导读:本文包含了隙态密度论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:密度,电荷,电流,空间,测量,效应,初值。
隙态密度论文文献综述
缑洁,何志巍,潘国辉,王印月[1]（2006）在《用SCLC法研究低k多孔SiO_2:F薄膜的隙态密度》一文中研究指出用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜,用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响,得到了平衡费米能级附近的隙态密度约为7×1015cm-3·eV-1,以及带隙中隙态随能量的分布.并对造成隙态的主要原因也进行了讨论.(本文来源于《物理学报》期刊2006年06期）
何丰如[2]（1998）在《a-Si:H的FE测量及其隙态密度分析》一文中研究指出根据文献的理论分析结果和FE测量的实验数据,对a-Si:H的隙态密度进行了全面地分析和研究。结果表明:从 FE 测量中不可能获得 a-Si:H 的隙态密度分布 g(E),而只能得到一个反映 a-Si:H 隙态密度总体水平的“有效隙态密度”g(Ej)的分布,g(E_j与 g(E)的具体形式无关,只与外部注入有关。根据 FE 测量的实验数据进行计算的结果,g(E_j的值在10~(15)～10~(16)cm~(-3)eV~(-1)之间。(本文来源于《广州大学学报(综合版)》期刊1998年02期）
唐元洪[3]（1997）在《SCLC法测量非晶硅有效隙态密度》一文中研究指出提出了用空间电荷限制电流（SCLC）法测量非晶硅材料的有效隙态密度的新方法，并且报告了用4061A型半导体综合测试仪测量有效隙态密度的结果。测量结果发现与用低频电容法所得结果相符。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1997年04期）
唐元洪[4]（1997）在《ZC36微电流测试仪测量非晶硅有效隙态密度》一文中研究指出首次报告了用国产的廉价的ＺＣ３６型微电流测试仪测量非晶硅有效隙态密度的原理和结果，其结果与美国生产的昂贵的４０６１Ａ型半导体综合测试仪测量结果相一致。(本文来源于《湖南大学学报(自然科学版)》期刊1997年03期）
楚振生,朱永福,袁建峰,马凯,黄锡珉[5]（1996）在《空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量》一文中研究指出本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。(本文来源于《液晶与显示》期刊1996年04期）
王广民[6]（1996）在《氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究》一文中研究指出报导了与Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应相关的氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度的光诱导变化，结果表明光照将使α－Ｓｉ：Ｈ带隙上半部分态密度的分布发生变化，采用ＡＭ１太阳光谱＊光照两小时使得导带迁移率边以下０．７ｅＶ处的带隙态密度从４×１０１６ｃｍ－３ｅＶ－１，增大到１×１０１７ｃｍ－３ｅＶ－１。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1996年01期）
王印月,王辉耀,张仿清[7]（1990）在《用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic∶H膜的隙态密度》一文中研究指出本文用温度调制空间电荷限制电流法测得了 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜不同碳含量 x 时的隙态密度,得到了光处理前后隙态密度的变化情况,发现强光照后存在有光诱导缺陷态效应,文中还就该方法本身的优越性进行了讨论.(本文来源于《兰州大学学报》期刊1990年03期）
唐元洪[8]（1990）在《金属/非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布》一文中研究指出本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的叁种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准.(本文来源于《湖南大学学报》期刊1990年04期）
林鸿生,林臻[9]（1990）在《n~+-i-n~+结构的电极附近结区电场对SCLC法确定薄a—Si:H膜隙态密度的影响──计算机模拟分析》一文中研究指出将描述电极性质的结区电场选作n~+-i-n~+或(n~+-n-n~+)结构a—Si:H器件电流流动微分方程组的另一对边界条件,应用Runge-Kutta法由初值问题技术解微分方程组得到该器件J-V特性数值解。在此基础上,空间电荷限制电流(SCLC)法推导出不同厚度薄a—Si:H样品隙态密度,证实了其费米能级附近隙态密度G(E_F)随厚度减少而增加是电极附近结区电场引起的。(本文来源于《半导体学报》期刊1990年04期）
王印月,胡着华,陈光华[10]（1989）在《用高频电容—电压法研究GD-a-Si:H的隙态密度》一文中研究指出用高频电容——电压法(H—C—V)研完了 GD—a—si∶H 的隙态密度,得到了平带到耗尽范围内的隙态密度分布,研究了 a—Si∶H 的电子亲和势 qx_a=3.35ev 及 a—Si∶H/n—C—Si 异质结能带图.(本文来源于《兰州大学学报》期刊1989年04期）
隙态密度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
根据文献的理论分析结果和FE测量的实验数据,对a-Si:H的隙态密度进行了全面地分析和研究。结果表明:从 FE 测量中不可能获得 a-Si:H 的隙态密度分布 g(E),而只能得到一个反映 a-Si:H 隙态密度总体水平的“有效隙态密度”g(Ej)的分布,g(E_j与 g(E)的具体形式无关,只与外部注入有关。根据 FE 测量的实验数据进行计算的结果,g(E_j的值在10~(15)～10~(16)cm~(-3)eV~(-1)之间。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
隙态密度论文参考文献
[1].缑洁,何志巍,潘国辉,王印月.用SCLC法研究低k多孔SiO_2:F薄膜的隙态密度[J].物理学报.2006
[2].何丰如.a-Si:H的FE测量及其隙态密度分析[J].广州大学学报(综合版).1998
[3].唐元洪.SCLC法测量非晶硅有效隙态密度[J].固体电子学研究与进展.1997
[4].唐元洪.ZC36微电流测试仪测量非晶硅有效隙态密度[J].湖南大学学报(自然科学版).1997
[5].楚振生,朱永福,袁建峰,马凯,黄锡珉.空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量[J].液晶与显示.1996
[6].王广民.氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究[J].固体电子学研究与进展.1996
[7].王印月,王辉耀,张仿清.用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic∶H膜的隙态密度[J].兰州大学学报.1990
[8].唐元洪.金属/非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布[J].湖南大学学报.1990
[9].林鸿生,林臻.n~+-i-n~+结构的电极附近结区电场对SCLC法确定薄a—Si:H膜隙态密度的影响──计算机模拟分析[J].半导体学报.1990
[10].王印月,胡着华,陈光华.用高频电容—电压法研究GD-a-Si:H的隙态密度[J].兰州大学学报.1989
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