导读:本文包含了金属绝缘层半导体论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:复合绝缘层,金属-绝缘层-半导体,聚甲基丙烯酸甲酯,氮化硅
金属绝缘层半导体论文文献综述
谢强,闫闯,朱阳阳,孙强,王璐[1]（2019）在《基于复合绝缘层SiN_x/PMMA的有机金属-绝缘层-半导体器件》一文中研究指出为改善有机半导体器件的界面性能,在氮化硅层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)构成复合绝缘层。首先,利用原子力显微镜研究了不同浓度的PMMA复合绝缘层的表面形貌及粗糙度。接着,蒸镀六联苯(p-6P)、酞菁铜和金电极,构成有机的金属-绝缘层-半导体(MIS)器件。最后,研究了MIS器件的回滞效应及电性能。实验结果表明,复合绝缘层的粗糙度为单绝缘层的1/5,大约1.4 nm。复合绝缘层上的p-6P薄膜随着PMMA浓度增加形成更大更有序的畴,但单绝缘层上薄膜呈无序颗粒状。复合绝缘层的有机MIS器件几乎没有回滞现象,但单绝缘层的器件最大回滞电压约为12.8 V,界面陷阱电荷密度约为1.16×10~(12) cm~(-2)。复合绝缘层有机薄膜晶体管的迁移率为1.22×10~(-2) cm~2/(V·s),比单绝缘层提高了60%,饱和电流提高了345%。基于复合绝缘层的MIS器件具有更好的界面性能和电性能,可应用到有机显示领域。(本文来源于《发光学报》期刊2019年06期）
粟诗雨,宋宏甲,钟向丽,张溢,王金斌[2]（2017）在《金属-铁电层(BNT)-绝缘层(YSZ)-半导体(Si)二极管的存储特性及可靠性研究》一文中研究指出制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体(Pt/Bi_(3.15)Nd_(0.85)T_i3O_(12)/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。(本文来源于《现代应用物理》期刊2017年02期）
高梓喻,蒋永吉,李曼,郭宇锋,杨可萌[3]（2017）在《薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构的电容-电压特性》一文中研究指出随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI,研究了不同硅膜厚度下金属-绝缘层-半导体结构的低频和高频电容-电压特性,通过研究不同偏置下的能带结构探讨了其内在物理机理,并分析了考虑金属与半导体功函数差、绝缘层固定电荷等因素的影响时该结构的电容-电压特性,为通过电容-电压特性法对薄硅膜MIS结构进行参数提取与表征进行了有益探索。(本文来源于《应用科技》期刊2017年01期）
卓青青,刘红侠,彭里,杨兆年,蔡惠民[4]（2013）在《总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的叁种kink效应》一文中研究指出研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显着变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大.在高剂量辐照条件下,背栅ID-VSUB曲线中出现异常的"kink"现象,这是由辐照诱生的顶层硅膜/埋氧层之间的界面陷阱电荷导致的.(本文来源于《物理学报》期刊2013年03期）
张俊杰[5]（2008）在《金属—铁电—绝缘层—半导体（MFIS）结构器件电学性能模拟》一文中研究指出近年来随着信息技术的发展,非挥发性存储器成为研究的热点。其中铁电存储器以其读写速度快、操作电压低、功耗小等优点,成为最具潜力的非挥发性存储器之一。由具有金属-铁电-绝缘层-半导体(MFIS)结构的铁电场效应晶体管(FeFET)组成的铁电存储器以其非破坏性读出、存储密度高等优点引起国内外研究者的关注。本文以FeFET栅极部分的MFIS结构电容器为主要研究对象,分别利用半导体模拟软件和传统Lue模型,对其C-V特性、记忆窗口等性能进行了模拟;针对传统Lue模型没有考虑历史电场效应的缺陷,对MFIS电容器C-V模型进行了改进。主要工作和结论如下:(1)分别利用半导体器件模拟软件Silvaco/Atlas和传统Lue模型模拟了应用电压、绝缘层厚度以及绝缘层材料对MFIS电容器的C-V、P-V及记忆窗口的影响,定性分析了其产生的原因。模拟结果表明,MFIS电容器的C-V、记忆窗口受到铁电层的极化状态的影响,并且高的应用电压、薄的绝缘层厚度以及高介电常数的绝缘层材料能够改善电容器的性能。但是Silvaco/Atlas软件和传统Lue模型都是基于Miller模型,采用简单的tanh函数描述铁电层的极化行为,忽略了历史电场效应,对处于非饱和状态时MFIS电容器电学性能的模拟存在局限性,并且都没有得到实验的验证。(2)针对Lue模型中没有考虑历史电场效应的缺陷,对MFIS电容器的C-V模型进行了改进。在改进模型中,为了考虑历史电场效应,我们利用分布函数积分法,通过铁电偶极子矫顽电场的分布来描述铁电层的极化。同时考虑到铁电层极化的对称性,采用对称迭加的方法修正了Preisach模型对铁电层极化行为的描述。考虑MFIS电容器各层电位移矢量的连续性和高斯定理,将硅基底的物理行为和铁电层的极化行为联系起来,从麦克斯韦第一方程出发,得到了MFIS电容器C-V特性的改进模型。(3)根据改进模型,采用MATLAB程序,对具有Pt/SBT/ZrO_2/Si和Pt/BLT/MgO/Si结构的MFIS电容器铁电层的极化行为、电容器的C-V特性及记忆窗口进行了模拟,并且与传统Lue模型及实验结果进行了比较。模拟结果表明,改进模型能够更精确地预测MFIS电容器铁电层的极化行为、电容器的C-V特性及记忆窗口。同时,改进模型较传统Lue模型具有更明确的物理意义,有助于我们更好地理解MFIS电容器工作的物理机制。这项工作对MFIS电容器及其它MFIS类结构器件的制备和性能改善有一定的指导意义。(本文来源于《湘潭大学》期刊2008-05-22）
唐洁影,刘柯林,聂丽程[6]（2002）在《硅基双势垒金属-绝缘层-金属-绝缘层-半导体隧道发光结》一文中研究指出讨论了硅基双势垒金属绝缘层金属绝缘层半导体 (MIMIS)隧道发光结的结构、制备方法及发光特性。所制备的样品最大发光亮度达到 1.9cd/m2 、光谱的峰值波长移到了蓝绿光区 ,表明双势垒MIMIS隧道发光结的性能优于单势垒金属绝缘层半导体 (MIS)隧道发光结。利用量子力学的共振隧穿效应对它作了较好的解释(本文来源于《光学学报》期刊2002年10期）
吴应前[7]（1991）在《金属-绝缘层-半导体结构泊松方程的数值解法》一文中研究指出详细讨论了金属-绝缘层-半导体结构一维泊松方程的数值解法.推导了非均匀结点下的牛顿迭代公式.提出了边界条件的恰当形式.作为具体应用的实例,由热氧化MOS结构的高频C-V测量曲线进行了数值计算,获得了Ψ_s-V_G关系及界面陷阱密度分布.将这种方法与常用的准静态C-V法作了实验比较,两者的结果符合良好.但前者在制样、测量方面都比后者简单得多,故适合作为工艺监测的常规手段.(本文来源于《应用科学学报》期刊1991年04期）
金属绝缘层半导体论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体(Pt/Bi_(3.15)Nd_(0.85)T_i3O_(12)/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
金属绝缘层半导体论文参考文献
[1].谢强,闫闯,朱阳阳,孙强,王璐.基于复合绝缘层SiN_x/PMMA的有机金属-绝缘层-半导体器件[J].发光学报.2019
[2].粟诗雨,宋宏甲,钟向丽,张溢,王金斌.金属-铁电层(BNT)-绝缘层(YSZ)-半导体(Si)二极管的存储特性及可靠性研究[J].现代应用物理.2017
[3].高梓喻,蒋永吉,李曼,郭宇锋,杨可萌.薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构的电容-电压特性[J].应用科技.2017
[4].卓青青,刘红侠,彭里,杨兆年,蔡惠民.总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的叁种kink效应[J].物理学报.2013
[5].张俊杰.金属—铁电—绝缘层—半导体（MFIS）结构器件电学性能模拟[D].湘潭大学.2008
[6].唐洁影,刘柯林,聂丽程.硅基双势垒金属-绝缘层-金属-绝缘层-半导体隧道发光结[J].光学学报.2002
[7].吴应前.金属-绝缘层-半导体结构泊松方程的数值解法[J].应用科学学报.1991
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