压敏陶瓷论文_张帅谋,王微,陈华

导读:本文包含了压敏陶瓷论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:陶瓷,梯度,脉冲,系数,微波,通流,多晶。

压敏陶瓷论文文献综述

张帅谋,王微,陈华[1](2019)在《Mn掺杂TiO_2基压敏-电容功能陶瓷的电性能研究》一文中研究指出采用固相合成法制备MnO_2掺杂TiO_2基压敏-电容功能元件,利用SEM和XRD分析手段,研究了不同MnO_2掺杂配比对TiO_2双功能陶瓷显微结构和电性能的影响。结果显示微量MnO_2掺杂的TiO_2基陶瓷主晶相为金红石相。当MnO_2的掺杂量为0.3mol%时,可以获得最佳的非线性和压敏特性,同时具有较高的介电常数和较低的介电损耗值。这是由于0.3mol%添加量的微结构晶粒更均匀,在TiO_2陶瓷基体中产生充足的氧空位,掺杂的MnO_2界面态产生了较高的晶界势垒共同作用的结果。(本文来源于《佳木斯大学学报(自然科学版)》期刊2019年05期)

祝志祥,张强,朱思宇,卢成嘉,刘艺[2](2019)在《脉冲电场下ZnO压敏陶瓷动态击穿过程研究》一文中研究指出陶瓷电击穿问题涉及热、光、电多场耦合效应,一直是非平衡物理学研究的重点和热点。本工作在不同烧结温度下制备了晶粒尺寸大小不同的氧化锌陶瓷,采用脉冲高压发生装置对陶瓷进行击穿实验,通过对陶瓷击穿过程的分析和对比,研究了ZnO陶瓷体击穿的时间步骤。结果显示,不同晶粒大小的陶瓷击穿过程均在7μs之内,典型的压降曲线分为叁个阶段。第一个阶段对应于材料中的气孔击穿和击穿通道初步形成;第二阶段对应于晶界击穿;第叁个阶段是导电通道的完全形成。研究数据显示,晶粒击穿过程的持续时间最长,晶界次之,气孔的击穿时间最短。不同烧结温度下,样品晶界和晶粒的击穿时间以及气孔的击穿速度均存在差异。(本文来源于《无机材料学报》期刊2019年07期)

陈永佳,刘建科[3](2019)在《SiO_2掺杂浓度对ZnO压敏陶瓷结构与性能的影响》一文中研究指出以(96.0-x)ZnO-2.0Pr_6O_(11)-0.5Sb_2O_3-0.5Co_2O_3-0.5Cr_2O_3-0.5Y_2O_3-xSiO_2为配方制备压敏电阻陶瓷,其中比例均为物质的量比,x分别为0.0%、0.8%、1.6%、2.4%。研究了SiO_2的掺杂浓度对该体系压敏电阻陶瓷微观结构和电学性能的影响。研究表明,压敏电阻陶瓷的主晶相为六方纤锌矿型结构,同时还含有SbYO_3、ZnCr_2O_4、ZnCo_2O_4、Zn_7SbO_(12)、Zn_2SiO_4和Pr_2O_3等晶相。随着SiO_2掺杂浓度的增大,ZnO压敏陶瓷的叁个强衍射峰逐渐向低角度方向偏移,平均晶粒尺寸先减小后增大。当掺杂浓度为1.6%时,平均晶粒尺寸达到最小值(1.5μm),击穿场强E_(1mA)达到最大值(385.6 V/mm),非线性系数α达到最大值(84.2),漏电流I_L达到最小值(1.1μA)。通过分析烧结机理、固溶体形成机理以及能量最低原理,本工作对以上现象进行了理论解释。(本文来源于《材料导报》期刊2019年S1期)

朱思宇[4](2019)在《ZnO压敏陶瓷的制备及其通流能力研究》一文中研究指出ZnO压敏陶瓷具有独特的非线性电学效应,被广泛应用于军事、通信、输电以及民用消费电子等领域。就现阶段而言,如何提升压敏电阻的通流能力是困扰国内研究人员的一大难题,很多大通流能力的压敏电阻仍需从国外进口,国内压敏电阻的应用成本非常高昂。因此,在兼顾压敏性能的同时,改善压敏电阻的通流能力具有重大的研究意义。本论文采用传统固相法制备了ZnO压敏陶瓷,研究了烧结温度、Mn含量及掺入形式、BaTiO_3掺杂对样品结构及性能的影响;采用微波固相法制备了ZnO压敏陶瓷,设计正交实验对微波烧结工艺进行了研究,并探讨了Bi_2O_3含量、BaTiO_3掺杂对样品结构及性能的影响。研究结果如下:在传统烧结研究中,随着烧结温度的升高,陶瓷内部晶粒尺寸增大,样品压敏电位梯度减小,当烧结温度过高时,Bi_2O_3的挥发量增多,样品性能劣化;随着Mn掺量的增加,样品非线性系数上升,漏电流下降,但掺量过多会使陶瓷的致密度及结构均匀性下降;当Mn以MnO的形式掺入时,样品的性能较好;BaTiO_3掺杂引入的Ti可提升晶界势垒,当BaTiO_3掺量达到1mol%时,陶瓷中形成了BaSb_2O_6相,该相具有热稳定性,且Sb以较高的+5价存在,可限制O~(2-)的迁移,有效的改善了样品的通流能力。当烧结温度为1150℃,配方中Mn含量为0.6mol%,掺入形式为MnO,BaTiO_3掺杂量为1mol%时,传统烧结样品的致密度为94.965%,压敏电位梯度为532.07V/mm,非线性系数达到了56.2,漏电流密度为1.44μA/cm~2,在峰值电流为520A的脉冲电流下,样品的残压比为2.6,冲击后压敏电压变化率为6.5%。在微波烧结研究中,当烧结温度为1100℃,升温速率为7℃/min,保温时间为1.5h,配方中Bi_2O_3含量为0.7mol%时,样品的各项性能较好;在配方中掺入1mol%BaTiO_3,微波烧结样品的综合性能得到进一步改善,致密度为96.817%,压敏电位梯度为430.5V/mm,非线性系数为68.31,漏电流密度为0.86μA/cm2,在峰值电流为880A的脉冲电流下,样品的残压比为2.4,冲击后压敏电压变化率为4.8%。本论文通过BaTiO_3掺杂和微波烧结有效改善了ZnO压敏电阻的电性能,为高性能压敏陶瓷的制备提供了思路。(本文来源于《西南科技大学》期刊2019-05-01)

解光勇,尹帅帅,武孟媛,张扬,徐含馨[5](2019)在《氧化锌压敏陶瓷脉冲放电特性研究进展》一文中研究指出氧化锌(ZnO)压敏陶瓷材料具有非线性指数值高、响应时间短、漏电流小、通流能力强和性价比高等优点,因而被广泛应用于各种电路的过压保护。ZnO压敏电阻快脉冲放电特性的研究对材料的制备及其应用具有重要的意义。分析了ZnO压敏陶瓷材料的微观结构形貌及物理模型;比较了基于电磁脉冲发生器、空气隙开关和脉冲整形装置技术的ZnO压敏陶瓷放电特性研究方法;讨论了8/20μs电磁脉冲和陡波脉冲激励下材料的击穿放电特性;提出了研究纳秒量级及更快电脉冲激励下的ZnO压敏陶瓷导电特性的问题。(本文来源于《功能材料》期刊2019年02期)

朱思宇,熊政伟,曹林洪,高志鹏[6](2019)在《氧化锌压敏陶瓷的微波烧结工艺研究》一文中研究指出微波烧结技术因能改善被烧结材料的微观结构和性能,已经成为材料制备领域里新的研究热点。本文以氧化锌压敏陶瓷为研究对象,以Bi_2O_3含量、升温速率、烧结温度、保温时间为四要素对陶瓷的微波烧结工艺设计了正交实验。研究发现,微波烧结所得样品与传统烧结样品相比,其漏电流和非线性系数均得到了优化。通过对正交实验数据的分析,得出了针对每个性能的最优工艺参数及各要素对各性能影响的主次顺序,最后经综合考虑确定了微波烧结氧化锌压敏陶瓷的最优工艺参数,得到了压敏电位梯度为362. 3 V/mm,非线性系数为50. 24,漏电流密度为1. 55×10~(-6)A/cm~2,密度为5. 603 g/cm~3的氧化锌压敏陶瓷。缩短了烧结时间,优化了陶瓷的性能。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年01期)

廖继红,钟志成,陈洋,屈少华[7](2018)在《Y_2O_3和ln_2O_3复合掺杂对Zn-Bi系压敏陶瓷的影响》一文中研究指出通过复合掺杂0.08mol%Y_2O_3和xmol%ln_2O_3,采用固相法制备Zn-Bi系压敏陶瓷,研究了烧结温度为1120℃保温3小时条件下,掺杂不同剂量ln_2O_3对ZnO陶瓷的晶粒大小、显微结构以及电性能的影响。研究表明随着复合掺杂ln_2O_3剂量的增大,ZnO压敏陶瓷样品的晶粒大小先减小后增大。少量复合掺杂Y_2O_3和ln_2O_3,晶粒的生长均匀细小,显微结构致密;晶界成分和结构得到了优化,改善了非线性特性。复合掺杂0.08mol%Y_2O_3和0.7mol%ln_2O_3的压敏陶瓷材料适合制作高电位梯度避雷器。其压敏电压梯度可达1080 V/mm,非线性系数为55,漏电流为0.60μΑ。(本文来源于《陶瓷学报》期刊2018年06期)

廖继红,熊小红,钟志成,喻志远,屈少华[8](2018)在《Al_2O_3掺杂对Zn-Bi系压敏陶瓷性能的影响》一文中研究指出采用Al_2O_3掺杂,通过固相法制备Zn-Bi系压敏陶瓷,研究了不同比例Al_2O_3对ZnO陶瓷的晶粒大小、显微结构以及电性能的影响。研究表明ZBSCCMY配方中掺杂少量Al_2O_3制备得到ZnO压敏陶瓷样品的晶粒大小愈加均匀,显微结构更加致密;陶瓷物相主要由Zn O相、少量的Bi_2O_3相和微量的Zn_7Sb_2O_7尖晶石物相构成;少量Al_2O_3的掺杂改进了晶粒和晶界结构和成分,活化了晶界,降低烧制压敏陶瓷的烧结温度,优化了压敏陶瓷的非线性特性。当掺杂浓度为0.05 wt%、烧结温度为1100℃、保温2 h得到性能良好的压敏陶瓷,其压敏电位梯度可达810 V/mm,非线性系数为68,漏电流为2.4μΑ。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2018年11期)

吕昕,季节,李顺昕[9](2018)在《ZnO压敏陶瓷的介电谱研究》一文中研究指出通过固相反应法制备ZnO压敏陶瓷,测试了ZnO压敏陶瓷的介电频率温度谱,通过介电谱详细解析了ZnO压敏陶瓷弛豫损耗峰的起源。然后通过调节工艺参数,拟合不同保温温度下ZnO压敏陶瓷的介电弛豫过程,得到了介电弛豫的过程参数,解释了氧空位和锌填隙浓度对弛豫峰的影响,为ZnO压敏陶瓷电气性能的优化提供了理论依据。(本文来源于《电瓷避雷器》期刊2018年05期)

李云飞,张庆[10](2018)在《浅谈金属氧化物避雷器中氧化锌压敏电阻陶瓷的老化机理》一文中研究指出氧化锌压敏陶瓷因为其良好的非线性而成为金属氧化物避雷器的核心材料,其运行过程老化是失效的主要原因。关于氧化锌压敏陶瓷的老化机理主要有离子迁移理论和氧解吸附理论,这两种理论都能从一定角度解释氧化锌压敏电阻的老化现象,这两种模型的基础都是建立在晶界处缺陷的非均匀分布导致的双肖特基势垒结构之上的。因此对其中缺陷和势垒结构的研究和控制是理解、改善其老化特性和保护特性的根本途径。基于由缺陷组成的晶界双肖特基势垒模型,简要论述了其老化机理。(本文来源于《科技与创新》期刊2018年13期)

压敏陶瓷论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

陶瓷电击穿问题涉及热、光、电多场耦合效应,一直是非平衡物理学研究的重点和热点。本工作在不同烧结温度下制备了晶粒尺寸大小不同的氧化锌陶瓷,采用脉冲高压发生装置对陶瓷进行击穿实验,通过对陶瓷击穿过程的分析和对比,研究了ZnO陶瓷体击穿的时间步骤。结果显示,不同晶粒大小的陶瓷击穿过程均在7μs之内,典型的压降曲线分为叁个阶段。第一个阶段对应于材料中的气孔击穿和击穿通道初步形成;第二阶段对应于晶界击穿;第叁个阶段是导电通道的完全形成。研究数据显示,晶粒击穿过程的持续时间最长,晶界次之,气孔的击穿时间最短。不同烧结温度下,样品晶界和晶粒的击穿时间以及气孔的击穿速度均存在差异。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

压敏陶瓷论文参考文献

[1].张帅谋,王微,陈华.Mn掺杂TiO_2基压敏-电容功能陶瓷的电性能研究[J].佳木斯大学学报(自然科学版).2019

[2].祝志祥,张强,朱思宇,卢成嘉,刘艺.脉冲电场下ZnO压敏陶瓷动态击穿过程研究[J].无机材料学报.2019

[3].陈永佳,刘建科.SiO_2掺杂浓度对ZnO压敏陶瓷结构与性能的影响[J].材料导报.2019

[4].朱思宇.ZnO压敏陶瓷的制备及其通流能力研究[D].西南科技大学.2019

[5].解光勇,尹帅帅,武孟媛,张扬,徐含馨.氧化锌压敏陶瓷脉冲放电特性研究进展[J].功能材料.2019

[6].朱思宇,熊政伟,曹林洪,高志鹏.氧化锌压敏陶瓷的微波烧结工艺研究[J].电子元件与材料.2019

[7].廖继红,钟志成,陈洋,屈少华.Y_2O_3和ln_2O_3复合掺杂对Zn-Bi系压敏陶瓷的影响[J].陶瓷学报.2018

[8].廖继红,熊小红,钟志成,喻志远,屈少华.Al_2O_3掺杂对Zn-Bi系压敏陶瓷性能的影响[J].中国陶瓷.2018

[9].吕昕,季节,李顺昕.ZnO压敏陶瓷的介电谱研究[J].电瓷避雷器.2018

[10].李云飞,张庆.浅谈金属氧化物避雷器中氧化锌压敏电阻陶瓷的老化机理[J].科技与创新.2018

论文知识图

5在1080℃烧结得到的Pr2O3掺杂...Nb掺杂TiO_2压敏陶瓷的施主掺杂...压敏陶瓷大电流冲击后电极...1000℃烧结复合稀土掺杂压敏陶瓷℃烧结稀土掺杂氧化锌压敏陶瓷压敏陶瓷的显微结构

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压敏陶瓷论文_张帅谋,王微,陈华
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