电子发射体论文_薛颖莹

导读:本文包含了电子发射体论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:电子,耐高温,表面,电子枪,原理,不相容,氧化镁。

电子发射体论文文献综述

薛颖莹[1](2015)在《氧化镁二次电子发射体测试方法研究》一文中研究指出电子倍增器在质谱技术、真空技术、空间探测以及在铯原子频标中,都具有非常广泛的应用。它是一种可以对入射电荷信号进行放大的真空管装置,其中包括具有二次电子发射特性的样品部分和用于发射原电子的电子枪部分。当电子束轰击具有二次电子发射特性的样品(如氧化镁),其表面可逸出电子,这种电子被称为二次电子,其数量与原电子的数量、能量等具有一定关系。为了可以制备出性能良好的电子倍增器,本文对氧化镁二次电子发射机制与特性、电子枪部分的内部电场分布和电子轨迹模拟进行分析与研究。氧化镁二次电子发射特性是电子倍增器中较为重要的部分,但目前,国内相关研究较少。为此,有必要对氧化镁二次电子发射系数的理论研究和实验测量。本文对其进行了初步的分析与计算,确定了部分二次电子发射的影响因素。为了更加深入地研究氧化镁二次电子发射特性,有必要对氧化镁二次电子发射系数进行实验测量。为此,对原电子的发射装置—电子枪进行研究十分重要。我们对电子枪内部电势分布和原电子轨迹进行了计算和模拟。本文的计算软件是MATLAB软件。计算电子枪内部的电场分布时运用的是有限差分法。模拟电子轨迹时,运用龙格库塔法。编写出这两部分程序后,得到的结果可以为后续实验提供直观、高效的参考方案。我们对二次电子发射系数进行测量,得到了较为满意的实验结果,并对相关误差来源进行分析。(本文来源于《浙江大学》期刊2015-05-01)

树华[2](2013)在《相干的全同电子发射体》一文中研究指出法国科学家研制出一种能产生相干的全同电子的方法。研究人员制造了一个小的发射电子芯片,用来产生由处于相同量子态的两个不同的源所发射的两个单电子。这种技术是研究和开发基于电子的量子信息处理技术的关键。电子是费米子,因此必须服从泡利不相容原理,这个原理禁止全同费米子处于相同状态,这就导致费米子之间的反关联。虽然这一点在几十(本文来源于《物理》期刊2013年06期)

刘光诒,李宏彦,夏善红,吕永积,王建英[3](2008)在《碳场电子发射体的应用研究》一文中研究指出本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VME/VNE)领域内获得成功的方面。研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(CFE)与平滑型碳场电子发射体(SCFE)的氖发光管,采用平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)、阵列硅场电子发射体(Si-FEA)的封离式全玻璃平板真空荧光光源管(FP-VFLT),采用寻址式碳纳米管(CNT)薄膜阵列场电子发射体(CNT-FEA)的封离式全玻璃平板摄像管(FCT)与平板显像管(FDT),采用碳纳米管(CNT)薄膜场电子发射体的封离式全玻璃超薄平板字符管(FCT)。碳场电子发射体的应用研究工作也涉及到一种商用真空X射线管,及大面积碳纳米管(CNT)薄膜作为微波吸收材料的初步探讨。本文报导了这些研究工作达到的阶段成果。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2008年S1期)

刘光诒,李宏彦,夏善红,吕永积,王建英[4](2007)在《碳场电子发射体的应用研究》一文中研究指出近年来随着真空微纳电子学 VMNE(Vacuum Micro-Nanoelectronics)与碳纳米管薄膜 CNT(Carbon Nanometer Tube)技术的高速发展,涌现出不同形态的碳纳米管 CNT 薄膜与各类碳发射材料,使处于元素周期表第四族首位的碳元素,作为新型电子发射材料再次升温,但发射性能已远超过它上世纪的指标。本文将叙述我们跟踪这一国际发展的脚步,报导我们开拓研制几种碳场电子发射体的情况,其中包括平滑型耐高温碳场电子发射体 SCFE(Smooth High Temperature Resistant Carbon Field Emitter),耐高温碳场电子发射体 CFE(Carbon Field Emitter),碳纳米管薄膜场电子发射体 CNT(Carbon Nanometer Tube Field Emitter), 寻址式阵列碳纳米管场电子发射体 CNT-FEA(carbon Nanometer Tube-Field Emission Array)。介绍这些碳场电子发射体在真空电子学、真空微纳电子学 VMNE 领域应用的可喜成果。如在玻璃氖发光管内采用耐高温碳场电子发射体 CFE 与 SCFE,导致了放电阈值电压的降底。研制了采用平滑型耐高温碳场电子发射体 SCFE、阵列硅场电子发射体 Si-FEA 的封离式全玻璃平板真空荧光光源管 FP-VFLT(Flat Panel Vacuum Fluorescent Light Tube), 实现了6-7毫米厚的平板玻璃管的设计,制作与密封工艺。研制了采用寻址式阵列碳纳米管 CNT 薄膜阴极的封离式全玻璃10×10平板摄像管 FPC(Flat Panel Camera)及平板显像管 FPD(Flat Panel Display),实现了6-7毫米厚的这类型平板玻璃器件的设计与制作工艺。研制了采用碳纳米管 CNT 薄膜场电子发射体的封离式全玻璃超薄平板字符显示管 FCT(Flat Panel Character Display),完成了4毫米厚的平板玻璃器件的设计,制作与密封工艺。实现了静态工作制式下,二种字符(中文,英文),一种图形(一朵六瓣的花)的显示。研制了采用 CFE 与 SCFE 作场发射体的160KV 圆锥靶真空脉冲 X 射线管,目前己满足商用。试验的碳纳米管 CNT 薄膜/不锈钢样品(14×14mm~2)在(5-10)GHz 微波频段内获得了(5-10) dB 的微波吸收等。本文报导了这些研究工作达到的阶段成果。(本文来源于《TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2007-08-01)

许玉杰,李晴暖,朱然,朱本兴,张勇平[5](2000)在《俄歇电子发射体~(67)Ga-EDTMP对骨肉瘤细胞株辐射效应的形态学变化》一文中研究指出目的 研究俄歇电子发射体67Ga-EDTMP对人骨肉瘤细胞株 (HOS - 86 0 3)的辐射效应 ,探讨67Ga作为原发肿瘤和骨转移癌内照射治疗核素的可能性。方法 用成集落实验和透射电镜研究受照细胞的形态变化。结果 发现67Ga-EDTMP对肿瘤细胞有明显的杀伤和抑制增殖作用 ,并随剂量的加大 ,抑制效率增加 ;倒置显微镜下细胞集落数量减少 ,集落偏小 ,细胞稀疏。电镜下胞浆中空泡形成 ,细胞溶解、坏死 ,细胞核固缩 ,出现典型的细胞凋亡改变 ,形成凋亡小体。结论 67Ga可能是一种有前途的骨肉瘤和骨转移癌的放射性治疗核素(本文来源于《苏州医学院学报》期刊2000年12期)

潘奇汉[6](1995)在《浸渍钨次级电子发射体冷阴极材料》一文中研究指出冷阴极材料由多孔钨、浸渍氧化物而制成。冷阴极材料最大次级电子发射系数δmax=4.3;相对应的电子能量E_o=400eV;第一交叉点的能量约50eV。(本文来源于《稀有金属》期刊1995年04期)

王成,陈其略,王亦曼[7](1991)在《实用Cu-Al-Mg合金次级电子发射体的表面研究》一文中研究指出一、引言随着电子技术的发展,次级电子发射现象已经广泛地应用到各个领域中(如光电倍增管,电子倍增器,磁控管,正交场放大器,图像增强器等等),因而引起了很多学者的极大兴趣,并且进行了大量的研究工作。本文所研究的Cu-Al-Mg合金型次级电子发射体是用于正交场放(本文来源于《真空科学与技术》期刊1991年05期)

李望,展振宗,马玉芳,张宗健,宋松[8](1986)在《电子能谱法研究CuBe(O)二次电子发射体》一文中研究指出利用PHI-550型多功能电子谱仪研究了Cu-Be合金活化后的CuBe(O)样品。结果表明:(1)Cu-Be合金活化后,表面生成较为纯净的BeO层。氧化使得ESCA Be 1 S峰由111.6eV(电子结合能)移至113.6eV,使得Be KLL Auger峰由104eV(电子动能)移至约93eV;(2)Cu、Be组分在活化过程中均通过初始界面向外迁移,但二者机制有别;(3)BeO膜在电子束轰击下有解离发生。此外,利用不同能量电子的逃逸深度差,测算出800℃活化样品的BeO膜厚度约为24(?)。(本文来源于《真空科学与技术》期刊1986年01期)

H.Ahmed,曹香媛[9](1974)在《六硼化镧电子发射体》一文中研究指出作者们测量了热压的高密度的六硼化镧捧阴极的发射性质。在真温度1680℃时获得100安/厘米~2的电流密度。寿命试验表明,使用期限超过200小时,发射密度大于50安/厘米~2。发现从阴极建立最初的发射是一个逐步的过程,同时直到差不多过了60分钟才得到最终的发射值。但接着把阴极加热到工作温度时就立即得到了全发射。用扫描电子显微镜检验了阴极最初发射和工作期间的表面组织。发现,表面蒸发显露出鲜明晶粒边界时,也是从阴极得到全发射密度的时候。如果阴极加热到工作温度而不引起发射,则材料的表面上出现刻面小丘,这就是材料的结晶性质。这种组织在发射后就刻蚀掉。那种所谓镧要从选择的发射位置上蒸发的理论是得不到证据的。在操作中整个的LaB_6表而蒸发,并有一定数量的物质显露出来。这种物质大概含有钨,当操作连续进行时,它就在表面逐渐积骤起来。(本文来源于《稀土与铌》期刊1974年04期)

电子发射体论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

法国科学家研制出一种能产生相干的全同电子的方法。研究人员制造了一个小的发射电子芯片,用来产生由处于相同量子态的两个不同的源所发射的两个单电子。这种技术是研究和开发基于电子的量子信息处理技术的关键。电子是费米子,因此必须服从泡利不相容原理,这个原理禁止全同费米子处于相同状态,这就导致费米子之间的反关联。虽然这一点在几十

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

电子发射体论文参考文献

[1].薛颖莹.氧化镁二次电子发射体测试方法研究[D].浙江大学.2015

[2].树华.相干的全同电子发射体[J].物理.2013

[3].刘光诒,李宏彦,夏善红,吕永积,王建英.碳场电子发射体的应用研究[J].真空科学与技术学报.2008

[4].刘光诒,李宏彦,夏善红,吕永积,王建英.碳场电子发射体的应用研究[C].TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2007

[5].许玉杰,李晴暖,朱然,朱本兴,张勇平.俄歇电子发射体~(67)Ga-EDTMP对骨肉瘤细胞株辐射效应的形态学变化[J].苏州医学院学报.2000

[6].潘奇汉.浸渍钨次级电子发射体冷阴极材料[J].稀有金属.1995

[7].王成,陈其略,王亦曼.实用Cu-Al-Mg合金次级电子发射体的表面研究[J].真空科学与技术.1991

[8].李望,展振宗,马玉芳,张宗健,宋松.电子能谱法研究CuBe(O)二次电子发射体[J].真空科学与技术.1986

[9].H.Ahmed,曹香媛.六硼化镧电子发射体[J].稀土与铌.1974

论文知识图

等离子体中35GHz、96GHz电磁波衰减对...解滨制作的微型X射线源解滨着重讨论...圆形电子注的群聚图电子在阳极柱上沉积的能量分布图中叁条曲线分别表示的是模拟条件分别...阳极的整体结构图

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