硅基Si/Si0.65Ge0.35多量子阱APD响应特性的研究

硅基Si/Si0.65Ge0.35多量子阱APD响应特性的研究

论文摘要

以硅基材料为基底,外延生长20周期Si/Si0.65Ge0.35多量子阱结构的雪崩光电二极管(APD)探测器,分析了硅基量子阱结构的APD探测器能带对光子探测波长和响应灵敏度的影响。利用Silvaco TCAD进行工艺建模和光电性能仿真模拟。仿真结果表明,量子阱结构APD探测器响应峰值波长为0.95μm,探测响应截止波长为1.4μm,探测响应度提高了38%,实现了硅基APD探测器对微弱高频近红外光子的响应。

论文目录

  • 0 引 言
  • 1 Si1-xGex/Si量子阱能带理论
  •   1.1 Si1-xGex/Si量子阱能带结构
  •   1.2 Si/Si1-xGex量子阱吸收系数
  • 2 Si/Si1-xGex量子阱性能仿真
  •   2.1 器件结构设计
  •   2.2 量子阱周期数对器件响应特性的影响
  •   2.3 器件响应特性仿真分析
  • 3 结 论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 赵永红,孙芳魁,丁卫强,刘燕玲

    关键词: 硅基,量子阱,响应特性,红外吸收

    来源: 黑龙江大学自然科学学报 2019年03期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,信息科技

    专业: 物理学,无线电电子学

    单位: 哈尔滨工业大学理学院

    基金: 国家自然科学基金资助项目(11874134)

    分类号: O471.1

    DOI: 10.13482/j.issn1001-7011.2018.12.042

    页码: 359-362

    总页数: 4

    文件大小: 546K

    下载量: 79

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