导读:本文包含了体硅工艺论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:粒子,工艺,效应,电荷,栅极,调制器,绝缘体。
体硅工艺论文文献综述
梁永生,吴郁,郑宏超,李哲[1]（2018）在《65 nm体硅工艺NMOS中单粒子多瞬态效应的研究》一文中研究指出针对NMOS场效应晶体管由重离子辐射诱导发生的单粒子多瞬态现象,参考65 nm体硅CMOS的单粒子瞬态效应的试验数据,采用TCAD仿真手段,搭建了65 nm体硅NMOS晶体管的TCAD模型,并进一步对无加固结构、保护环结构、保护漏结构以及保护环加保护漏结构的抗单粒子瞬态效应的机理和能力进行仿真分析。结果表明,NMOS器件的源结和保护环结构的抗单粒子多瞬态效应的效果更加明显。(本文来源于《电子科技》期刊2018年01期）
司世清[2]（2014）在《一款基于65nm体硅工艺的抗辐照SRAM的设计与实现》一文中研究指出空间技术的发展对高性能的集成电路芯片提出了抗辐照加固设计的新要求,以实现空间集成电路能够在复杂的辐射环境中正常工作。静态随机存取存储器作为集成电路芯片中重要的数据存取部件,主要由存储单元阵列和外围电路组成,由于其自身的敏感性和在芯片中占据着较大的版图面积,在辐射环境中极易受到空间辐射效应的影响,尤其是对单粒子效应中的SEL、SEU和SET效应最为敏感。这几种单粒子效应在SRAM电路中引起的错误将导致空间电子系统无法正常工作,甚至造成整个系统无法恢复的损伤。本文基于一款微处理器芯片中对SRAM抗辐照性能指标的要求,在对单粒子效应进行了深入研究的基础上,以全定制的设计方法设计实现了一款容量为512x32bits、具有良好抗单粒子效应的SRAM。在抗辐照SRAM的设计实现中,本文从以下几个方面做了相应的工作,并且取得了一定的研究成果,具体如下:首先,概括了辐射效应对空间电子系统的影响,讨论了SRAM抗辐照加固设计在抗辐照芯片设计中的重要性,并根据相关研究总结了对SRAM影响最为严重的叁种单粒子效应,即SEL、SEU和SET效应。其次,对SRAM的一般电路结构和基本工作原理进行了深入的研究,分析当前常用存储单元的优缺点,选择双模冗余的DICE结构存储单元作为本设计中SRAM的基本存储单元。在版图设计过程中制定了抗辐照版图设计规则,在版图级实现SRAM的抗辐照性能。提出了DICE存储单元的竖式布局的版图结构,增加了敏感节点对之间的间距,进一步提高了存储单元的抗SEU性能。最后,全定制实现了抗辐照SRAM的电路设计和版图设计。为了将抗辐照SRAM作为IP硬核应用于抗辐照芯片,提取出了版图中的寄生参数,建立了相应的物理库和时序库,并采用March C+算法对抗辐照SRAM进行了功能验证。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2014-03-01）
吕洁洁[3]（2013）在《一款基于130纳米体硅工艺的抗辐照锁相环的设计和实现》一文中研究指出我国航天事业的迅速发展，需要越来越多的电子系统工作在外层空间以及核爆等辐射环境。辐射环境中的高能粒子入射电子系统的敏感结点可能诱发单粒子效应。单粒子瞬变（SET）效应是单粒子效应的一种。随着集成电路特征尺寸的缩减，电源电压下降，工作频率提高，SET效应引发的锁相环（PLL）失效日趋严重。PLL在SET效应作用下，将引起时钟退化，严重时甚至导致失锁，给系统带来灾难性的后果。SET被确认为是导致多次航天器失效的基本原因。研究表明，SET已经成为威胁PLL的最主要辐射效应。本文采用电路级模拟方法就常规PLL对单粒子的敏感性进行了分析研究，重点研究了SET对电荷泵（CP）和压控振荡器（VCO）的影响及其设计加固技术。基于某公司130nm CMOS工艺设计并实现了一款抗辐照加固锁相环RHPLL2。地面辐射试验表明该PLL在LET为91MeV cm2/mg下未发现闩锁和失锁现象，且辐射环境下其周期-周期抖动较正常环境下无显着变化。本文的主要工作和创新点如下：（1）为了降低CP的SET敏感性，分析了CP中SET效应并探索了设计加固（RHBD）技术。首先，基于SET系统分析模型，从时域对CP进行了单粒子响应分析。时域分析结果表明CP对SET的敏感性与环路参数有关，可通过优化环路参数的方法来提高CP的抗辐射能力；其次，配合优化的环路参数对电荷泵进行了加固设计，敏感性分析结果表明加固效果良好。（2）建立了VCO的SET分析模型，根据此模型探索了VCO失效机理，通过电路的遍历分析，得到常规对称负载结构VCO的敏感结点。根据VCO敏感性分析的结果，对一种低开销的SET加固VCO进行了改进，降低了其SET敏感性。（3）基于某公司130纳米体硅工艺设计了一款抗辐照锁相环RHPLL2。常规测试结果表明，PLL可稳定工作在40MHz~200MHz的频率范围内。地面辐射试验结果表明，RHPLL2加固效果良好。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2013-03-01）
刘英明,徐静,李四华,吴亚明[4]（2012）在《基于体硅工艺的GLV光学调制器的研制》一文中研究指出采用体硅微加工工艺制作了一种基于光栅光阀(GLV)的光学调制器,使用仿真软件对器件参数进行了优化设计。对加工出来的器件进行了测试,并对测试结果进行了分析。器件成功的实现了光学调制的功能,采用10kHz的方波信号进行调制时,得到了峰峰值为50mv,响应时间为10μs的调制后波形。(本文来源于《光通信技术》期刊2012年04期）
闵崎[5]（2011）在《基于体硅工艺的MEMS疲劳试验装置设计、分析与制备》一文中研究指出近年来,随着MEMS器件在医药、汽车和航空等各个领域的广泛应用,其可靠性问题引起了人们越来越多的重视。疲劳作为MEMS器件的主要失效模式,成为微机电系统可靠性领域的研究热点之一。硅是MEMS器件的主要材料,其疲劳特性将直接影响微机电系统的可靠性。然而,硅的疲劳失效机理至今尚不明确。目前,进行硅微结构疲劳失效的研究主要以试验为基础,而现有试验装置无法研究体硅工艺制造的MEMS器件疲劳特性。因此,针对该问题,本文设计了一种平行板静电驱动的MEMS片上疲劳试验装置,这为硅微结构疲劳失效机理研究提供了硬件支撑和试验手段。主要研究内容如下:1.设计了试验装置的整体结构和工作原理,进行了关键结构梯形梁的力学特性分析和整体结构的模态分析,得到了梯形梁的刚度以及试验装置的固有振型和固有频率。最终根据结构设计理论和加工工艺条件设计了该试验装置的结构尺寸。2.在静力学分析的基础上,分别采用理论推导和机电耦合仿真的方法,对试验装置进行吸合效应分析,得到弯曲模态和扭转模态的吸合电压。再对该试验装置进行压膜阻尼分析,得到阻尼力随空气层厚度变化的规律,据此进行谐响应分析,得到硅微结构的谐振幅值。最后,通过疲劳应力分析证明该试验装置能够达到疲劳试验的要求。3.在理论和仿真分析的基础上,对硅结构和玻璃基板的制作工艺以及键合与封装工艺进行了设计,然后制得64个试验装置,并对实物进行了尺寸测量及误差分析,表明所制得试验装置的误差均在可接受范围内。4.对制得的试验装置进行了电路测试、电容测试和模态测试,去除了不合格品后,得到了7个合格试验装置及其前两阶固有频率。通过以上研究,本文设计了一种能进行硅微结构疲劳试验的特殊装置,为后续的硅微结构疲劳失效机理研究提供了硬件支撑与测试手段,对MEMS的可靠性设计和质量控制有一定的参考意义。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2011-12-01）
王家畴,荣伟彬,李昕欣,孙立宁,马立[6]（2009）在《基于体硅工艺的集成式定位平台》一文中研究指出针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制出了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度微型定位平台,定位平台采用侧向平动静电梳齿驱动。利用力电耦合和能量守恒原理分析了静电致动器的致动机理,对定位平台的主要失效模型、静态和动态特性进行详细建模分析,证明了静电梳齿力电耦合所导致的侧壁不稳定以及驱动器的最大稳定输出位移,给出了平台稳定工作条件下梳齿间隙、梳齿初始交错长度以及复合柔性支撑梁的弹性刚度比之间的关系。动态分析时考虑空气阻尼对平台的影响,给出了平台最大运行速度、位移及动态条件下的临界驱动电压并把分析结果应用于平台闭环控制。实验结果表明:驱动电压30 V时,平台稳定输出位移达10μm,机械稳定时间仅为2.5 ms。(本文来源于《光学精密工程》期刊2009年02期）
王家畴,荣伟彬,李昕欣,孙立宁[7]（2008）在《基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析》一文中研究指出针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减少失效的方法。同时,提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法。通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2.5μm,厚度为50μm的梳齿结构。(本文来源于《光学精密工程》期刊2008年04期）
缪旻,卜景鹏,赵立葳[8]（2008）在《一种基于体硅工艺的微机械可调节椭圆低通滤波器》一文中研究指出提出了一种椭圆低通可调滤波器的调谐方法,即通过调节第一传输零点(FTZ)来改变3dB截止频率Tc。解析计算表明,小范围内改变FTZ既可调节Tc和滚降速率,又能保证通带和阻带的特性基本不变。作者提出FTZ的移动可由串联谐振支路处容性MEMS开关的分布加载来实现,并基于微扰法求出器件中心谐振频率及特性的变化规律。本文相应设计了Tc为16GHz的7阶步进式滤波器。高频有限元全波仿真表明,每加载一个MEMS开关,Tc改变约1.5GHz,损耗特性则几乎不变。这证明了理论分析方法有较高的准确性,而且器件设计具有数字化调节能力和较出色的微波性能。这种方法也可用于高通和带通滤波器。论文还介绍了器件的体硅微加工流程及MEMS开关的初步加工结果。(本文来源于《传感技术学报》期刊2008年03期）
杨松,王宏,杨志家[9]（2007）在《45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度降低SRAM的泄漏功耗》一文中研究指出提出了一种在45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度来降低整体泄漏功耗的方法.所提方法具有不增加面积和延时、改善静态噪声边界、对SRAM设计流程的改动很小等优点.提出了叁种新型的SRAM单元结构,并且使用这些单元设计了一个32kb的SRAM,仿真结果表明,整体泄漏功耗可以降低50%以上.(本文来源于《半导体学报》期刊2007年05期）
霍明学,曲凤秋,王喜莲,刘晓为,陈强[10]（2004）在《体硅工艺微振动传感器的研制》一文中研究指出体硅工艺微振动传感器与表面工艺微振动传感器相比,具有灵敏度高、噪声低等优点.本文研制的体硅工艺微振动传感器,其敏感单元为叉指电极结构,弹性梁采用新颖的多级折梁结构.利用硅深槽刻蚀技术(ICP)制作微振动传感器,ICP的最大刻蚀深度可达400μm,最小线条宽度小于1μm.传感器的灵敏度可达56 8fF/g,测量范围-5g～5g,抗过载能力高于1000g,共振频率为2 5kHz.(本文来源于《哈尔滨工业大学学报》期刊2004年08期）
体硅工艺论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
空间技术的发展对高性能的集成电路芯片提出了抗辐照加固设计的新要求,以实现空间集成电路能够在复杂的辐射环境中正常工作。静态随机存取存储器作为集成电路芯片中重要的数据存取部件,主要由存储单元阵列和外围电路组成,由于其自身的敏感性和在芯片中占据着较大的版图面积,在辐射环境中极易受到空间辐射效应的影响,尤其是对单粒子效应中的SEL、SEU和SET效应最为敏感。这几种单粒子效应在SRAM电路中引起的错误将导致空间电子系统无法正常工作,甚至造成整个系统无法恢复的损伤。本文基于一款微处理器芯片中对SRAM抗辐照性能指标的要求,在对单粒子效应进行了深入研究的基础上,以全定制的设计方法设计实现了一款容量为512x32bits、具有良好抗单粒子效应的SRAM。在抗辐照SRAM的设计实现中,本文从以下几个方面做了相应的工作,并且取得了一定的研究成果,具体如下:首先,概括了辐射效应对空间电子系统的影响,讨论了SRAM抗辐照加固设计在抗辐照芯片设计中的重要性,并根据相关研究总结了对SRAM影响最为严重的叁种单粒子效应,即SEL、SEU和SET效应。其次,对SRAM的一般电路结构和基本工作原理进行了深入的研究,分析当前常用存储单元的优缺点,选择双模冗余的DICE结构存储单元作为本设计中SRAM的基本存储单元。在版图设计过程中制定了抗辐照版图设计规则,在版图级实现SRAM的抗辐照性能。提出了DICE存储单元的竖式布局的版图结构,增加了敏感节点对之间的间距,进一步提高了存储单元的抗SEU性能。最后,全定制实现了抗辐照SRAM的电路设计和版图设计。为了将抗辐照SRAM作为IP硬核应用于抗辐照芯片,提取出了版图中的寄生参数,建立了相应的物理库和时序库,并采用March C+算法对抗辐照SRAM进行了功能验证。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
体硅工艺论文参考文献
[1].梁永生,吴郁,郑宏超,李哲.65nm体硅工艺NMOS中单粒子多瞬态效应的研究[J].电子科技.2018
[2].司世清.一款基于65nm体硅工艺的抗辐照SRAM的设计与实现[D].国防科学技术大学.2014
[3].吕洁洁.一款基于130纳米体硅工艺的抗辐照锁相环的设计和实现[D].国防科学技术大学.2013
[4].刘英明,徐静,李四华,吴亚明.基于体硅工艺的GLV光学调制器的研制[J].光通信技术.2012
[5].闵崎.基于体硅工艺的MEMS疲劳试验装置设计、分析与制备[D].国防科学技术大学.2011
[6].王家畴,荣伟彬,李昕欣,孙立宁,马立.基于体硅工艺的集成式定位平台[J].光学精密工程.2009
[7].王家畴,荣伟彬,李昕欣,孙立宁.基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析[J].光学精密工程.2008
[8].缪旻,卜景鹏,赵立葳.一种基于体硅工艺的微机械可调节椭圆低通滤波器[J].传感技术学报.2008
[9].杨松,王宏,杨志家.45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度降低SRAM的泄漏功耗[J].半导体学报.2007
[10].霍明学,曲凤秋,王喜莲,刘晓为,陈强.体硅工艺微振动传感器的研制[J].哈尔滨工业大学学报.2004
论文知识图
