磁控溅镀法制备Al掺杂ZnO薄膜的特性分析

论文摘要

以射频磁控溅镀法在柔性聚碳酸酯基板上成长Al掺杂ZnO薄膜,利用XRD、AES、霍尔效应测试仪及单色分光计测量分析Al靶功率对薄膜光电特性的影响. XRD分析表明所有薄膜的衍射峰皆以（002）面为主,Al靶功率为25 W时（002）面衍射峰强度最大,此时薄膜结晶性最佳; AES分析表明随着Al靶功率的增大,Al含量由0 at.%增至18.01 at.%,Zn含量则由72.51 at.%降至38.39 at.%,而O含量没有太大变化,这说明Al可以取代ZnO中Zn的位置;霍尔效应测量表明Al靶功率为25 W时电阻率最小,约为7.75×10-4Ω·cm,而载子浓度及其迁移率则达到最大,分别约为9.35×1020cm-3与8.64 cm2/（V·s）;分光计测量表明薄膜在可见光区的平均透射率可约达90%以上,说明本研究制备的Al掺杂ZnO薄膜是具有高透射率的透明导电薄膜.

论文目录

• 1 引 言
• 2 实验部分
•   2.1 基板的清洗
•   2.2 薄膜的制备
•   2.3 薄膜的表征
• 3 结果与讨论
•   3.1 结构与组成分析
•   3.2 电学特性分析
•   3.3 光学特性分析
• 4 结 论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 孙彦清,娄本浊,黄朝军

关键词: 透明导电薄膜,薄膜,掺杂,柔性基板,射频磁控溅镀,光电特性

来源: 原子与分子物理学报 2019年03期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备

单位: 陕西理工大学物理与电信工程学院

基金: 国家自然科学基金(41105107),陕西省教育厅科学研究计划基金(2013JK0617)

分类号: TQ132.41;TB383.2

页码: 485-490

总页数: 6

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