团簇束论文_赵志伟,雷威,张晓兵,王保平

导读:本文包含了团簇束论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:单晶硅,薄膜,技术,离子,迁移性,气阀,形貌。

团簇束论文文献综述

赵志伟,雷威,张晓兵,王保平^[1]（2009）在《纳米团簇束沉积技术及ZnO薄膜的制备与表征》一文中研究指出该论文讨论了一种可用于制备纳米薄膜的技术:纳米团簇束沉积技术。该技术是近年来发展起来的基于气相凝聚而合成纳米团簇的一种新的纳米薄膜制备技术。利用该技术可以实现以团簇为基元组装新材料,并可获得具有良好的尺寸均一性、分散性、表面和界面特性的超微量(本文来源于《TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2009-08-15）

杨种田,柯贤文,刘传胜,郭立平,付德君^[2]（2007）在《离化团簇束法制备c轴取向的ZnO薄膜》一文中研究指出为了探索低温可调控ZnO薄膜沉积技术,提出了一种新的ZnO薄膜制备方法,即离化团簇束(ICB)法,并自行设计研制了应用该方法制备ZnO薄膜的专门装置.采用超音速喷嘴获得高速锌原子团簇束,用Hall等离子体源产生氧离子束离化锌原子团簇,获得了较高的离化率.在沉积过程中,可以通过调节衬底偏压、氩氧比、衬底加热温度等参数,来控制成膜的质量;应用这个装置成功地在硅衬底上制备的ZnO薄膜,经XRD和EDS检测,薄膜的c轴取向一致,Zn、O原子百分比接近于1∶1,成膜质量好.(本文来源于《武汉大学学报(理学版)》期刊2007年03期）

杨种田,柯贤文,刘传胜,郭立平,付德君^[3]（2006）在《反应离化团簇束法制备ZnO薄膜》一文中研究指出自行设计研制了一套反应离化团簇束制备ZnO薄膜的专门装置。用Hall等离子体源产生氧离子束和锌团簇离子。并在硅衬底上得到c轴取向,Zn、O原子百分比为 1:1的ZnO薄膜。(本文来源于《2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集》期刊2006-10-01）

曹博,李公平,盖志刚,何山虎,Cho,S,J^[4]（2006）在《低能铜团簇束在Si(111)上成膜铜在硅中的扩散》一文中研究指出用离化团簇束源(ICB)产生铜团簇束。实验中采用高纯铜(99．999％)作为源材料,通过对坩埚加热使铜原子蒸发并通过喷嘴发射到高真空区,由于很大的压强差,发生绝热膨胀,蒸气温度降低,冷凝到饱和状态,原子凝聚成团簇,此时形成的是中性铜团簇。团簇在运动过程中与电子枪发射出的电子碰撞,部分团簇离化产生离化团簇束,使团簇束分别在加速电压为0 kV、1 kV、3 kV、5 kV的电场中加速后,沉积(本文来源于《第一届中国核技术及应用研究学术研讨会摘要文集》期刊2006-09-01）

李公平,张小东,丁宝卫,丁印锋,刘正民^[5]（2005）在《载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼》一文中研究指出用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生 Mon 团簇束,当团簇束分别在偏压为 0、1、3、5、10 kV 的–电场中加速后,沉积在室温下的 P 型 Si(111)衬底上,获得 Mo/Si(111)薄膜样品。用 XRD 分析表明,在室温下,偏压≤5 kV 团簇束沉积和常规磁控溅射沉积获得的 Mo/Si(111) 样品,其界面均无二硅化钼(MoSi2)生成;偏压=10 kV 时,团簇束沉积其界面直接有 MoSi2生成。对于团簇束沉积,当偏压大于一定值时(在本实验条件下偏压≥3 kV),薄膜才开始以 Mo(110)择优取向生长。(本文来源于《核技术》期刊2005年03期）

李公平,何山虎,丁宝卫,张小东,丁印锋^[6]（2004）在《铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜形貌和方块电阻》一文中研究指出用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu_n~-(n是簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压V_α为0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P-si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用AFM分析表明:当V_α(?)3kV时,团簇束成膜,膜表面的粗糙度比常规磁控溅射小,且随V_α增加,粗糙度减小。用四探针测薄膜方块电阻,经归一化后可知:团簇束沉积,当V_α(?)3kV时,薄膜方块电阻大于常规磁控溅射的方块电阻,当V_α(?)5kV时薄膜方块电阻已小于常规磁控溅射方块电阻;对于团簇束沉积,薄膜方块电阻随沉积偏压V_α的增加而减小。(本文来源于《兰州大学学报》期刊2004年05期）

李公平,丁宝卫,张小东,丁印锋,刘正民^[7]（2004）在《铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析》一文中研究指出用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是团簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压为:0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P型Si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜,结果表明:薄膜本身不含C和O等杂质;当Cu/P-Si(111)样品暴露在空气中时,样品表面会氧化和碳污染,铜的特征电子峰几乎被湮没。用能量3keV流强为4～6μA/cm2Ar+束,预溅射处理样品表面后,用XPS分析,常规磁控溅射室温下得到的Cu/P-Si(111)样品和铜团簇束沉积,偏压分别为0,1,3,5,10kV的样品XPS谱和块状Cu标样谱基本一样,Cu2P1、Cu2P3、CuLMM特征峰位没有移动,反映不出原子结合能差异。(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2004年02期）

俞国庆,石瑛,欧阳振乾,陈景升,张志滨^[8]（2001）在《荷能团簇束成膜的表面迁移和附着特性的研究》一文中研究指出研究了不同能量的团簇碰撞有机物（ＣＨ３ＳｉＯ３／２）衬底形成的表面形貌。结果表明，团簇能量的增大，增加了团簇原子在基片表面的有效碰撞能和迁移力，也改善了沉积薄膜的附着性、致密性、平整性等。特别是有机物上修饰条纹的出现，是迁移力增加的有力证据。(本文来源于《核技术》期刊2001年02期）

傅德君,雷园园,李金钗,叶明生,彭友贵^[9]（1998）在《C_(60)薄膜的离化团簇束沉积及离子掺杂》一文中研究指出用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法在石英玻璃和云母衬底上形成了Ｃ６０薄膜，ＸＲＤ测试表明膜呈多晶结构，原位电阻测试表明膜的室温电阻率超过１０４Ωｃｍ，具有负的电阻温度系数．用８０ｋｅＶＰ＋，ＢＢｒ３＋，Ａｒ＋和Ｈｅ＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０～１０１６ｃｍ－２的离子注入，Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量增加而急剧下降，磷注入具有ｎ型掺杂作用，离子与Ｃ６０分子的相互作用导致Ｃ６０分子分裂，引起薄膜表面非晶化．(本文来源于《武汉大学学报(自然科学版)》期刊1998年03期）

倪国权,周汝枋,戴明,许达民^[10]（1994）在《一种用于激光蒸发产生团簇束的高速脉冲气阀》一文中研究指出报道一种双线圈弹簧结构脉冲气阀的成功研制。产生的气体脉冲宽度（ＦＷＨＭ）小于２００μｓ，在不加Ｓｋｉｍｍｅｒ时气体脉冲峰值强度为２×１０２２ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｓｒ·ｓ。气阀的主要性能与国外用激光蒸发／分子束技术产生簇束的有代表性的实验室所用的同类气阀相比并不逊色。(本文来源于《中国激光》期刊1994年09期）

团簇束论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

为了探索低温可调控ZnO薄膜沉积技术,提出了一种新的ZnO薄膜制备方法,即离化团簇束(ICB)法,并自行设计研制了应用该方法制备ZnO薄膜的专门装置.采用超音速喷嘴获得高速锌原子团簇束,用Hall等离子体源产生氧离子束离化锌原子团簇,获得了较高的离化率.在沉积过程中,可以通过调节衬底偏压、氩氧比、衬底加热温度等参数,来控制成膜的质量;应用这个装置成功地在硅衬底上制备的ZnO薄膜,经XRD和EDS检测,薄膜的c轴取向一致,Zn、O原子百分比接近于1∶1,成膜质量好.

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

团簇束论文参考文献

[1].赵志伟,雷威,张晓兵,王保平.纳米团簇束沉积技术及ZnO薄膜的制备与表征[C].TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2009

[2].杨种田,柯贤文,刘传胜,郭立平,付德君.离化团簇束法制备c轴取向的ZnO薄膜[J].武汉大学学报(理学版).2007

[3].杨种田,柯贤文,刘传胜,郭立平,付德君.反应离化团簇束法制备ZnO薄膜[C].2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集.2006

[4].曹博,李公平,盖志刚,何山虎,Cho,S,J.低能铜团簇束在Si(111)上成膜铜在硅中的扩散[C].第一届中国核技术及应用研究学术研讨会摘要文集.2006

[5].李公平,张小东,丁宝卫,丁印锋,刘正民.载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼[J].核技术.2005

[6].李公平,何山虎,丁宝卫,张小东,丁印锋.铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜形貌和方块电阻[J].兰州大学学报.2004

[7].李公平,丁宝卫,张小东,丁印锋,刘正民.铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析[J].原子与分子物理学报.2004

[8].俞国庆,石瑛,欧阳振乾,陈景升,张志滨.荷能团簇束成膜的表面迁移和附着特性的研究[J].核技术.2001

[9].傅德君,雷园园,李金钗,叶明生,彭友贵.C_(60)薄膜的离化团簇束沉积及离子掺杂[J].武汉大学学报(自然科学版).1998

[10].倪国权,周汝枋,戴明,许达民.一种用于激光蒸发产生团簇束的高速脉冲气阀[J].中国激光.1994

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