全文摘要
本实用新型涉及一种新型循环均氧钝化炉，涉及半导体加工设备领域，包括钝化炉和铰接在钝化炉正面的炉门，所述钝化炉的一侧连通有进气管道和循环出气管道，所述钝化炉的另一侧连通有出气管道和循环进气管道，所述循环进气管道和循环出气管道连通气体循环泵，所述进气管道上设置有流量控制装置。本实用新型钝化炉内的氧化气体循环流动，保证钝化炉内各处的气体浓度均匀，对半导体晶片的氧化均匀、钝化质量一致。
主设计要求
1.一种新型循环均氧钝化炉，包括钝化炉(1)和铰接在钝化炉(1)正面的炉门(2)，其特征在于：所述钝化炉(1)的一侧连通有进气管道(3)和循环出气管道(4)，所述钝化炉(1)的另一侧连通有出气管道(5)和循环进气管道(6)，所述循环进气管道(6)和循环出气管道(4)连通气体循环泵(7)，所述进气管道(3)上设置有流量控制装置(8)。
设计方案
1.一种新型循环均氧钝化炉，包括钝化炉(1)和铰接在钝化炉(1)正面的炉门(2)，其特征在于：所述钝化炉(1)的一侧连通有进气管道(3)和循环出气管道(4)，所述钝化炉(1)的另一侧连通有出气管道(5)和循环进气管道(6)，所述循环进气管道(6)和循环出气管道(4)连通气体循环泵(7)，所述进气管道(3)上设置有流量控制装置(8)。
2.根据权利要求1所述的一种新型循环均氧钝化炉，其特征在于，所述循环进气管道(6)和循环出气管道(4)外设置有石棉保温层。
3.根据权利要求1所述的一种新型循环均氧钝化炉，其特征在于，所述炉门(2)和钝化炉(1)之间设置有密封圈，所述密封圈由耐高温橡胶材料制成。
4.根据权利要求1所述的一种新型循环均氧钝化炉，其特征在于，所述出气管道(5)连接尾气处理装置。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及半导体加工设备领域，尤其是一种新型循环均氧钝化炉。
背景技术
半导体晶片的钝化是半导体晶片加工的必要流程，一般将半导体晶片放置在钝化炉中，通入氧气或臭氧气体等氧化性气体，加热使半导体晶片表面发生氧化反应，实现表面钝化的目的。但在实际的钝化加工过程中，随着氧化性气体的通入和氧化反应的进行，仅凭气体的自由扩散无法保证炉内的气体浓度均匀，进而导致半导体晶片的钝化效果不一致，影响半导体晶片的加工质量。
实用新型内容
为了克服现有技术中所存在的上述缺陷，本实用新型提供了一种新型循环均氧钝化炉。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种新型循环均氧钝化炉，包括钝化炉和铰接在钝化炉正面的炉门，所述钝化炉的一侧连通有进气管道和循环出气管道，所述钝化炉的另一侧连通有出气管道和循环进气管道，所述循环进气管道和循环出气管道连通气体循环泵，所述进气管道上设置有流量控制装置。
上述的一种新型循环均氧钝化炉，所述循环进气管道和循环出气管道外设置有石棉保温层。
上述的一种新型循环均氧钝化炉，所述炉门和钝化炉之间设置有密封圈，所述密封圈由耐高温橡胶材料制成。
上述的一种新型循环均氧钝化炉，所述出气管道连接尾气处理装置。
本实用新型的有益效果是，本实用新型钝化炉内的氧化气体循环流动，保证钝化炉内各处的气体浓度均匀，对半导体晶片的氧化均匀、钝化质量一致。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1为本实用新型的结构示意图。
图中1.钝化炉，2.炉门，3.进气管道，4.循环出气管道，5.出气管道，6.循环进气管道，7.气体循环泵，8.流量控制装置。
具体实施方式
为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型做进一步的说明，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本实用新型的一个实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，根据此附图和实施例获得其他的实施例，都属于本实用新型的保护范围。
一种新型循环均氧钝化炉，包括钝化炉1和铰接在钝化炉1正面的炉门2，所述炉门2和钝化炉1之间设置有密封圈，所述密封圈由耐高温橡胶材料制成，所述钝化炉1的一侧连通有进气管道3和循环出气管道4，所述钝化炉1的另一侧连通有出气管道5和循环进气管道6，所述循环进气管道6和循环出气管道4连通气体循环泵7，所述循环进气管道6和循环出气管道4外设置有石棉保温层，所述进气管道3上设置有流量控制装置8，所述出气管道5连接尾气处理装置。
以上实施例仅为本实用新型的示例性实施例，不用于限制本实用新型，本实用新型的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本实用新型的实质和保护范围内，对本实用新型做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本实用新型的保护范围内。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920077738.6
申请日:2019-01-17
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:95(青岛)
授权编号:CN209087792U
授权时间:20190709
主分类号:H01L 21/67
专利分类号:H01L21/67;C30B33/00
范畴分类:38F;23E;
申请人:青岛金汇源电子有限公司
第一申请人:青岛金汇源电子有限公司
申请人地址:266000 山东省青岛市黄岛区滨海大道南山川路东（黄岛区委党校）
发明人:李德鹏
第一发明人:李德鹏
当前权利人:青岛金汇源电子有限公司
代理人:代理机构:代理机构编号:优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计