导读:本文包含了钛酸铜钙论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:CaCu_3Ti_4O_(12),巨介电机理,制备方法,掺杂
钛酸铜钙论文文献综述
于玉,邹承锐,刘展晴[1]（2019）在《钛酸铜钙巨介电材料的研究进展》一文中研究指出CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)材料以巨介电常数、低介电损耗等性能成为研究热点。该文主要介绍了CaCu_3Ti_4O_(12)材料的结构、巨介电机理、制备方法和掺杂改性,并简要叙述了材料的应用前景。(本文来源于《合成材料老化与应用》期刊2019年05期）
万维,罗俊荣,练超[2]（2019）在《Na_2SO_4熔盐法合成钛酸铜钙粉体》一文中研究指出以Na_2SO_4作为熔盐,采用熔盐法合成了钛酸铜钙(CaCu_3Ti_4O_(12),CCTO)粉料。探究了合成温度及Na_2SO_4加入量对合成的CCTO粉料性质的影响。研究发现,当合成温度从800℃升高到950℃,合成得到的CCTO粉料中BaTiO_3及CuO杂质相含量逐渐减少,在900℃及950℃合成温度下可以得到纯度高的CCTO粉料。随着合成温度的升高,合成得到的CCTO粉料颗粒粒径逐渐增大,颗粒从无规则形状向棱角光滑的多面体形状转变。改变Na_2SO_4的加入量对合成得到的CCTO粉料的颗粒粒径及形貌影响较小,但随着Na_2SO_4加入量的增多,合成得到的CCTO粉料中CuO杂质相含量有所增加。(本文来源于《广东化工》期刊2019年20期）
高亮[3]（2019）在《钛酸铜钙/聚偏氟乙烯复合介质的制备及介电性能研究》一文中研究指出高介电特性材料在电气及电子工程领域具有非常广阔的应用前景,例如可用于储能电容器及嵌入式电容器。在新时期能源利用领域,储能器件的轻量化、微型化和特殊用途需求对材料的介电特性提出更高的要求,希望能获得兼有高介电常数、低介质损耗、高击穿场强及易加工等综合性能良好的介电材料体系。随着纳米复合技术的发展,高介电陶瓷-聚合物类复合材料引起了越来越多的关注。本文围绕钛酸铜钙(CaCu_3Ti_4O_(12))无机陶瓷填料进行结构设计,提升聚偏氟乙烯(PVDF)基复合介质的介电性能及储能特性。在微/纳米CaCu_3Ti_4O_(12)/PVDF复合介质的研究中,利用溶胶凝胶-燃烧法制备微米级CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)颗粒,水热合成法制备纳米级CCTO颗粒,微/纳米CCTO颗粒均能提高PVDF基复合材料的相对介电常数。通过化学镀镍法合成微米CCTO@Ni填充相,在溶液涂覆法制备中施加磁场处理获得高相对介电常数的CCTO@Ni/PVDF复合薄膜。研究表明,微米CCTO颗粒的表面镀镍修饰能够降低填充相的用量;采用磁场处理可以促进界面极化,进一步提高PVDF复合材料的相对介电常数。通过静电纺丝法制备钛酸铜钙纤维,并调控其纺丝与退火工艺参数,获得不同尺寸和表面形貌的CCTO纤维填充相,对比研究CCTO形貌及纤维尺寸对PVDF微结构与介电特性的影响。控制聚乙烯吡咯烷酮(PVP)用量、纺丝速度、烧结温度及时间等参数,能够调控CCTO纤维的表面形貌和尺寸。与微米颗粒相比,钛酸铜钙纳米纤维(CCTO NFs)在PVDF基体中呈随机分布状态,不易发生团聚及孔洞等缺陷,且与基体之间具有更强的界面极化作用,更有效地改善PVDF的介电特性。本文对CCTO NFs进行表面化学镀镍修饰及工艺调控,获得形貌可控的CCTO@Ni NFs填充相,并制备得到更高相对介电常数的CCTO@Ni NFs/PVDF复合薄膜。CCTO@Ni NFs在PVDF基体中保持良好分散性;Ni纳米粒子的引入增加界面区域电子浓度,而磁场诱导加强界面极化作用,显着提升PVDF基复合材料的相对介电常数。表面镀镍修饰及磁场处理显着提高PVDF基复合材料相对介电常数的同时,伴随损耗因数的增加,而影响材料的击穿及储能特性。为克服上述问题,实验设计核-壳结构CCTO@Al_2O_3 NFs填充相,并经多巴胺处理后制备Al_2O_3NFs/PVDF、CCTO NFs/PVDF和CCTO@Al_2O_3 NFs/PVDF纳米复合材料,研究填充相种类、体积分数及核壳结构设计对PVDF复合材料的微结构与介电、击穿和储能特性的影响。研究表明,CCTO内核的本征高介电特性保持复合材料具有较高的相对介电常数(ε_r~18.4)。绝缘性能良好的Al_2O_3外壳既抑制载流子迁移而降低固有电导率,从而减小损耗因数(tanδ~0.13);又改善介电差异性而削弱电场畸变,从而提高击穿场强(E_b~353.77kV/mm)。在340kV/mm的电场强度下,4vol.%CCTO@Al_2O_3 NFs/PVDF纳米复合薄膜的最大储能密度为8.46J/cm~3,较PVDF提高1.3倍。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2019-06-01）
张强,江平开,黄兴溢[4]（2019）在《氧化铝@钛酸铜钙/聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)复合材料的制备与介电性能研究》一文中研究指出采用水热法合成线型钛酸铜钙,并在其表面包覆一层氧化铝薄膜,以聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)作为基体,制备了纳米复合材料,研究了颗粒形貌和填充量对复合材料介电性能和储能性能的影响。结果表明:表面包覆氧化铝的线型钛酸铜钙在聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)基体中有较好的分散性,可以有效提高复合材料的介电常数,同时保持复合材料低的介质损耗;当表面包覆氧化铝的线型钛酸铜钙体积分数为5%时,复合材料的最大储能密度达到1.67 J/cm~3;线型钛酸铜钙制备的复合材料比颗粒状钛酸铜钙制备的复合材料具有更加优异的介电性能及储能性能。(本文来源于《绝缘材料》期刊2019年04期）
李振[5]（2019）在《钛酸铜钙/硅橡胶复合介质电导非线性特性研究》一文中研究指出高压直流输电具有能量损耗小,对线路能简单快速的控制,方便电力联网等优点在输电领域扮演着越来越重要的角色。但是由于直流电缆附件具有复杂的复合绝缘结构,各组成材料之间存在较大的电导梯度,会引起局部电场分布集中,导致附件绝缘强度下降。为了解决电缆附件中电导梯度的问题,本文通过对双组份加成液体硅橡胶改性,使其电导性能与电缆主绝缘形成良好的匹配,以解决电导梯度导致的局部电场分布集中问题。本文通过溶胶凝胶法和静电纺丝技术分别制备了钛酸铜钙纳米颗粒和钛酸铜钙纳米纤维,采用机械搅拌的方式将不同形貌的钛酸铜钙均匀分散到液体硅橡胶中,制备得到不同掺杂含量的钛酸铜钙纳米颗粒/硅橡胶和钛酸铜钙纳米纤维/硅橡胶复合介质,对制备的无机填充相和复合介质进行微观形貌和结构表征,并对不同形貌掺杂的复合介质进行介电性能、电导性能、直流击穿性能和空间电荷性能进行测试,最后通过COMSOL Multiphysics仿真软件在电、热耦合作用下对附件的暂态和稳态电场分布进行分析。结果发现:制备的钛酸铜钙纳米颗粒粒径为300-500nm,钛酸铜钙纳米纤维直径约为400nm,纤维长度5-8um;随着填料掺杂浓度增加,复合介质的介电常数也逐渐增大,相同掺杂浓度的钛酸铜钙纳米颗粒/硅橡胶复合介质低于钛酸铜钙纳米纤维/硅橡胶复合介质的介电常数;复合介质的电导率随着无机填料掺杂浓度增加也随之增大,钛酸铜钙纳米纤维/硅橡胶复合介质的电导率增大更为明显;同时复合介质的直流击穿强度随着无机填料的增加而降低;复合介质退极化过程表明空间电荷消散速率与无机填充相的浓度成正相关关系;最后仿真结果表明,随着无机填料的浓度增加,应力锥根部电场集中得到明显改善,钛酸铜钙纳米纤维/硅橡胶复合介质的改善效果更有效,3vol.%钛酸铜钙纳米纤维/硅橡胶复合介质在稳态、暂态过程中都能达到良好的改善电场分布效果。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2019-03-01）
迟庆国,李振,张天栋,张昌海[6]（2019）在《钛酸铜钙纳米纤维/液体硅橡胶复合介质非线性电导性能》一文中研究指出为解决直流电缆附件内因温度梯度和材料电导率差异而引起的局部电场畸变的难题,本文通过静电纺丝方法制备了钛酸铜钙(CaCu_3Ti_4O_(12))纳米纤维,并将其分散在液体硅橡胶中合成了具有非线性电导特性的CaCu_3Ti_4O_(12)纳米纤维/液体硅橡胶复合介质。采用XRD和SEM对CaCu_3Ti_4O_(12)纳米纤维和CaCu_3Ti_4O_(12)纳米纤维/硅橡胶复合介质进行微观结构表征,并对CaCu_3Ti_4O_(12)纳米纤维/硅橡胶复合介质的介电特性、空间电荷特性及在30℃、50℃、70℃条件下电导率随电场强度变化规律和击穿强度进行测试,最后建立电缆附件模型,并对附件应力锥根部电场进行仿真。结果发现:CaCu_3Ti_4O_(12)纳米纤维/硅橡胶复合材料的介电常数和电导率都随着CaCu_3Ti_4O_(12)纳米纤维含量的增加而增大,当纳米纤维达到3vol%时复合介质的相对介电常数增加到3.27,非线性电导率也变化了近4个数量级,经过空间电荷测试发现,空间电荷的消散量与CaCu_3Ti_4O_(12)纳米纤维含量也正相关,复合材料的直流击穿强度随纳米纤维含量的增加而降低,通过对附件进行稳态电压作用下的电场分布仿真分析发现,当CaCu_3Ti_4O_(12)纳米纤维的含量为2vol%时,应力锥根部最大电场强度已经从增强绝缘中转移到电缆主绝缘中,在正、反极性雷电冲击电压作用下,3vol%含量的CaCu_3Ti_4O_(12)纳米纤维/硅橡胶复合介质作为增强绝缘材料时最大电场强度均远远低于其击穿强度。以上实验结果表明,CaCu_3Ti_4O_(12)纳米纤维作为填充相在较低的掺杂浓度实现了对液体硅橡胶的改性,满足了复合介质应用于电缆附件的电气绝缘性能需求。(本文来源于《复合材料学报》期刊2019年10期）
马春来[7]（2018）在《铁、镁混合对钛酸铜钙陶瓷性能的影响》一文中研究指出从2000年之后,一种新型高介电的钛酸铜钙(CaCu_3Ti_4O_(12),CCTO)材料受到了国内外学者的广泛关注。这种材料的介电常数不仅高达10~4,而且能在较宽的频率(20-10~5 Hz)和温度(30-180~℃)范围内保持稳定的状态。因为CCTO具有良好的介电性能,使得其能在超级电容器、新能源汽车能源存储等应用方面发挥重要的作用,这吸引了大量学者对其进行研究。钛酸铜钙陶瓷的介电性能在不同的频率下表现不同,在低频范围内(<10~3 Hz),介电常数高,介电损耗低,在较高的频率状态下(>10~5 Hz),介电常数迅速降低,介电损耗急剧升高。对此,引入IBLC模型解释这种现象。该模型认为陶瓷内部存在半导体晶粒和绝缘的晶界。本文以NaCl作为熔盐,在800~℃下烧结2小时,即可制备纯相钛酸铜钙。为探究CCTO陶瓷介电性能变化的机理,在一定程度上提高介电常数并降低介电损耗,分别采用Fe、Mg元素进行混合。1.Fe元素混合实验发现,烧结时间为10 h,混合量为0.01的陶瓷,其介电性能较其他混合量的陶瓷高。复合陶瓷的介电损耗在高频范围内比纯相陶瓷低,但介电常数整体值低于纯相陶瓷。为提升介电常数,将烧结时间延长至20 h发现,混合量为0.01的陶瓷,在低频范围内,介电常数值可达3×10~4,介电损耗可低于0.1,优于纯相陶瓷。结合扫描电子显微镜、X-射线衍射仪及拉曼光谱等研究Fe元素混合量对陶瓷介电性能的影响机理。结果表明:一定量的Fe元素混合,对晶粒的生长有抑制作用,晶粒数增多,晶界变薄,介电常数提升。继续增大混合量,对晶粒生长的抑制作用减弱、消失甚至对晶粒的生长产生促进作用,晶粒的粒径增大,晶界变厚,介电常数降低。Fe元素的混合,对陶瓷TiO_6中O-Ti-O的伸缩振动产生影响,导致Ti离子发生了偏心位移,引起局部的晶格拉伸,使极化更为容易,导致高介电常数。2.Mg元素的混合实验发现,烧结时间为10 h,混合量为0.05的陶瓷,介电常数可达9×10~4,介电损耗值可低于0.1。一定量的Mg元素混合,对晶粒生长有抑制作用,晶粒数增多,粒径减小,晶界变薄,介电常数升高。(本文来源于《深圳大学》期刊2018-06-30）
王瀚晨[8]（2018）在《钛酸铜钙颗粒/聚偏氟乙烯复合材料介电及击穿特性研究》一文中研究指出聚偏氟乙烯(PVDF)在电气设备中的应用十分广泛,可以通过添加高介电常数陶瓷材料来提高PVDF的性能。钛酸铜钙(CCTO)作为一种巨介电常数的陶瓷材料,可以有效的提高电介质的介电性能。但是作为陶瓷颗粒,在添加进PVDF之后会对电介质的击穿场强产生负面影响。为了提高CCTO/PVDF的击穿性能,对CCTO进行表面多巴胺(Dopa)包覆。分别将不同比例的CCTO和Dopa@CCTO加入PVDF中,制备不同体积分数的CCTO/PVDF与Dopa@CCTO/PVDF。通过扫描电镜和红外光谱对CCTO、Dopa@CCTO、CCTO/PVDF与Dopa@CCTO/PVDF进行结构表征。对CCTO/PVDF和Dopa@CCTO/PVDF复合薄膜分别进行介电性能测试,数据结果表明:随着CCTO与Dopa@CCTO添加量的增加,CCTO/PVDF复合薄膜和低掺杂浓度的Dopa@CCTO/PVDF复合薄膜的相对介电常数均有所提高。在PVDF中添加相同比例的CCTO与Dopa@CCTO,Dopa@CCTO/PVDF介质损耗因数都小于CCTO/PVDF。对所得到的CCTO/PVDF复合薄膜进行击穿实验,结果表明:随着CCTO添加量的增加,CCTO/PVDF的直流击穿场强呈现下降的趋势,此外所有比例的CCTO/PVDF的击穿场强都低于纯PVDF的击穿场强。再对Dopa@CCTO/PVDF复合薄膜进行击穿实验,结果表明:随着Dopa@CCTO添加量的增加,复合材料的直流击穿场强呈现下降的趋势,且都低于纯PVDF的击穿场强。对相同体积分数下CCTO/PVDF与Dopa@CCTO/PVDF复合薄膜的击穿场强进行对比发现多巴胺改性后的复合材料击穿场强有着显着的提高。在保证复合材料介电性能的前提下提高其击穿场强,对于储能器件的发展具有非常重要的意义。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2018-06-01）
张茹[9]（2018）在《钛酸铜钙/镍（钴）铁氧体复合陶瓷材料的介电及磁性能研究》一文中研究指出随着微电子工业的迅速发展,电子元器件正在向小型化和多功能化方向发展,因此具有高介电特性的介电材料和具有优异磁性能的铁氧体材料的研究备受关注。另外,同时具有优良的电、磁性能,并且二者之间可以产生耦合作用的磁电复合材料的研究也引起了人们的广泛兴趣。钛酸铜钙(CaCu_3Ti_4O_(12))是近年来备受关注的一种巨介电材料,具有很高的介电常数以及很好的温度稳定性等特点。铁酸镍(Ni Fe_2O_4)和铁酸钴(Co Fe_2O_4)两种铁氧体具有优良的磁性能,而且因其具有耐高温、高硬度、高强度和热稳定性好的优点,被用作性能优良的磁性陶瓷材料。经大量的研究证明,CaCu_3Ti_4O_(12)的介电性能以及NiFe_2O_4和CoFe_2O_4的磁性能都与材料的结构密切相关。为了成功制备出具有高储能和多功能的复合材料,本文首先研究了利用Mg和Ni元素掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)对其结构和性能的影响,然后对NiFe_2O_4和CoFe_2O_4材料的结构和磁性进行了深入探讨,在此基础上,我们经过大量的实验,成功制备出了CaCu_3Ti_4O_(12)/Ni Fe_2O_4和CaCu_3Ti_4O_(12)/CoFe_2O_4复合材料,并对其磁电性能进行了研究。首先采用溶胶凝胶法制备出CaCu_(3-x)Mg_xTi_4O_(12)(x=0,0.05,0.1和0.2)和CaCu_(3-x)-x Ni_xTi_4O_(12)(x=0,0.05,0.1和0.2)样品并研究其不同的掺杂浓度、烧结温度和烧结时间对样品微观结构和介电性能的影响。CaCu_(3-x)Mg_x Ti_4O_(12)陶瓷样品的介电常数随Mg~(2+)的增加而下降。当CaCu_(2.9)Mg_(0.1)Ti_4O_(12)在1080~oC下烧结8 h时,样品的介电常数达到2.52×10~4,介电损耗低至0.017。对比之前的研究,其介电常数仍保持较高水平,而且介电损耗大幅下降,极大地提高了这种材料的介电性能。另外,Ni~(2+)的掺杂同样可以改善CCTO的介电性能。当烧结温度为1060~o C和烧结时间为8 h时,CaCu_(2.95)Ni_(0.05)Ti_4O_(12)陶瓷样品的介电常数达到4.2×10~4,介电损耗可低至0.025。然后又通过溶胶凝胶法制备出了NiFe_2O_4和CoFe_2O_4陶瓷样品,我们将其在不同的温度下进行烧结,并且对其晶体结构、微观结构、磁性能和介电性能进行分析研究。Ni Fe_2O_4的介电常数随频率的增加而下降。在介电损耗图中可以观察到一个弛豫现象,并且弛豫峰随着烧结温度的升高向高频方向移动。NiFe_2O_4的剩余磁矩随晶粒尺寸的增大而增加,矫顽力则是相反的。当烧结温度超过1000~oC时,饱和磁矩可达到50 emu/g以上。当烧结温度为1300~oC时,Ni Fe_2O_4的矫顽力最低,是159.49 Oe。另外,当CoFe_2O_4的烧结温度从900~o C升高到1300~oC时,其晶粒尺寸从0.26 um增加到0.83 um。CoFe_2O_4的介电常数和介电损耗都表现出了很强的温度依赖性。并且烧结温度为1300~o C的Co Fe_2O_4在高频区域的介电常数(~100)是明显高于其他样品的值(~10)。当烧结温度是1300~oC时,CoFe_2O_4的饱和磁矩可达87.32 emu/g,而当烧结温度为900~o C时,CoFe_2O_4的矫顽力可达1368.33 Oe。最后,制备了不同摩尔比的CaCu_3Ti_4O_(12)/NiFe_2O_4磁电复合材料和CaCu_3Ti_4O_(12)/CoFe_2O_4磁电复合材料,并且对其晶体结构、微观结构、磁性能和介电性能进行分析研究。研究发现复合材料的两相成功地共存,没有发生化学反应。随着Ca Cu_3Ti_4O_(12)含量的增加,CaCu_3Ti_4O_(12)衍射峰的强度也相应增强。当CaCu_3Ti_4O_(12)/NiFe_2O_4(摩尔比3:1)陶瓷样品的烧结温度为1100~oC时,其介电常数明显高于其他烧结温度样品的值。CaCu_3Ti_4O_(12)/NiFe_2O_4样品在烧结温度为1040~oC时,饱和磁矩为2.27emu/g。另外,CaCu_3Ti_4O_(12)/CoFe_2O_4样品在烧结温度为1100~oC时,CaCu_3Ti_4O_(12)/Co Fe_2O_4(摩尔比2:1)的样品密实度最高、孔隙最少,而且其介电常数明显高于其他比例样品的值。CaCu_3Ti_4O_(12)/CoFe_2O_4复合陶瓷样品的饱和磁矩和剩余磁矩都随着CoFe_2O_4含量的增加而增加,最大值分别是19.18 emu/g和6.29 emu/g。复合材料的矫顽力在两相的组分各为50%时是最大的,约为230 Oe。(本文来源于《太原理工大学》期刊2018-06-01）
孙康[10]（2018）在《钛酸铜钙薄膜制备工艺及介电性能的研究》一文中研究指出随着微电子工业的发展,对器件低功耗、高性能化、尺寸微型化以及集成化等方面提出了更高的要求。近年来,一种新型介电材料,钛酸铜钙(CaCu3Ti4012,CCTO),因其独特的介电行为、超高的介电常数,引起了研究者们广泛兴趣,有望成为制备超级电容器、可变电阻器、微波器件、气体传感器和能量存储器件的理想材料。然而,CCTO材料巨介电常数的起源仍然不明确而限制了对其性能的进一步优化。此外,CCTO材料虽然有超高的介电常数,但同时伴随着较高的介电损耗,不利于材料的应用。针对上述问题,论文以磁控溅射法制备的CCTO薄膜作为研究对象,考察了不同工艺条件处理对CCTO薄膜晶体结构、微观形貌及介电性能的影响,获得CCTO薄膜的最佳制备工艺参数;并初步探索共溅射法制备Nb掺杂CCTO薄膜的基本工艺。主要结论如下:一、制备了不同溅射气压(0.3 Pa,0.45 Pa,0.6 Pa,0.8 Pa 和 0.9 Pa)下的 CCTO薄膜,考察了溅射气压对预制备CCTO薄膜晶体结构和介电性能的影响。研究发现,溅射气压为0.45 Pa时,所制备的CCTO薄膜的特征峰明显,杂相峰峰强较弱、个数较少,并且具有最大的介电常数。二、在溅射气压为0.45 Pa下,对CCTO薄膜在不同温度(室温,200 ℃,400 ℃,600 ℃,800 ℃和900 ℃)下进行退火处理,并考察了退火温度对CCTO薄膜晶体结构和介电性能的影响。研究表明,退火温度能够改善CCTO的晶化情况,提高薄膜的介电性能。退火温度为800 ℃时,CCTO的晶化效果最好,特征峰明显,杂相少。退火温度越高,薄膜的介电常数越大。800 ℃退火处理时,CCTO薄膜的介电常数最大,f=1 kHz时的介电常数为256。叁、基于上述工艺参数,分别在空气和氧气气氛中对薄膜退火处理并与未退火处理的预制备薄膜样品对比。研究结果表明,CCTO薄膜为纯立方相结构且呈现(422)择优取向,退火能够促进晶粒的进一步长大,退火处理的薄膜样品晶界电阻值增长显着,且表现出与预制备薄膜样品不同的介电行为:样品中频处由氧空位二次电离产生的介电弛豫退火处理后消失了;氧气气氛退火处理的样品介电常数在1 Hz达到104,比预制备样品高一个数量级。这可能是氧气中退火时薄膜晶界处氧空位得到填充,薄膜具有更好的晶化效果造成的。四、论文从降低CCTO薄膜介电损耗着手,采用共溅射方法制备了不同溅射功率的Nb掺杂CCTO薄膜(Nb-CCTO),从结构、性能等方面探索Nb掺杂功率对CCTO薄膜介电性能的影响。X射线衍射图谱表明Nb-CCTO薄膜中含有少量CaTiO3,TiO2和CuO二次相,CCTO相呈现(422)择优取向。Nb掺杂功率越大,Nb-CCTO薄膜颗粒尺寸越小,颗粒之间排列更加致密。薄膜介电常数(ε')随Nb掺杂功率增加而下降,而介电损耗(tanδ)却随Nb掺杂功率的增加而增大。这可能是Nb元素的引入抑制了晶粒长大造成的;此外少量残存在薄膜中的Nb原子的局部电导也可能引起这种介电现象。研究发现,当Nb靶溅射功率为30 W时,薄膜具有相对较高的介电常数和较低的介电损耗。(本文来源于《湖北大学》期刊2018-05-01）
钛酸铜钙论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以Na_2SO_4作为熔盐,采用熔盐法合成了钛酸铜钙(CaCu_3Ti_4O_(12),CCTO)粉料。探究了合成温度及Na_2SO_4加入量对合成的CCTO粉料性质的影响。研究发现,当合成温度从800℃升高到950℃,合成得到的CCTO粉料中BaTiO_3及CuO杂质相含量逐渐减少,在900℃及950℃合成温度下可以得到纯度高的CCTO粉料。随着合成温度的升高,合成得到的CCTO粉料颗粒粒径逐渐增大,颗粒从无规则形状向棱角光滑的多面体形状转变。改变Na_2SO_4的加入量对合成得到的CCTO粉料的颗粒粒径及形貌影响较小,但随着Na_2SO_4加入量的增多,合成得到的CCTO粉料中CuO杂质相含量有所增加。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
钛酸铜钙论文参考文献
[1].于玉,邹承锐,刘展晴.钛酸铜钙巨介电材料的研究进展[J].合成材料老化与应用.2019
[2].万维,罗俊荣,练超.Na_2SO_4熔盐法合成钛酸铜钙粉体[J].广东化工.2019
[3].高亮.钛酸铜钙/聚偏氟乙烯复合介质的制备及介电性能研究[D].哈尔滨理工大学.2019
[4].张强,江平开,黄兴溢.氧化铝@钛酸铜钙/聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)复合材料的制备与介电性能研究[J].绝缘材料.2019
[5].李振.钛酸铜钙/硅橡胶复合介质电导非线性特性研究[D].哈尔滨理工大学.2019
[6].迟庆国,李振,张天栋,张昌海.钛酸铜钙纳米纤维/液体硅橡胶复合介质非线性电导性能[J].复合材料学报.2019
[7].马春来.铁、镁混合对钛酸铜钙陶瓷性能的影响[D].深圳大学.2018
[8].王瀚晨.钛酸铜钙颗粒/聚偏氟乙烯复合材料介电及击穿特性研究[D].哈尔滨理工大学.2018
[9].张茹.钛酸铜钙/镍（钴）铁氧体复合陶瓷材料的介电及磁性能研究[D].太原理工大学.2018
[10].孙康.钛酸铜钙薄膜制备工艺及介电性能的研究[D].湖北大学.2018
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