导读:本文包含了反应离子束溅射论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:离子束,薄膜,中频,电子设备,光学,粒子束,电介质。
反应离子束溅射论文文献综述
米高园,朱昌,戚云娟,达斯坦科,格拉索夫[1]（2011）在《离子束反应溅射沉积SiO_2薄膜的光学特性》一文中研究指出主要研究采用离子束反应溅射(RIBS)制备SiO2薄膜的折射率、消光系数、化学计量比与氧气在氩氧混合工作气体中含量及其沉积速率的关系。研究结果表明:RIBS制备的SiO2薄膜在0.63μm处折射率n=1.48,消光系数小于10-5;随着沉积速率的增加,薄膜的折射率和消光系数随之变大,当沉积速率超过0.3 nm/s,即使是在纯氧环境溅射,折射率值也不低于1.5;通过对红外透射光谱的主吸收峰位置研究得到沉积的SiO2薄膜为缺氧型,化学计量比不超过1.8,且红外吸收峰位置和SiO2折射率存在对应关系,因此在不加热衬底情况下使用RIBS制备SiO2薄膜时,会限制沉积速率的提高。(本文来源于《应用光学》期刊2011年02期）
望咏林,颜悦,伍建华,温培刚,张晓锋[2]（2010）在《辅助离子束对中频孪生磁控反应溅射制备氧化钛光学薄膜的影响》一文中研究指出本文利用孪生靶50 kHz中频磁控反应溅射的方法,在多孔阳极层离子束源产生的低温离子束辅助条件下制备了光学性能良好的氧化钛薄膜。利用原子力显微镜、分光光度计、椭圆偏振光谱仪研究了离子束功率以及退火温度对氧化钛薄膜形貌、光学折射率和消光系数、孔隙率等的影响。结果表明:利用中频孪生磁控溅射的方法将沉积工艺控制在反应过渡区,可以有效的抑制钛靶中毒和阳极消失,反应溅射过程稳定;辅助离子束提高了等离子体的电荷密度;氧化钛薄膜堆积密度和光学折射率也有所提高,薄膜表面趋于平坦,孔隙率降低。氧化钛薄膜在高温退火处理时由于出现从非晶到多晶转变以及晶体长大与转变,结构逐渐趋于完整,表面粗糙度不断增加;800℃时完全转化为金红石相,晶粒直径约70 nm。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2010年05期）
望咏林,颜悦,温培刚,伍建华,张晓锋[3]（2009）在《辅助离子束对中频孪生反应磁控溅射制备氧化钛光学薄膜的影响》一文中研究指出氧化钛(TiO_2)薄膜具有高的折射率和可见光透过率以及自然环境下稳定性,因而在光学薄膜元器件领域取得了广泛的应用。本文利用双靶孪生50KHz中频反应磁控溅射的方法,在冷阴极霍夫曼离子束源产生的低温离子束辅助的条件下制备了光学性能良好的氧化钛薄膜。利用(本文来源于《TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2009-08-15）
林松盛,代明江,侯惠君,朱霞高,李洪武[4]（2006）在《离子束辅助中频反应溅射(Cr,Ti,Al)N薄膜的研究》一文中研究指出为了提高工模具的服役性能,采用中频反应溅射,无灯丝离子源辅助的方法沉积了(Cr,Ti,Al)N多元硬质薄膜。分别用电子能谱、X-射线衍射、显微硬度计、划痕仪和干涉显微镜分析了薄膜的成分、相组成、硬度、膜／基结合力及膜层厚度。结果表明:用此法制备的薄膜为含有多相结构的(Cr,Ti,Al)N多元硬质膜,晶粒细小,沉积速率快,显傲硬度高达35 GPa,结合强度高度达80 N,综合性能优异。(本文来源于《全国薄膜技术学术研讨会论文集》期刊2006-09-01）
周少波,王双保,陈四海,易新建[5]（2004）在《反应离子束溅射沉积和还原退火工艺制备VO_x多晶薄膜》一文中研究指出通过反应离子溅射沉积和后退火工艺制备出优质微测辐射热计用的氧化钒薄膜。对薄膜退火前后进行了扫描电子显微镜分析,结果表明,制备的VOx多晶薄膜致密均匀,退火后晶粒尺寸变大。电学测试表明,在室温时薄膜的方块电阻约为50kΩ,电阻温度系数为-0.022/K,满足制作高性能微测辐射热计的要求。(本文来源于《材料开发与应用》期刊2004年06期）
刘建,李晓慧[6]（2004）在《离子束反应溅射ZnO薄膜的晶体结构及光学、电学性质研究》一文中研究指出采用离子束反应溅射法在玻璃基片上沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品XRD谱的分析 ,发现基片温度和溅射氧分压是同时影响ZnO薄膜沿c轴择优取向生长的重要因素。在基片温度 35 0℃ ,氧分压 1 3的溅射条件下 ,得到了完全沿c轴取向生长的只有 (0 0 2 )晶面的ZnO薄膜。薄膜的吸收光谱测量结果表明 ,基片温度和氧分压对ZnO薄膜的光学禁带宽度有重要影响。不同氧分压、不同基片温度制备的薄膜电阻率相差很大。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2004年06期）
肖定全,朱建国[7]（2001）在《多离子束反应共溅射技术及铁电薄膜制备与应用》一文中研究指出随着现代信息科学与技术的迅速发展,多组元功能薄膜如高温超导薄膜、铁电薄膜、磁性薄膜等在微电子、光电子、光通讯、 信息存储等方面已经取得了应用,商业价值十分巨大。铁电薄膜具有优良的铁电、压电、电光、热释电、光折变及非线性光学等特性,可广泛用于微电子学、光电子学及其他高新技术领域。 考虑到制备多组元金属氧化物薄膜需精确控制各组元成分及离子束溅射成膜的特点,我们在国际上最先提出了发展多离(本文来源于《材料导报》期刊2001年02期）
朱建国,彭文斌,张文,陈猛,肖定全[8]（1997）在《多离子束反应溅射室温沉积PbTiO_3薄膜的结晶性能》一文中研究指出为了将铁电薄膜与半导体器件集成，发展了新的铁电薄膜制备技术。快速退火（ＲＴＰ）由于可以降低铁电薄膜的制备温度、改善铁电薄膜与半导体器件兼容性质，因而倍受人们的关注。用多离子束反应共溅射装置在室温下制备了ＰｂＴｉＯ３薄膜，样品经ＲＴＰ装置作退火处理，发现ＰｂＴｉＯ３薄膜可以在多晶或非晶层上生长，经ＲＴＰ处理的ＰｂＴｉＯ３薄膜呈现［１１０］和［１００］择优取向(本文来源于《电子显微学报》期刊1997年04期）
彭文斌,陈猛,朱建国,兰发华,肖定全[9]（1997）在《多离子束反应共溅射制备PbTiO_3铁电薄膜的微结构研究》一文中研究指出本文利用多离子束反应共溅射装置，分别在Ｓｉ和ＭｇＯ衬底上原位制备了ＰｂＴｉ氧化物薄膜。研究表明，利用多离子束反应共溅射技术，可以显着降低薄膜后续热处理的温度；薄膜中焦绿石结构的消失温度与薄膜中Ｐｂ的含量有关；较之Ｓｉ衬底，在ＭｇＯ衬底上的薄膜较易获得好的晶体结构和优良的薄膜表面形貌。对所观察到的现象，从衬底与薄膜相互作用的角度进行了讨论(本文来源于《电子显微学报》期刊1997年04期）
朱建国,彭文斌,张文,陈猛,肖定全[10]（1996）在《多离子束反应溅射室温沉积PbTiO_3薄膜的结晶性能》一文中研究指出为了将铁电薄膜与半导体器件集成,发展了新的铁电薄膜制备技术。快速退火(RTP)由于可以降低铁电薄膜的制备温度、改善铁电薄膜与半导体器件兼容性质,因而倍受人们的关注。用多离子束反应共溅射装置在室温下制备了 PbTiO_3薄膜,样品经 RTP 装置作退火处理,发现 PbTiO_3薄膜可以在多晶或非晶层上生长,经 RTP 处理的 PbTiO_3薄膜呈现[110]和[100]择优取向。(本文来源于《1996年中国青年学者物理学讨论会——薄膜材料与物理论文集》期刊1996-06-01）
反应离子束溅射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文利用孪生靶50 kHz中频磁控反应溅射的方法,在多孔阳极层离子束源产生的低温离子束辅助条件下制备了光学性能良好的氧化钛薄膜。利用原子力显微镜、分光光度计、椭圆偏振光谱仪研究了离子束功率以及退火温度对氧化钛薄膜形貌、光学折射率和消光系数、孔隙率等的影响。结果表明:利用中频孪生磁控溅射的方法将沉积工艺控制在反应过渡区,可以有效的抑制钛靶中毒和阳极消失,反应溅射过程稳定;辅助离子束提高了等离子体的电荷密度;氧化钛薄膜堆积密度和光学折射率也有所提高,薄膜表面趋于平坦,孔隙率降低。氧化钛薄膜在高温退火处理时由于出现从非晶到多晶转变以及晶体长大与转变,结构逐渐趋于完整,表面粗糙度不断增加;800℃时完全转化为金红石相,晶粒直径约70 nm。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
反应离子束溅射论文参考文献
[1].米高园,朱昌,戚云娟,达斯坦科,格拉索夫.离子束反应溅射沉积SiO_2薄膜的光学特性[J].应用光学.2011
[2].望咏林,颜悦,伍建华,温培刚,张晓锋.辅助离子束对中频孪生磁控反应溅射制备氧化钛光学薄膜的影响[J].真空科学与技术学报.2010
[3].望咏林,颜悦,温培刚,伍建华,张晓锋.辅助离子束对中频孪生反应磁控溅射制备氧化钛光学薄膜的影响[C].TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2009
[4].林松盛,代明江,侯惠君,朱霞高,李洪武.离子束辅助中频反应溅射(Cr,Ti,Al)N薄膜的研究[C].全国薄膜技术学术研讨会论文集.2006
[5].周少波,王双保,陈四海,易新建.反应离子束溅射沉积和还原退火工艺制备VO_x多晶薄膜[J].材料开发与应用.2004
[6].刘建,李晓慧.离子束反应溅射ZnO薄膜的晶体结构及光学、电学性质研究[J].真空科学与技术学报.2004
[7].肖定全,朱建国.多离子束反应共溅射技术及铁电薄膜制备与应用[J].材料导报.2001
[8].朱建国,彭文斌,张文,陈猛,肖定全.多离子束反应溅射室温沉积PbTiO_3薄膜的结晶性能[J].电子显微学报.1997
[9].彭文斌,陈猛,朱建国,兰发华,肖定全.多离子束反应共溅射制备PbTiO_3铁电薄膜的微结构研究[J].电子显微学报.1997
[10].朱建国,彭文斌,张文,陈猛,肖定全.多离子束反应溅射室温沉积PbTiO_3薄膜的结晶性能[C].1996年中国青年学者物理学讨论会——薄膜材料与物理论文集.1996
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