导读:本文包含了功函数论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:函数,原理,表面,光电子,谱表,水溶液,组态。
功函数论文文献综述
薛佳帆,戴良,陈霖凯,吕伟锋[1]（2018）在《金属栅功函数变异对纳米MOSFET模拟/射频性能影响的统计分析》一文中研究指出当集成电路技术进入到纳米尺度,金属栅极上分布的晶粒显着减少,功函数变异(WFV)对MOSFET器件和电路性能产生重要的影响.文中通过偏差反向传播(POV)方法将功函数变异解析为平带电压标准差,建立22nm NMOS器件模拟/射频性能的统计分析,这些性能参数包括栅电容、跨导、截止频率和跨导效率.经HSPICE仿真分析结果表明:上述参数均受WFV影响产生随机波动现象,且参数变化相对标准偏差对栅电压非常敏感;从统计分布看,模拟/射频性能参数受WFV影响均偏离正态分布,但其概率统计特性却各有差异.(本文来源于《计算机辅助设计与图形学学报》期刊2018年11期）
陈瑜,龚力,杜相,陈思,谢伟广[2]（2018）在《XPS与UPS测量几种材料功函数的比较》一文中研究指出为比较X射线光电子能谱(XPS)与紫外光电子能谱(UPS)测量材料功函数结果间的差异,依次对经氩离子清洁表面吸附层的Au、Ag薄膜样品和单晶硅片,以及未进行表面清洁的Au、Ag、MoO_3薄膜样品,单晶硅片及ITO导电玻璃的功函数进行测量。给出了XPS和UPS测量功函数的计算方法,并探讨了影响材料功函数测量结果不确定性的因素。研究发现XPS及UPS在测量表面清洁的金属样品时,测量结果基本一致,具有较高的准确度,表面清洁的Au、Ag样品一经暴露空气后其表面覆盖一层吸附层,功函数很快发生变化。利用UPS或XPS测量金属和半导体的功函数时应避免暴露空气,若金属样品在空气中暴露时建议使用氩离子清洁表面。研究结果对科研人员按实际测试需求合理选择测量方法具有一定的指导意义。(本文来源于《分析测试学报》期刊2018年07期）
朱瑞,赵志娟,安辰杰,徐军[3]（2018）在《表面吸附污染对多晶铜和金功函数的影响》一文中研究指出功函数是金属光阴极的一项重要特性,决定了光电子发射量子效率。金属表面在大气环境中容易受表面吸附污染的影响,从而改变表面功函数,并可能影响光电子发射性能。本工作通过光电子能谱的方法,研究常用做光阴极材料的多晶铜和金表面在大气环境中的吸附污染,及其对表面功函数的影响。根据紫外光电子能谱的测量,发现铜和金金属表面存在吸附污染时功函数相比纯净金属表面分别降低约0.1 e V和0.7 e V。利用X射线光电子能谱分析发现有机分子吸附污染使得金样品的表面功函数降低;而对于铜样品表面,导致功函数降低的因素包括有机分子吸附和表面氧化。本研究对光阴极的应用具有指导意义。(本文来源于《电子显微学报》期刊2018年03期）
曹羽鑫,李光强,侯延辉[4]（2017）在《夹杂物不同晶面诱导点蚀机理与功函数的关系》一文中研究指出以Al-Ti脱氧钢中夹杂物为研究对象,采用基于密度泛函理论第一性原理的计算方法,计算比较了Al_2O_3,Ti_2O_3,Ca Ti O_3和钢基体的多个晶面的电子功函数,分析了夹杂物和钢基体在不同晶面以及同一晶面不同终端暴露在最外层时,本征电势差的大小,以此分析了不同夹杂物不同晶面、同一晶面不同终端面诱导点蚀的机理。(本文来源于《第十一届中国钢铁年会论文集——S06.钢铁材料》期刊2017-11-21）
宋新祥,孙宇,李春,元光[5]（2016）在《碱金属和氯吸附原子对石墨烯功函数影响的第一性原理研究》一文中研究指出利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了碱金属和氯吸附原子对石墨烯的功函数的影响。计算结果表明,碱金属原子吸附不仅可以显着降低石墨烯的功函数,而且功函数以及费米能级的变化与碱金属原子的电负性呈现线性关系;而氯原子的吸附可以显着提高石墨烯的功函数。由于石墨烯的屏蔽效应的影响,吸附原子对石墨烯的另一侧功函数的影响被削弱。(本文来源于《2016真空电子学分会第二十届学术年会论文集（下）》期刊2016-08-23）
谢杜兴[6]（2016）在《二硫化钼纳米薄膜能带及功函数调控的第一性原理研究》一文中研究指出类石墨烯二维材料MoS_2,由于其新颖的结构特性和独特的物理性质从而被广泛应用于场效应晶体管、新型光电器件和自旋电子器件、传感、催化与清洁可再生能源等诸多领域。然而,在工业制备和应用过程中,MoS_2材料往往存在一些对其电学性能造成影响的因素:与电极接触的晶格失配应变、栅介质材料体空位和费米钉扎效应等。如何寻找高质量的MoS_2作为沟道材料仍然是薄膜晶体管领域的研究热点。本论文中,我们基于第一性原理计算方法系统地研究了关于不同厚度、硫原子空位和氧原子杂质的MoS_2薄膜及MoS_2(0001)/44′Au(111)堆迭结构的功函数与能带。主要内容如下:(1)首先研究了不同应变状态对MoS_2带隙的影响。压应变会使带隙先上升后下降,拉应变下降迅速。随着层数增加,带隙变化规律趋势一致。然后探索了不同层数和层间距离对MoS_2能带和功函数影响:随着层数增加,能带下降并趋向块体带隙。功函数局域有序,然而在平衡间距,功函数增加趋势较为明显。进一步,对带隙进行简单的量化表达。该量化表达式可以作为选取MoS_2的结构参数来调控MoS_2的带隙的理论依据。(2)计算了单层MoS_2的硫原子空位浓度的能带和电子功函数性质,主要分析了不同硫空位浓度的能带变化和电子功函数变化。随着空位浓度的增加,在能带性质方面,空位体系会使得带隙值下降,特殊的位置掺杂硫和氧原子会使MoS_2变成金属性质;在功函数方面,硫原子浓度增加使得功函数增加(由于基底原因有所偏差),氧原子浓度增加使得功函数小范围波动。为MoS_2精密器件应用提供了理论支撑。(3)通过建立Au/MoS_2堆迭结构的原子模型,研究了不同硫原子空位对其能带性质与等效功函数的影响。等效功函数随着硫原子浓度增加而增加,但增量变小。硫原子空位的引入可以降低肖特基势垒,使Au/MoS_2呈现欧姆接触类型。(本文来源于《湘潭大学》期刊2016-06-01）
王健[7]（2016）在《电子功函数的计算及其在材料表面电化学问题研究中的应用》一文中研究指出表面电化学是一个复杂的课题,它包括催化、氧化、吸附、腐蚀、场电子发射等一系列现象,一直是科学家们研究的一个热点。电化学现象一般伴随着电子的转移和流动,是一个阴极得电子阳极失电子的氧化还原过程。我们从与得失电子密切相关的物理量-电子功函数入手,利用第一原理密度泛函的方法,研究材料的电化学腐蚀和场激发性质。通过材料束缚电子能力来说明材料表面的电化学活性,从微观上揭示电化学现象发生的原因和趋势。本论文主要研究内容分为如下叁部分：(1)铝合金中经常会引入一些第二相来改善其性能,第二相颗粒由于和铝基体的电位差不同,将会对铝合金的局部腐蚀产生重大的影响。为了揭示铝合金腐蚀的物理本质,本文以2xxx和7xxx铝合金中常见的第二相颗粒为例,详细计算了铝合金中一些主要第二相(Al2Cu、Al3Ti和Al7Cu2Fe)的多种晶面的电子功函数,分析了电子从各个晶面逸出的难易,求得了第二相与Al基体的本征电势差。我们发现不同的晶面暴露在合金最外层时会显着地影响本征电势差；即便是同晶面,暴露在最外层的原子种类和构型不同,对腐蚀的影响也不一样,从电子的层面解释了电偶腐蚀发生的原因。本项利用片层(Slab)模型来研究铝合金表面腐蚀的成功事例,为从理论上研究其它合金的电偶腐蚀现象提供了一种可参考的方法。(2)材料表面由于直接和外界环境接触,其性质有时对整个材料的性能起着决定性的作用。电子功函数和表面能作为衡量材料表面性质的两个重要物理量,与表面的稳定、晶体的生长、晶界的形成、元素的偏聚等重要表面现象密切相关。材料表面本身具有各向异性,各种加工锻造手段使得材料表面的构成更加的复杂。因此,仅仅掌握和依靠少数几个密排面的电子功函数和表面能,不足以全面地阐明表面的性质。鉴于此,我们利用第一原理密度泛函的方法详尽地计算了元素周期表中19种主要体心(bcc)和面心(fcc)立方晶体的六种主要密排面的电子功函数和表面能,建立起了初步的数据库。并通过分析,得出电子功函数和表面能呈现粗糙的反比关系。(3)过渡族金属元素碳化物,尤其是HfC,由于具有高熔点、耐腐蚀和电子功函数低等优点,作为潜在场致电子发射材料受到了越来越多的关注。全面揭示和研究HfC材料的表面性质,对于了解其场发射性能至关重要。为此我们计算了其多个表面的电子功函数和表面能,分析了其表面得失电子的能力和稳定性。由于HfC为化合物,如何求解其极性表面(111)和(311)面的表面能是理论计算的一个难点,我们提出了一种新的方法来衡量其不同终结面的稳定性。另外,场致电子发射材料在应用的过程中,不可避免地会受到一些小分子吸附的影响。这些小分子的吸附会显着地改变表面的性质。我们讨论了氧原子在HfC(111)表面不同覆盖率下的吸附问题,发现当覆盖率低时,氧原子的吸附会使表面电子功函数反常降低,并利用Roman等提出的模型分析了电子功函数降低的原因。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2016-04-20）
钟克华[8]（2015）在《金属栅极及金属/高K栅功函数的磁场、电场、应力及界面微结构的调控》一文中研究指出在半导体集成电路的飞速发展中,金属-氧化物-半导体晶体管(MOSFET)的尺寸缩小遵循着摩尔定律(Moore's Law)。当到达45nm和32nm技术节点时,新一代金属/高K介质结构替代传统的多晶硅/Si02结构已成为事实。对金属栅材料的主要要求之一是具有合适的功函数。金属栅极功函数是金属/高K介质栅结构中最重要的参数之一,它影响器件的平带电压,决定MOSFET器件的阈值电压,从而决定器件的驱动性能。金属栅极功函数与诸多因素相关,不仅和栅极材料有关,而且与金属和高K介质之间的界面特性密切相关。界面化学成分、界面原子成键结构、界面缺陷、金属多晶纳米颗粒的晶向等都可能对金属栅极功函数产生大的影响。目前,对各个影响因素对功函数的影响机理还未作出全面深入的解释。在MOSFET器件当前和未来的发展中,如何有效地调控金属/高K介质栅结构的功函数仍然是一项挑战,也是一个重要课题。本论文基于第一性原理计算方法,研究了表面磁性组态、外加电场、应变、界面本征原子替位式掺杂和界面原子空位对金属栅极功函数的影响。主要研究结果如下：(1)对磁性金属栅极Cr/Fe(001)和C吸附Cr/Fe(001)体系的研究发现表面磁性组态对功函数有着重要的影响。不同C覆盖度的体系,Cr与Fe原子磁矩呈反平行态的功函数都比呈平行态的功函数小。C原子吸附使Cr/Fe(001)表面结构发生了较大的变化,导致功函数也发生了较大的变化。对Cr/Ni(111),Cr/Ni(100)和Cr/Ni(110)叁个磁性表面体系的研究再次证明了表面磁性组态对体系功函数有着重要的影响。结果还发现表面取向对体系功函数也有着重要的影响。我们的研究结果指出了改变磁性金属的表面磁性组态可能是一种调节金属功函数的可行的新方法。(2)对金属Ni(001)、Ni(111)薄层和高K介质HfO2(001)、HfO2(111)薄层的功函数及由它们组成的Ni(001)/HfO2(001)、Ni(111)/HfO2(111)界面体系有效功函数对外加电场的响应的研究发现,功函数都随外加电场强度呈线性变化。比较Ni、HfO2薄层和Ni/HfO2界面体系的功函数变化随外加电场强度的变化关系的斜率,发现Ni/HfO2界面体系有效功函数对外加电场的响应主要由Hf02电介质一侧对外加电场的响应决定。(3)研究了界面处存在不同化学缺陷(本征原子替位式掺杂和原子空位)的Ni/HfO2金属栅结构体系的稳定性和功函数。结果发现,①在Ni与HfO2结合形成Ni/HfO2界面时,O-Ni离子键结合形式优于Hf-Ni金属键结合形式。在O-Ni界面的形成过程中,少量O空位容易自发形成于O-Ni界面层,尤其是在富氧条件下。在Hf-Ni界面体系的界面层中容易出现Hf位而不容易存在Ni空位。②有效功函数强烈地依赖于界面微结构；对Hf-Ni体系,Ni原子替位界面层的Hf原子将使功函数增加,功函数对界面Hf空位很敏感,Hf空位使功函数升高,而对界面Ni空位不敏感；对O-Ni体系,界面O原子空位导致功函数下降。③有效功函数的变化量正比于界面偶极密度的变化量。我们从离子价态和局域态角度定性地分析和解释界面的本征原子替位式掺杂和原子空位如何影响有效功函数。研究结果表明了控制界面的本征原子替位式掺杂和原子空位(界面粗糙度)是调节Ni/HfO2界面有效功函数的一种有效的方法。(4)研究发现应变对Ni/HfO2金属栅结构功函数也产生了较大的影响。界面的功函数强烈地依赖于界面的结合类型和所受的应变模式；功函数的变化量随着应变量的增加线性地增大。研究结果表明了控制界面界面微结构和应变可以有效地调节Ni/HfO2的有效功函数。(本文来源于《福建师范大学》期刊2015-06-30）
闵雪,蒋方圆,覃飞,李在房,童金辉[9]（2015）在《PEI水溶液浸泡工艺:环保低成本制备低功函数电极》一文中研究指出聚乙烯亚胺(PEI)材料被广泛地用于制备低功函数电极。通常情况下,PEI修饰层是从PEI的2-甲氧基乙醇溶液中旋涂制备的。在这个工作中我们探索了在氧化铟锡(ITO)电极上制备PEI修饰层的新工艺。我们通过将ITO浸泡在PEI的水溶液来制备PEI修饰层。这种方法制备的PEI层同样可以有效降低ITO电极的功函数。H2O作为生产溶剂比2-甲氧基乙醇溶剂更环保并且更经济。浸泡的制备工艺也适合于大面积器件的生产。我们将PEI水溶液浸泡工艺处理过的ITO电极用于有机太阳能电池。结构为glass/ITO/PEI(dipping)/P3HT:ICBA/PEDOT:PSS(vacuum-free processing)的电池在100 mW/cm~2的光照下呈现出高开路电压0.86±0.01 V,高填充因子66±2%和4.4±0.3%的效率。~(1,2)(本文来源于《第二届新型太阳能电池学术研讨会论文集》期刊2015-05-23）
姬德朋,王绍青[10]（2015）在《第一原理方法研究六方晶系金属表面功函数和表面能》一文中研究指出对Be,Mg,Ti和Zr 4种六方结构的纯金属进行不同表面的功函数和表面能的计算.结果表明,对于这4种金属而言,不同表面取向之间的功函数和表面能差别很大,其中(0001)表面的功函数最高,表面能最低,(0111)表面的功函数最低,表面能最高;同族的2种金属,其不同表面的功函数F变化规律相似,表现为:F(0001)>F(0221)>F(1010)>F(1231)>F(1230)>F(0111),而表面能g的变化规律完全相反,表现为:g(0001)<g(0221)<g(1010)<g(1231)<g(1230)<g(0111);同族的2种金属,原子序数大的金属,其同一表面取向的功函数和表面能都要相对另一种金属的小.(本文来源于《金属学报》期刊2015年05期）
功函数论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为比较X射线光电子能谱(XPS)与紫外光电子能谱(UPS)测量材料功函数结果间的差异,依次对经氩离子清洁表面吸附层的Au、Ag薄膜样品和单晶硅片,以及未进行表面清洁的Au、Ag、MoO_3薄膜样品,单晶硅片及ITO导电玻璃的功函数进行测量。给出了XPS和UPS测量功函数的计算方法,并探讨了影响材料功函数测量结果不确定性的因素。研究发现XPS及UPS在测量表面清洁的金属样品时,测量结果基本一致,具有较高的准确度,表面清洁的Au、Ag样品一经暴露空气后其表面覆盖一层吸附层,功函数很快发生变化。利用UPS或XPS测量金属和半导体的功函数时应避免暴露空气,若金属样品在空气中暴露时建议使用氩离子清洁表面。研究结果对科研人员按实际测试需求合理选择测量方法具有一定的指导意义。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
功函数论文参考文献
[1].薛佳帆,戴良,陈霖凯,吕伟锋.金属栅功函数变异对纳米MOSFET模拟/射频性能影响的统计分析[J].计算机辅助设计与图形学学报.2018
[2].陈瑜,龚力,杜相,陈思,谢伟广.XPS与UPS测量几种材料功函数的比较[J].分析测试学报.2018
[3].朱瑞,赵志娟,安辰杰,徐军.表面吸附污染对多晶铜和金功函数的影响[J].电子显微学报.2018
[4].曹羽鑫,李光强,侯延辉.夹杂物不同晶面诱导点蚀机理与功函数的关系[C].第十一届中国钢铁年会论文集——S06.钢铁材料.2017
[5].宋新祥,孙宇,李春,元光.碱金属和氯吸附原子对石墨烯功函数影响的第一性原理研究[C].2016真空电子学分会第二十届学术年会论文集（下）.2016
[6].谢杜兴.二硫化钼纳米薄膜能带及功函数调控的第一性原理研究[D].湘潭大学.2016
[7].王健.电子功函数的计算及其在材料表面电化学问题研究中的应用[D].中国科学技术大学.2016
[8].钟克华.金属栅极及金属/高K栅功函数的磁场、电场、应力及界面微结构的调控[D].福建师范大学.2015
[9].闵雪,蒋方圆,覃飞,李在房,童金辉.PEI水溶液浸泡工艺:环保低成本制备低功函数电极[C].第二届新型太阳能电池学术研讨会论文集.2015
[10].姬德朋,王绍青.第一原理方法研究六方晶系金属表面功函数和表面能[J].金属学报.2015
论文知识图
