LVDT/RVDT传感器测量卡论文和设计-宋俊

全文摘要

本实用新型公开了一种LVDT\/RVDT传感器测量卡,包括控制模块,所述LVDT\/RVDT传感器测量卡还包括激励信号发生电路模块、ADC模块、参考电路电压模块、DAC模块和感应信号采集电路模块,控制模块分别与ADC模块和DAC模块连接,参考电路电压模块分别与ADC模块和DAC模块连接,感应信号采集电路模块与ADC模块连接,激励信号发生电路模块与DAC模块连接。本实用新型可以连接4\/5\/6线的LVDT和RVDT传感器进行测量,可用于LVDT\/RVDT系统的测试测量,本实用新型可用于EP‑H5605。

设计图

LVDT/RVDT传感器测量卡论文和设计

相关信息详情

申请码:申请号:CN201921086723.2

申请日:2019-07-12

公开号:公开日:国家:CN

国家/省市:90(成都)

授权编号:CN209877876U

授权时间:20191231

主分类号:G01B7/02

专利分类号:G01B7/02;G01B7/30

范畴分类:申请人:成都恩菲特科技有限公司

第一申请人:成都恩菲特科技有限公司

申请人地址:610000 四川省成都市高新区科园二路10号航利研发中心3栋1单元5楼

发明人:宋俊;华伟

第一发明人:宋俊

当前权利人:成都恩菲特科技有限公司

代理人:赵雷

代理机构:51276

代理机构编号:成都蓉创智汇知识产权代理有限公司 51276

优先权:关键词:当前状态:审核中

类型名称:外观设计

标签:;  ;  

LVDT/RVDT传感器测量卡论文和设计-宋俊
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