在193nm关于Si2分子的离子解离动力学的成像研究(英文)

在193nm关于Si2分子的离子解离动力学的成像研究(英文)

论文摘要

在193 nm的单色激光实验中,本文利用时间切片离子速度成像技术,研究了经193 nm双光子电离得到的Si2+的解离反应动力学过程.根据实验得到的Si+离子的速度成像,观测到了两种离子直接解离通道:Si(3Pg)+Si+(2Pu)和Si(1D2)+Si+(2Pu).电子基态的Si2分子处于v=0~5的振动态上,其经过双光子电离后激发到Si2+离子的多个电子激发态势能面,生成主要通道Si(3Pg)+Si+(2Pu),其中v=1的解离信号最强.此外,由于势能曲线22Πg与32Πg相同对称性引起的避免性势能面交叉,生成次要反应通道Si(1D2)+Si+(2Pu).通道Si(1D2)+Si+(2Pu)的产物亦可以由生成的基态Si2+(X4∑g-)吸收一个193 nm光子后解离得到,其对应产物则具有更大的动能.

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 马玉杰,李芳芳,刘嘉兴,王凤燕

关键词: 切片成像,光解动力学,硅二聚体

来源: Chinese Journal of Chemical Physics 2019年01期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学

单位: 复旦大学化学系上海市分子催化和功能材料重点实验室能源材料化学协同创新中心

基金: supported by the National Natural Science Foundation of China (No.21673047,No.21327901,and No.21322309),the Shanghai Key Laboratory Foundation of Molecular Catalysis and Innovative Materials,the Program for Professor of Special Appointment (Eastern Scholar) at Shanghai Institutions of Higher Learning

分类号: O643.12

页码: 129-133

总页数: 5

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