导读:本文包含了背栅效应论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:效应,衬底,剂量,沟道,产出率,空穴,阈值。
背栅效应论文文献综述写法
李燕妃,朱少立,吴建伟,徐政,洪根深[1]（2019）在《抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究》一文中研究指出通过对高压SOI NMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOI NMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显着降低直至消失。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年02期）
周昕杰,李蕾蕾,周毅,罗静,于宗光[2]（2012）在《辐照下背栅偏置对部分耗尽型绝缘层上硅器件背栅效应影响及机理分析》一文中研究指出基于部分耗尽型绝缘层上硅(SOI)器件的能带结构,从电荷堆积机理的电场因素入手,为改善辐照条件下背栅Si/SiO_2界面的电场分布,将半导体金属氧化物(MOS)器件和平板电容模型相结合,建立了背栅偏置模型.为验证模型,利用合金烧结法将背栅引出加负偏置,对NMOS和PMOS进行辐照试验,得出:NMOS背栅接负压,可消除背栅效应对器件性能的影响,改善器件的前栅I-V特性;而PMOS背栅接负压,则会使器件的前栅I-V性能恶化.因此,在利用背栅偏置技术改善SOI/NMOS器件性能的同时,也需要考虑背栅偏置对PMOS的影响,折中选取偏置电压.该研究结果为辐照条件下部分耗尽型SOI/MOS器件背栅效应的改善提供了设计加固方案,也为宇航级集成电路设计和制造提供了理论支持.(本文来源于《物理学报》期刊2012年20期）
乔明,张波,李肇基,方健,周贤达[3]（2007）在《背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响》一文中研究指出提出一种SOI基背栅体内场降低BGREBULF(back-gate reduced BULkfield)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从而突破习用结构的纵向耐压限制,提高器件的击穿电压.借助二维数值仿真,分析背栅效应对厚膜高压SOI LDMOS(>600V)击穿特性的影响,在背栅电压为330V时,实现器件击穿电压1020V,较习用结构提高47.83%.该技术的提出,为600V以上级SOI基高压功率器件和高压集成电路的实现提供了一种新的设计思路.(本文来源于《物理学报》期刊2007年07期）
郭惠,杨瑞霞,付浚,刘力锋[4]（2001）在《GaAs MESFET中的背栅效应》一文中研究指出随着集成电路集成度的提高 ,器件间距不断减小 ,在 Ga As MESFET中产生了一种被称为背栅效应的有害寄生效应。由于器件间距越来越小 ,某一个器件的电极可能就是另一个器件的背栅 ,背栅效应影响了集成电路集成度的提高 ,因此背栅效应在国内外引起了重视。本文介绍了背栅效应及其可能的起因(本文来源于《半导体情报》期刊2001年05期）
刘汝萍,夏冠群,赵建龙,翁建华,张美圣[5]（2000）在《半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应》一文中研究指出设计了一套适用于二种工艺（离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺）的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺杂的半绝缘ＧａＡｓ 衬底上制备ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴｓ 器件．研究了这二种不同工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ 器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小．结果表明，采用离子注入隔离工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ 器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备ＭＥＳＦＥＴｓ器件的背栅效应小，背栅效应的大小与距离近似成反比，采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大．(本文来源于《半导体学报》期刊2000年01期）
刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余[6]（1999）在《背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响》一文中研究指出研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响．结果表明，背栅效应使ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小，均匀性变差．(本文来源于《半导体学报》期刊1999年12期）
周婷俐[7]（1992）在《二维短沟道SOI-MOSFET器件的背栅效应》一文中研究指出文内提出了一种正确的直流稳态二维短沟道SOI-MOSFET器件的数值模型。所选用的基本方程是:泊松方程、两种载流子的电流连续性方程和电流密度方程。这个模型从SOI器件的特殊结构出发,着重考虑了复合-产出率对器件内部参数的影响,分析了SOI-MOSFET器件的背栅效应以及I-V特性的扭曲(Kink)效应产生的机理。(本文来源于《中南矿冶学院学报》期刊1992年06期）
赵大德[8]（1989）在《GaAs MESFET的背栅效应研究》一文中研究指出本文着重研究了分立GaAc耗尽型MESFET背栅效应的光敏性和尺寸效应。本文还采用一种实验方法——器件在光照下,观察栅压的调制作用,解释了背栅效应机理。不同栅压下,背栅效应的大小不同,零栅压下的背栅效应比负栅偏压下的背栅效应更小。发现衬底峰值电流与背栅效应有密切关系。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1989年02期）
背栅效应论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于部分耗尽型绝缘层上硅(SOI)器件的能带结构,从电荷堆积机理的电场因素入手,为改善辐照条件下背栅Si/SiO_2界面的电场分布,将半导体金属氧化物(MOS)器件和平板电容模型相结合,建立了背栅偏置模型.为验证模型,利用合金烧结法将背栅引出加负偏置,对NMOS和PMOS进行辐照试验,得出:NMOS背栅接负压,可消除背栅效应对器件性能的影响,改善器件的前栅I-V特性;而PMOS背栅接负压,则会使器件的前栅I-V性能恶化.因此,在利用背栅偏置技术改善SOI/NMOS器件性能的同时,也需要考虑背栅偏置对PMOS的影响,折中选取偏置电压.该研究结果为辐照条件下部分耗尽型SOI/MOS器件背栅效应的改善提供了设计加固方案,也为宇航级集成电路设计和制造提供了理论支持.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
背栅效应论文参考文献
[1].李燕妃,朱少立,吴建伟,徐政,洪根深.抗辐射高压SOINMOS器件的背栅效应研究[J].电子与封装.2019
[2].周昕杰,李蕾蕾,周毅,罗静,于宗光.辐照下背栅偏置对部分耗尽型绝缘层上硅器件背栅效应影响及机理分析[J].物理学报.2012
[3].乔明,张波,李肇基,方健,周贤达.背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响[J].物理学报.2007
[4].郭惠,杨瑞霞,付浚,刘力锋.GaAsMESFET中的背栅效应[J].半导体情报.2001
[5].刘汝萍,夏冠群,赵建龙,翁建华,张美圣.半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应[J].半导体学报.2000
[6].刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余.背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响[J].半导体学报.1999
[7].周婷俐.二维短沟道SOI-MOSFET器件的背栅效应[J].中南矿冶学院学报.1992
[8].赵大德.GaAsMESFET的背栅效应研究[J].固体电子学研究与进展.1989