导读:本文包含了单片微波集成电路论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:微波,集成电路,功率放大器,衰减器,半导体,滨海区,电路。
单片微波集成电路论文文献综述
周守利,张景乐,吴建敏,周赡成,程元飞[1]（2019）在《Ku波段微波单片集成电路6位数字衰减器设计》一文中研究指出基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用简化的T型衰减结构,实现了0.5 dB和1 dB的衰减位。16 dB衰减位采用开关型衰减拓扑,在提高衰减平坦度的同时,有效降低其附加相移。测试结果表明,在12～18 GHz的频率内,数字衰减器衰减64态均方根误差(RMS)小于0.25 dB,附加相移为-0.5°～+9.5°,插入损耗小于4.9 dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。芯片尺寸为3.00 mm×0.75 mm。该芯片电路具有宽频带、高衰减精度、小尺寸的特点,主要用于微波相控阵收发组件、无线通讯等领域。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2019年12期）
钱雨鑫,汤仕晖,李进[2]（2018）在《某单片微波集成电路漏电问题分析》一文中研究指出对某单片微波集成电路上机工作17个月后在客户端使用时频响不良的原因进行了研究。利用外观检查、 X-ray测试、 I-V特性曲线测试和声学扫描检查等手段对该单片微波集成电路的失效原因进行了具体的分析。通过测试发现样品的失效模式为漏电,内部芯片表面可见钝化层破损,因此推测样品失效与ESD损伤或沟道退化有关。(本文来源于《电子产品可靠性与环境试验》期刊2018年06期）
袁帅,邱云峰[3]（2018）在《微波单片集成电路测试技术研究》一文中研究指出微波单片集成电路主要应用于无线通讯、雷达、电子对抗等领域,近年随着装备发展对微波器件需求越来越大,其可靠性保证要求也越来越高,而目前单片有源微波器件在国内还处于起步阶段,相关的检测试验技术方法欠缺。针对这一问题,本文开展有源微波器件测试技术研究,以微波放大器、射频开关等几类典型器件为例介绍回波损耗、1dB压缩点、单边带相位噪声等主要微波特性参数的测试方法。(本文来源于《数字技术与应用》期刊2018年11期）
席善斌,高兆丰,裴选,尹丽晶,彭浩[4]（2017）在《微波单片集成电路的失效分析方法探讨》一文中研究指出随着通信、雷达产业的迅速发展,微波单片集成电路的应用越来越广泛,其可靠性和失效分析工作迫切需要开展和加强。本文通过对微波单片集成电路的特点分析,以一款微波单片混频器为对象开展了失效分析研究,通过显微红外热成像的方法,将失效点进行了准确定位。对分析过程和方法做了详细介绍,以期对同类产品开展失效分析提供借鉴作用。(本文来源于《环境技术》期刊2017年06期）
付生,赵健雄,范杰[5]（2017）在《滨海华芯集成电路产业园：填补国内高端单片微波集成电路芯片空白》一文中研究指出本报讯 (记者付生 通讯员赵健雄 范杰)为深入推进“项目建设年”活动,今年以来,滨海区把服务项目摆在首位,完善项目督查日、企业服务日、群众联系日、综合协调日“四个工作日”工作推进机制,以五星级的服务标准,全力加快重点项目建设步伐,加速滨海蓝色跨越。(本文来源于《潍坊日报》期刊2017-12-23）
科发[6]（2015）在《Cree启动全新项目,研发30W Ku波段碳化硅上氮化镓单片微波集成电路用高功率放大器》一文中研究指出美国Cree公司启动全新项目,致力研究可实现的最高功率Ku波段单片微波集成电路。Cree公司称,该30W Ku波段碳化硅上氮化镓单片微波集成电路两级高功率放大器可覆盖13.5-14.75GHz商用卫星通讯波段,相较现在广泛使用的行波管或砷化镓解决方案,可为卫星通讯产业提供更高功率、更高效率的Ku波段解决方案。该50ΩKu波段单片微波集成电路大功率放大器面积紧凑(25mm×9.6mm),10个引脚,金属/陶瓷法兰封装(CMPA1D1E025F)或作为裸光片直接使用(CMPA1D1E030D),可以工作在漏极电压40V下,在平均输出功率42dBm(本文来源于《半导体信息》期刊2015年03期）
戴剑,要志宏,赵瑞华,宋学峰,刘帅[7]（2014）在《宽带低噪声放大器单片微波集成电路》一文中研究指出从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20 GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构,每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电。测试结果表明,本款低噪声放大器在外加+5 V工作电压下,能够在2~20 GHz频率内实现小信号增益大于16 dB,增益平坦度小于±0.5 dB,输出P-1 dB大于14 dBm,噪声系数典型值为2.5 dB,输入和输出回波损耗均小于-15 dB,工作电流仅为63 mA,低噪声放大器芯片面积为3.1 mm×1.3 mm。(本文来源于《半导体技术》期刊2014年04期）
刁睿,赵瑞华[8]（2014）在《可变增益的功率放大器单片微波集成电路》一文中研究指出根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9 GHz频率范围内,1 dB压缩点输出功率大于33 dBm,当控制电压在-1~0 V之间变化时,放大器的增益在5~40dB之间变化,增益控制范围达到了35 dB。将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上,面积仅为3.5 mm×2.3 mm,具有灵活易用、集成度高和成本低的特点,可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。(本文来源于《半导体技术》期刊2014年04期）
吴永辉[9]（2011）在《X波段压控振荡器微波单片集成电路》一文中研究指出本论文基于GaAs HBT工艺设计了一款X波段压控振荡器MMIC,频率覆盖8-12.5GHz。该芯片电路在2.2mm×1.7mm的面积内集成了LC谐振电路、负阻产生电路、隔离放大器电路和ESD保护电路,无需任何外部器件,在单电源5V电压下即可稳定工作,其静态电流为44mA。文中对电路和版图作了精心地优化,在工作频率内的输出功率为5.5dBm,频偏为100kHz时的单边带相位噪声为-95dBc/Hz。此压控振荡器MMIC电路具有体积小、成本低、可靠性高等特点,可广泛应用于各种微波通信系统。(本文来源于《2011年全国微波毫米波会议论文集（下册）》期刊2011-06-01）
杨建军,刘英坤[10]（2010）在《Si基微波单片集成电路的发展》一文中研究指出随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了叁维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用。最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景。(本文来源于《半导体技术》期刊2010年03期）
单片微波集成电路论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对某单片微波集成电路上机工作17个月后在客户端使用时频响不良的原因进行了研究。利用外观检查、 X-ray测试、 I-V特性曲线测试和声学扫描检查等手段对该单片微波集成电路的失效原因进行了具体的分析。通过测试发现样品的失效模式为漏电,内部芯片表面可见钝化层破损,因此推测样品失效与ESD损伤或沟道退化有关。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单片微波集成电路论文参考文献
[1].周守利,张景乐,吴建敏,周赡成,程元飞.Ku波段微波单片集成电路6位数字衰减器设计[J].强激光与粒子束.2019
[2].钱雨鑫,汤仕晖,李进.某单片微波集成电路漏电问题分析[J].电子产品可靠性与环境试验.2018
[3].袁帅,邱云峰.微波单片集成电路测试技术研究[J].数字技术与应用.2018
[4].席善斌,高兆丰,裴选,尹丽晶,彭浩.微波单片集成电路的失效分析方法探讨[J].环境技术.2017
[5].付生,赵健雄,范杰.滨海华芯集成电路产业园：填补国内高端单片微波集成电路芯片空白[N].潍坊日报.2017
[6].科发.Cree启动全新项目,研发30WKu波段碳化硅上氮化镓单片微波集成电路用高功率放大器[J].半导体信息.2015
[7].戴剑,要志宏,赵瑞华,宋学峰,刘帅.宽带低噪声放大器单片微波集成电路[J].半导体技术.2014
[8].刁睿,赵瑞华.可变增益的功率放大器单片微波集成电路[J].半导体技术.2014
[9].吴永辉.X波段压控振荡器微波单片集成电路[C].2011年全国微波毫米波会议论文集（下册）.2011
[10].杨建军,刘英坤.Si基微波单片集成电路的发展[J].半导体技术.2010
论文知识图
