET在开关状态和高电应力下的自热效应。开关电路和短路实验验证了所建立的SiC MOSFET的SPICE模型的准确性。应用所建立的SPICE模型讨论不同密度的SiC/SiO2界面电荷对SiC MOSFET的开关特性及短路失效的影响。结果表明,高密度的界面电荷一方面能够延迟SiCMOSFET的导通并增加通态电阻,导致SiCMOSFET的开关损耗增加,另一方面能够降低SiCMOSFET在短路环境下的饱和电流,并延迟SiC MOSFET的失效。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2019年19期)
应宇鹏,黄猛,吕玉珍,李成榕,齐波[6](2019)在《TiO_2纳米粒子浓度对油纸复合绝缘击穿特性和界面电荷的影响》一文中研究指出为探究直流电压下纳米粒子对油纸复合绝缘电气性能的影响,制备不同浓度TiO_2纳米粒子改性油纸试样,对比测试试样的极化电流和直流击穿电压,并借助扩展Debye电路模型建立油纸复合绝缘击穿模型,分析升压过程中电压分布和界面电荷积聚情况。结果表明:纳米粒子的添加导致极化电流显着增大;油纸复合结构击穿电压随纳米粒子浓度的增大先上升后下降,且存在极性效应。分析表明,受纳米粒子添加对松弛极化的影响,不同浓度纳米油纸复合绝缘结构界面电荷极性和积聚量不同,这是导致电压分布和击穿过程差异的根本原因,同时纤维素对负电荷的吸附是存在极性效应的主要原因。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2019年S1期)
田阳雨,罗军,金鹰,吴元芳[7](2019)在《基于电荷泵技术的叁维器件的界面电荷特性研究》一文中研究指出利用传统电荷泵技术对叁维立体器件界面缺陷特性进行了研究。通过改变测试脉冲上升或下降时间,分析了叁维器件界面缺陷能级分布,得出缺陷能级呈现类似"U"型分布。通过在源、漏区施加不同电压,对缺陷沿沟道水平分布进行研究,得到界面缺陷在靠近源、漏区的量最大而在远离源、漏区的位置无规则分布。通过改变脉冲保持时间,对缺陷沿高介电常数迭栅垂直分布进行研究,可以明显区分开缺陷在中间介质层和高介电常数层的缺陷量。另外,利用电荷泵技术验证了叁维器件负偏压温度不稳定性(NBTI)与界面缺陷的关系。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年07期)
张瑞敏,张沛红,宋淑伟,孙略,冯宇[8](2019)在《界面空间电荷对高压直流电缆终端电场分布的影响》一文中研究指出为了分析高压直流电缆终端主绝缘与加强绝缘界面空间电荷分布对直流电缆终端最大场强的影响,应用电声脉冲法测试了交联聚乙烯与非线性硅橡胶双层介质中的空间电荷分布。根据界面空间电荷分布特性,确定空间电荷包参数,并应用多物理场耦合软件COMSOL Multiphysics仿真分析了考虑界面空间电荷时的高压直流电缆终端电场分布。结果发现:高压直流电缆终端的电场分布受交联聚乙烯和非线性硅橡胶界面空间电荷及其在绝缘层中分布的影响,界面空间电荷分布的中心峰值小于2 C/m~3时,空间电荷对电缆终端内电场分布的影响不明显;空间电荷分布峰值大于2 C/m~3时,绝缘层中的空间电荷分布越宽,终端内最大场强越大。(本文来源于《高电压技术》期刊2019年06期)
陈天阳,亢亚楠,陶玲玲,王果果,孙喆[9](2019)在《界面电荷积累诱导钙钛矿电池迟滞的动力学模拟》一文中研究指出研究钙钛矿电池的迟滞行为有助于研究者深入理解电池的电荷输运、空间电荷分布以及电场演化的物理机制。~([1])越来越多的文献表明优化钙钛矿层与电荷收集层的接触状况对抑制迟滞效应具有关键作用。然而,关联界面电荷转移动力学与光电流迟滞行为的内在机制仍有待进一步讨论。这一问题的复杂性在于钙钛矿电池的界面电荷转移性质的变化会影响载流子以及离子在界面处的积累以及离子迁移状况,进而改变电池的光电响应。除钙钛矿层与电子选择层能级匹配外,需要深入分析界面电荷转移能力、载流子以及离子在界面的空间分布、界面的钝化状况与j-V迟滞行为的关系。我们将Butler-Volmer模型引入漂移-扩散方程,用以分析钙钛矿电池的j-V迟滞与界面电荷分离能力之间的关系。在BV模型中,电荷转移速率被描述为界面超电势的函数,事实上拓展了已有的钙钛矿电池漂移-扩散模型的适用范围。~([2])通过求解漂移-扩散方程组,可以证实界面电荷转移受限是诱发光电流迟滞的关键因素之一(图1a)。其原因在于电荷转移受限导致钙钛矿层/电荷收集层界面处的载流子和可移动离子的大量累积,抑制了电荷分离。有趣的是这种电荷累积伴随着电荷收集层中载流子的排空效应(图1b)。模拟表明,即使在离子累积的程度不变的情况下,载流子排空效应依然会诱发迟滞现象形成。此外,我们发现电池的光电压损失与界面电荷受限无关,进一步证实了迟滞行为的动力学属性。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25)
韦廷查[10](2019)在《晶面异质结光催化剂界面电荷调控及其在光解水中的应用》一文中研究指出太阳能作为一种清洁的能源形式因其丰富的储量受到人们广泛的关注。而氢气因为其能量密度高,可储存,可运输,燃烧产物无污染等特点是理想的清洁能源。通过光催化技术分解水将太阳光能转化为氢气化学能是解决当前社会发展面临的能源和环境问题的有效途径之一。然而光催化技术实现真正的工业化应用仍面临着巨大挑战。其中,光生载流子的复合带来光催化效率过低成为制约该技术发展的瓶颈问题。因此,如何进一步提高光催化剂的催化效率是当前材料科学研究中的热点课题。其中,构筑半导体异质结被视为实现光生电子和空穴分离的有效手段,不同材料组合形成的异质结构也不断涌现。然而,电荷在异质界面的转移过程不仅受到半导体费米能级影响,更与暴露晶面、缺陷结构等密切相关。如何对界面电荷行为进行调控,获得催化性能的有效提升,成为未来研究的重点方向。本文通过构筑晶面异质结,研究缺陷调控、多电场协同、助催化剂负载等手段对光生电荷分离的影响,并探索催化剂在分解水产氢反应中的应用。主要研究内容如下:(一)基于缺陷型ZnO/BiVO4晶面异质结构筑多电场协同光催化剂用于分解水产氧半导体不同晶面间的能级差异为构筑界面微观电场提供了有利条件,如何通过催化剂电子结构调节强化电场对电荷的分离作用,仍是亟待解决的重要问题。为此,研究通过在BiVO4晶面催化剂表面负载ZnO纳米棒阵列,构建纳米ZnO/BiVO4晶面异质结,借助多电场调制策略实现电荷的有效分离。研究表明,晶面效应促使BiVO4在光激发下呈现出自发的电荷分离现象,光生电子和空穴分别聚集于BiV04的{010}和{110}晶面。而ZnO纳米棒的极性使得电荷传递呈现出各向异性,电子沿c轴快速传输使得光生电子和空穴得到了有效分离。界面缺陷对于电荷的界面转移过程具有重要影响,在异质结催化剂中引入氧空位后,BiVO4{101}晶面和所负载的ZnO缺陷能级间表现出Z型复合机制。在Z型电荷转移过程和晶体催化剂光生内建电场的协同作用下,催化剂在可见光下氧化水的能力获得了数量级的提升,实现了 68 μmol h-1的产氧速率。在450 nm处所测得的量子产率为5.0%,相比于BiVO4提高了一个数量级,其对污染物的降解也得到了极大的提升。(二)基于缺陷调控的Cu20/TiO2晶面异质结用于光催化分解水产氢Cu20被视为极具应用前景的高活性可见光催化剂,然而光腐蚀现象带来的稳定性问题仍是制约其在催化反应中应用的主要问题。如何通过异质结设计和电子结构调控构筑高效、稳定的铜基复合光催化剂,仍是有待开发的新领域。为此,研究选取了暴露{001}和{101}晶面的TiO2光催化剂作为载体,将Cu2O负载到TiO2的两个晶面构筑异质结光催化剂。通过引入氧空位对异质结缺陷结构进行调控,以期在提升电荷分离效率的基础上获得理想的光化学稳定性。研究表明,缺陷工程和晶面协同策略使TiO的{101}晶面光生电子与Cu2O带空穴间的Z型复合,可以有效避免光生空穴在氧化亚铜聚集引起的光氧化生成氧化铜副反应。在获得长达32小时的反应稳定性的基础上,异质结催化剂在全光谱下的产氢速率达到32.6 mmol h1 g-1,为基于Z型电荷复合开发高性能光催化剂提供了崭新方法。(叁)单原子助催化剂负载的TiO2晶面光催化剂用于分解水产氢通过贵金属助催化剂负载构筑肖特基结,是提升光生电荷分离的有效手段。单原子助催化剂负载,不仅可心为催化反应提供更多活性位点,也为降低催化剂成本提供了新途径。为此,研究探索了单原子Au和Pt助催化剂在{001}和{101}晶面TiO2表面的负载,考察了异质界面对其光催化分解水性能的影响。研究表明,半导体和贵金属之间形成的肖特基结可以有效地捕获光生电子,从而抑制电荷载流子的复合,有效的提高了光催化效率。结合了晶面和单原子助催化剂的优点,Pt/Ti02-001显示出高效的光催化活性,最大产氢速率达到21.9 mmol h-1“g-1。该研究为单原子辅助Ti02基光催化剂在光催化中的应用提供了新的思路。(本文来源于《中国工程物理研究院》期刊2019-05-01)
界面电荷论文开题报告
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
发光不对称因子(g_(lum))和发光量子效率(ΦPL)是评估圆偏振发光(CPL)材料性能的两个重要的参数。一般而言,g_(lum)是由电偶极跃迁距和磁偶极跃迁距决定的。有机体系中,相比于电偶极跃迁距,磁偶极跃迁距往往是可以忽略的1,2。因此,具有较大电偶极的有机小分子其荧光量子效率很
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
界面电荷论文参考文献
[1].周郁明,穆世路,蒋保国,王兵,陈兆权.SiC/SiO_2界面态电荷对SiCMOSFET短路特性影响的研究[J].电子科技大学学报.2019
[2].韩布兴.高效圆偏振发光的两种新策略:手性发光分子界面自组装和电荷转移态发光[J].物理化学学报.2019
[3].于治,郭春雷.基于MAPbCl_3钙钛矿单晶界面电荷转移的SERS增强机制研究[C].第二十届全国光散射学术会议(CNCLS20)论文摘要集.2019
[4].郝建,廖瑞金,George,Chen,闵道敏,张灵.油纸绝缘复合电介质的空间/界面电荷特性及其抑制方法综述[J].高电压技术.2019
[5].周郁明,蒋保国,刘航志,陈兆权,王兵.包含SiC/SiO_2界面电荷的SiCMOSFET的SPICE模型[J].中国电机工程学报.2019
[6].应宇鹏,黄猛,吕玉珍,李成榕,齐波.TiO_2纳米粒子浓度对油纸复合绝缘击穿特性和界面电荷的影响[J].中国电机工程学报.2019
[7].田阳雨,罗军,金鹰,吴元芳.基于电荷泵技术的叁维器件的界面电荷特性研究[J].半导体技术.2019
[8].张瑞敏,张沛红,宋淑伟,孙略,冯宇.界面空间电荷对高压直流电缆终端电场分布的影响[J].高电压技术.2019
[9].陈天阳,亢亚楠,陶玲玲,王果果,孙喆.界面电荷积累诱导钙钛矿电池迟滞的动力学模拟[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[10].韦廷查.晶面异质结光催化剂界面电荷调控及其在光解水中的应用[D].中国工程物理研究院.2019