导读:本文包含了衬底温度论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:衬底,温度,薄膜,磁控溅射,光电,性能,氮化物。
衬底温度论文文献综述
张海燕[1]（2019）在《衬底温度和电子传输层对钙钛矿电池性能的影响》一文中研究指出钙钛矿吸光层是钙钛矿太阳能电池中至关重要的一层,钙钛矿薄膜的形貌和结晶质量是制备高转换效率和高稳定性器件的关键因素。改善钙钛矿薄膜的结晶质量将会推动钙钛矿太阳能电池更进一步的发展,短短几年的时间内,钙钛矿太阳能电池已经能得到很高的转换效率通过调控钙钛矿层的结晶质量。本文以钙钛矿平面型结构电池为模型,通过控制旋涂钙钛矿薄膜前的衬底温度研究钙钛矿薄膜的结晶过程,对电子传输层材料掺杂优化电子传输层与钙钛矿层的界面接触,改善了钙钛矿层的结晶质量,从而提高其器件的转换效率和稳定性。具体研究内容如下:首先,通过控制温度来控制钙钛矿薄膜质量是最简单,成本最低的一种方式。在钙钛矿层制备过程中,涂膜前的衬底温度会影响钙钛矿薄膜的结晶质量。本文选用混合离子(FAPbI_3)_(0.85)(MAPbBr_3)_(0.15)做钙钛矿层材料,在使用一步旋涂法制备钙钛矿薄膜之前,分别把衬底加热到不同的温度,得到不同结晶质量的薄膜。随着衬底温度的升高,钙钛矿薄膜表面形貌由最初的纯树枝状结构逐渐变化为树枝状和岛状混合的结构,岛的出现增加了钙钛矿层的表面粗糙度以及缺陷态密度,降低器件的性能,合适的衬底温度可以得到高结晶质量的薄膜。通过XRD分析,随着衬底温度的升高,钙钛矿薄膜由最初的纯中间相变为中间相和钙钛矿δ相的混合态。退火后钙钛矿薄膜的结晶质量也受衬底温度的影响。本文研究了衬底温度影响钙钛矿相的组成以及钙钛矿薄膜形貌的变化,重点研究了衬底温度通过影响溶剂的挥发,改变了薄膜的结晶质量,导致薄膜形貌发生变化的过程。其次,衬底温度也会影响钙钛矿薄膜的光吸收能力、钙钛矿电池的光电转换效率以及稳定性。衬底温度改变钙钛矿薄膜的结晶质量,导致薄膜的厚度以及表面粗糙度等也发生相应的变化,影响了器件的光电转换效率。本文系统的研究了衬底温度对钙钛矿电池的光吸收、电荷传输、界面缺陷等影响,合适的衬底温度可以得到高转换效率和高稳定性的器件。本文的研究将为刮涂法制备大面积钙钛矿太阳能电池提供有价值的参考。最后,电子传输层作为底层薄膜,与钙钛矿层的能带匹配、界面接触对钙钛矿太阳能电池至关重要。本文以SrSnO_3为模板,研究了La掺杂SrSnO_3(La-SrSnO_3)作电子传输层材料对钙钛矿层结晶质量以及钙钛矿太阳能电池性能的影响。SrSnO_3和La-SrSnO_3不需要高温烧结,降低了制造成本。La掺杂SrSnO_3之后,改善了电子传输层和钙钛矿层的形貌,钙钛矿层的结晶取向、光吸收能力、载流子寿命、光电转换能力等。掺杂后的电子传输层表面更加平整均匀,与钙钛矿层形成了更好的界面接触,改善了钙钛矿层的结晶质量,从而提高了器件的性能。La-SrSnO_3基的钙钛矿电池最终能达到18.7%的效率,这就意味着La-SrSnO_3作电子传输材料有较好的应用前景。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
孙顶,李玉丽,王凌群,张玉红,刘航[2]（2019）在《衬底温度对共蒸发法制备Cu_2ZnSnSe_4太阳电池的影响》一文中研究指出采用共蒸发法在不同衬底温度下沉积Cu_2ZnSnSe_4(简称CZTSe)薄膜,分析了衬底温度对CZTSe材料性质及电池性能的影响。研究表明:当衬底温度较低时(380℃),CZTSe薄膜中含有SnSe_x使电池失效;随着衬底温度的升高,CZTSe薄膜的结晶质量明显提升,电池开路电压增加。但当衬底温度达到460℃时,电池的转换效率反而下降;结合CZTSe的生长机理及器件模型分析了电池效率下降可能的原因。最终在衬底温度420℃的条件下制备出效率为3.12%(有效面积0.34 cm~2)的CZTSe太阳电池。(本文来源于《发光学报》期刊2019年03期）
赵学平,张铭,白朴存,侯小虎,刘飞[3]（2019）在《衬底温度对CuCrO_2薄膜结构及光电性能的影响》一文中研究指出采用射频磁控溅射方法,在石英衬底上制备CuCrO_2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外吸收光谱以及电导率的测定,表征不同衬底温度沉积薄膜样品的结构与光电性能。结果表明:薄膜的结晶度、可见光透过率与室温电导率均随衬底温度的升高而增大。衬底温度升高至923 K后,薄膜由非晶转变为具有铜铁矿结构的单相CuCrO_2。1023 K沉积的薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为50%,室温电导率为0.33 S/cm。在近室温区(150～300 K),1023 K沉积薄膜导电规律符合半导体热激活模式,激活能为0.04 eV。(本文来源于《中国有色金属学报》期刊2019年02期）
何双赐,钟志成,魏彦锋,汪竞阳,张旭明[4]（2019）在《衬底温度对共溅射法制备TZO薄膜光电性能的影响》一文中研究指出以金属Ti和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备Ti掺杂ZnO(TZO)透明导电薄膜,探究了衬底温度对薄膜光电性能的影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪对薄膜微观形貌、结构及光电性能进行了表征和分析。结果表明:制备的TZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,衬底温度为350℃时TZO薄膜结晶质量最好,电阻率最小,为2.78×10~(-3)Ω·cm,品质因子最高,达到334.1S/cm。所有薄膜样品在波长380～780nm区间平均透过率大于91%,随着衬底温度的升高,TZO薄膜的吸收边出现了蓝移。(本文来源于《化工新型材料》期刊2019年01期）
张见,陈星佑,顾溢,龚谦,黄卫国[5]（2018）在《InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化（英文）》一文中研究指出利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手段进行了表征.结果表明,InAlAs异变缓冲层的生长温度越低,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽就越宽,外延层和衬底之间的倾角就越大,同时样品表面粗糙度越高.这意味着材料的缺陷增加,弛豫不充分.对于生长在具有相同生长温度的InAlAs异变缓冲层上的In0.83Ga0.17As外延层,采用较高的生长温度时,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽较小,77K下有更强的光致发光,但是表面粗糙度会有所增加.这说明生长温度提高后,材料中的缺陷得到抑制.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2018年06期）
何双赐,钟志成,汪竞阳,魏彦锋[6]（2018）在《衬底温度对共溅射制备AZO薄膜光电性能影响》一文中研究指出以Al金属和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射的方法在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)透明导电薄膜,采用X线光电子能谱仪、X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和霍耳效应测试仪对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行了表征和分析,探究了不同衬底温度对薄膜光电性能的影响。结果表明,所制备的AZO薄膜均具有c轴取向生长的六角纤锌矿结构,在衬底温度为300℃时AZO薄膜结晶质量最好,电阻率最低(为1.43×10-3Ω·cm)。所有样品薄膜在380~780nm区间平均透过率大于90%,随着衬底温度的升高,AZO薄膜的吸收边出现了蓝移。(本文来源于《压电与声光》期刊2018年05期）
张雄,王箫扬,刘斌,张富春,张水利[7]（2018）在《衬底温度和N_2流量比对SI基GaN薄膜的影响》一文中研究指出为了获得高质量的GaN薄膜,首先用射频磁控溅射的方法在Si基片合成Ga_2O_3薄膜,再通过高温氨化法与NH_3自组装形成GaN薄膜。然后分别用扫描电子显微镜和X-射线衍射仪对薄膜的形貌和结构进行了表征。结果发现GaN薄膜是纤锌矿结构并沿着晶面(002)方向择优生长。GaN薄膜的生长速率随着衬底温度的升高逐渐下降,结晶质量随着衬底温度的升高逐渐变差。同时晶粒表面较为平整;随着N_2流量比的适量增加,薄膜的结晶质量提高,晶体颗粒较为均匀,通过分析薄膜的生长机理,给出了GaN薄膜的最佳工艺条件。(本文来源于《当代化工》期刊2018年09期）
李洁,胡文波,王康,高步宇,李菲[8]（2018）在《衬底温度对MgO/Au复合薄膜二次电子发射特性的研究》一文中研究指出本文采用反应磁控溅射的方法制备了MgO/Au复合薄膜,并研究了衬底温度对MgO/Au复合薄膜的表面形貌和二次电子发射特性的影响。实验结果表明,提高衬底温度有利于MgO晶粒的生长和MgO/Au复合晶粒的形成,但会导致表面粗糙度的增加。较高温度下制备的Mg O/Au复合薄膜具有更高的二次电子发射系数,而且在电子束持续轰击下能更长时间地保持较高的二次电子发射系数。衬底温度为500℃下制备的MgO/Au复合薄膜在200 eV下的二次电子发射系数为4.9,其最大的二次电子发射系数达到11.5。(本文来源于《中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会论文集》期刊2018-08-23）
郑卫峰,谢玲玲,林丽梅,陈水源,黄志高[9]（2018）在《衬底温度对Zn_(0.97)Cr_(0.03)O薄膜的结构和发光及磁性的影响》一文中研究指出采用PLD的方法在衬底温度为300,400,500,600℃下制备了Zn_(0.97)Cr_(0.03)O薄膜。利用X射线衍射仪、AFM、荧光光谱仪、VSM研究衬底温度对薄膜的结晶、表面形貌、内在缺陷、磁性的影响.实验结果表明:所有薄膜都具有(002)峰择优取向,且400℃下制备的薄膜最为平整;4个样品都存在光激发,300℃的发光强度最强、400℃次之,而500℃和600℃的发光强度明显减弱,这些与样品中缺陷态有密切的关系;4个样品都具有室温铁磁性,且随着衬底温度的增加饱和磁化强度Ms先增加后减小,400℃下制备的薄膜具有最大的饱和磁化强度,这些磁性变化与样品中Zn空位和Cr~(3+)浓度变化有密切关系.(本文来源于《福建师范大学学报(自然科学版)》期刊2018年04期）
杨克蒋,张国庆,汪亮兵,罗永春[10]（2018）在《衬底温度对FeCrCoNiMn高熵合金氮化物薄膜组织结构和电性能的影响》一文中研究指出采用射频反应磁控溅射法在Si(100)衬底上制备出纳米晶高熵合金FeCrCoNiMn氮化物薄膜,结合场发射扫描电子显微镜(FESEM)、电子显微探针(EPMA)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)及四点探针(FPP)研究了衬底温度(40、300、500℃)对沉积薄膜的表面形貌、化学组成、微观结构和导电性能的影响。结果表明,衬底温度对高熵合金FeCrCoNiMn-N薄膜的形貌、组织结构和导电性能有显着影响。随衬底温度的升高,薄膜的表面粗糙度和颗粒/晶粒尺寸增大;与氮反应沉积后,含氮高熵合金薄膜中形成了Mn3N2、MnN、Cr2N和CrN金属氮化物,而Fe、Ni和Co元素则以Fe-Ni-Co合金相形式存在。不含氮合金薄膜其电阻率高达131.78mΩ·cm,加入氮沉积后,随衬底温度的增加,含氮薄膜的电阻率逐渐减小(6.14~0.43mΩ·cm),含氮合金薄膜的电阻率明显小于合金靶材的沉积膜,衬底温度500℃时薄膜的电阻率达到最小值0.43mΩ·cm。(本文来源于《金属功能材料》期刊2018年02期）
衬底温度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用共蒸发法在不同衬底温度下沉积Cu_2ZnSnSe_4(简称CZTSe)薄膜,分析了衬底温度对CZTSe材料性质及电池性能的影响。研究表明:当衬底温度较低时(380℃),CZTSe薄膜中含有SnSe_x使电池失效;随着衬底温度的升高,CZTSe薄膜的结晶质量明显提升,电池开路电压增加。但当衬底温度达到460℃时,电池的转换效率反而下降;结合CZTSe的生长机理及器件模型分析了电池效率下降可能的原因。最终在衬底温度420℃的条件下制备出效率为3.12%(有效面积0.34 cm~2)的CZTSe太阳电池。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
衬底温度论文参考文献
[1].张海燕.衬底温度和电子传输层对钙钛矿电池性能的影响[D].电子科技大学.2019
[2].孙顶,李玉丽,王凌群,张玉红,刘航.衬底温度对共蒸发法制备Cu_2ZnSnSe_4太阳电池的影响[J].发光学报.2019
[3].赵学平,张铭,白朴存,侯小虎,刘飞.衬底温度对CuCrO_2薄膜结构及光电性能的影响[J].中国有色金属学报.2019
[4].何双赐,钟志成,魏彦锋,汪竞阳,张旭明.衬底温度对共溅射法制备TZO薄膜光电性能的影响[J].化工新型材料.2019
[5].张见,陈星佑,顾溢,龚谦,黄卫国.InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化（英文）[J].红外与毫米波学报.2018
[6].何双赐,钟志成,汪竞阳,魏彦锋.衬底温度对共溅射制备AZO薄膜光电性能影响[J].压电与声光.2018
[7].张雄,王箫扬,刘斌,张富春,张水利.衬底温度和N_2流量比对SI基GaN薄膜的影响[J].当代化工.2018
[8].李洁,胡文波,王康,高步宇,李菲.衬底温度对MgO/Au复合薄膜二次电子发射特性的研究[C].中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会论文集.2018
[9].郑卫峰,谢玲玲,林丽梅,陈水源,黄志高.衬底温度对Zn_(0.97)Cr_(0.03)O薄膜的结构和发光及磁性的影响[J].福建师范大学学报(自然科学版).2018
[10].杨克蒋,张国庆,汪亮兵,罗永春.衬底温度对FeCrCoNiMn高熵合金氮化物薄膜组织结构和电性能的影响[J].金属功能材料.2018
论文知识图
