导读:本文包含了多量子论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:量子,多量,载流子,空穴,施密特,蝶形,模型。
多量子论文文献综述
孙伟业,邓军,何磊磊,杜欣钊[1]（2020）在《多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺》一文中研究指出基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度。采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚苯乙烯(PS)材质小球作为表面掩膜,对小球的单层排布、PS小球刻蚀和光栅的刻蚀等工艺进行了深入的实验研究,并得出了最优的工艺参数。制备出了具有良好均匀性和一致性的二维光栅结构。通过傅里叶光谱仪测得表面光栅的耦合波长为6～9μm。最后研究了不同工艺条件对耦合结果的影响,证实当光栅直径为PS球直径的0.74倍时获得的耦合效果最优。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2020年01期）
郑卫民,黄海北,李素梅,丛伟艳,王爱芳[2]（2019）在《δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文）》一文中研究指出叁个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件。在4～200 K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150 K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。(本文来源于《发光学报》期刊2019年11期）
程效伟,刘豆,黄峰,詹文浩[3]（2019）在《基于网络编码的多量子多方协作多播实现技术研究》一文中研究指出两方通信的基础上分别各增加一个发送方和一个接收方,研究两个发送方给两个地位等同的接收方同时传输相同的量子信息的多方保密通信协议。利用蝶形网络模型,使用网络编码技术,设计一个量子协作多播(QCM)方案,即两个接收方可以同时接收到两个发送方传输的相同量子态的联合信息,实现四个参与方之间的量子保密通信任务。(本文来源于《通信技术》期刊2019年10期）
[4]（2019）在《基于超导多量子比特量子模拟研究取得进展》一文中研究指出近年来,量子计算领域备受学术界、各大科技公司以及公众的关注。在某些领域,诸如大数分解和量子多体系统模拟,经典计算机具有难以克服的瓶颈,而量子计算却有望解决这些难题。因此,它具有相当广阔的应用前景。一方面,量子计算领域的科学家一直在追求制造出可实用的通用量子计算机;另一方面,作为这个期间的副产品——对噪音有冗余的量子多体模拟,也备受学术界关注。现阶段的多比特量子处理器虽然还达不到通用量子(本文来源于《高科技与产业化》期刊2019年09期）
杨超普,方文卿,毛清华,杨岚,刘彦峰[5]（2019）在《InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱》一文中研究指出利用MOCVD在Al_2O_3(0001)衬底上制备InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片。以400 mW中心波长405 nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330 K低温PL谱测量装置,以及350～610 K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaN MQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100～610 K范围的温度依赖性。研究结果表明:在100～330 K温度范围内,外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温度依赖性,分别呈现S与W形变化;载流子的完全热化分布温度约为150 K,局域载流子从非热化到热化分布的转变温度为170～190 K;350～610 K高温范围内,InGaN/GaN MQW主发光峰峰值能量随温度变化满足Varshni经验公式,可在MOCVD外延生长掺In过程中,通过特意降温在线测PL谱,实时推算掺In量,在线监测外延片生长。以上结果可为外延片的PL发光机理研究、高温在线PL谱测量设备开发、掺In量的实时监测等提供参考。(本文来源于《发光学报》期刊2019年07期）
赵永红,孙芳魁,丁卫强,刘燕玲[6]（2019）在《硅基Si/Si_(0.65)Ge_(0.35)多量子阱APD响应特性的研究》一文中研究指出以硅基材料为基底,外延生长20周期Si/Si_(0.65)Ge_(0.35)多量子阱结构的雪崩光电二极管(APD)探测器,分析了硅基量子阱结构的APD探测器能带对光子探测波长和响应灵敏度的影响。利用Silvaco TCAD进行工艺建模和光电性能仿真模拟。仿真结果表明,量子阱结构APD探测器响应峰值波长为0.95μm,探测响应截止波长为1.4μm,探测响应度提高了38%,实现了硅基APD探测器对微弱高频近红外光子的响应。(本文来源于《黑龙江大学自然科学学报》期刊2019年03期）
宋丹[7]（2019）在《基于施密特分解的多量子比特隐形传态协议研究》一文中研究指出量子通信是量子力学与信息学交叉形成的新兴学科,依托量子态的量子特性,对通信系统中的经典信息进行传输,旨在提高通信的安全性和可靠性。量子隐形传态系统借助经典信道传输辅助信息,通过量子信道实现量子态的分发和传输,具有与经典信息论相比更安全高效的应用价值,该技术还将促进量子网络和量子计算的进一步发展。本文的主要研究内容包括:1、掌握了一些量子隐形传态的基础理论。针对量子傅里叶变换的物理性质,证明了量子傅里叶变换计算基的完备正交性。对量子系统进行施密特分解,将所研究的问题根据量子系统与预传输态施密特秩的相等与非相等关系分成两类。2、针对量子系统与预传输态施密特秩的相等关系,提出了一种五量子比特Brown态预先分发作为量子信道的四量子比特GHZ态的隐形传态协议。通过探索系统线性变换的方法,得到投影测量基与幺正变换矩阵的对应关系。该方法使特定量子态的量子隐形传态协议的设计更具普适性。进一步对GHZ态的隐形传态协议进行了n维扩展,并验证了基于施密特秩相等关系中线性变换方法的正确性。3、针对量子系统与预传输态施密特秩的非相等关系,提出了一种五量子比特Brown态预先分发作为量子信道的叁量子比特W态的隐形传态协议。通过探索系统量子傅里叶变换的方法,得到投影测量基与幺正变换矩阵的对应关系。分析表明,量子傅里叶变换能够适用于更复杂的粒子结构,并具有将复杂系统简化的能力。进一步对W态的隐形传态协议进行了n维扩展,并验证了基于施密特秩非相等关系中量子傅里叶变换方法的正确性。(本文来源于《西北大学》期刊2019-06-01）
李洪斌[8]（2019）在《In组分渐变的InGaN/GaN多量子阱结构光学特性》一文中研究指出随着社会的发展,在全社会用电量中,照明用电的比例越来越大。因此,迫切需要发展节能高效的新型照明。近年来,发光二极管(light-emitting diode，LEDs)因其亮度高、能耗低、寿命长和响应快的优点,成为取代传统照明的第四代照明方式。在各种材料制备的LEDs当中,氮化镓(GaN)基LED由于具有直接带隙和带隙可调的优点,吸引了广泛的关注,并大量应用于普通照明、背光源和显示等领域。GaN基LED，可以通过改变有源区铟镓氮(InGaN)或者铝镓氮(AlGaN)中In、Ga、Al叁种元素的含量,实现禁带宽度从0.7 eV到6.2 eV的变化,其发光波长可以从近紫外覆盖到近红外。目前,InGaN/GaN多量子阱(MQWs)基LED在蓝光波段的内量子效率(IQE)已经超过90%。但是随着发光波长的增长,InGaN/GaN MQWs基LED的IQE显着下降,尤其是在黄绿范围内,产生所谓的“黄绿鸿沟”问题。造成这一问题的原因主要有两点:一是InGaN阱层中In原子和Ga原子的尺寸存在较大的差异以及InN和GaN之间存在严重的晶格失配,这造成了相分离或者组分波动的产生,In组分增加导致了材料质量恶化,非辐射复合中心的增加;二是在MQWs中InGaN阱层和GaN垒层之间存在较大的晶格失配和热失配,造成了极化电场的产生,导致了在MQWs中电子和空穴波函数的空间分离并降低了辐射复合效率,即所谓的量子限制斯塔克效应(QCSE)，In组分的增加导致了 QCSE的加剧,进而降低了辐射复合效率。因此，深入研究InGaN/GaN MQWs的发光机制,提高电子和空穴波函数交迭,对改善黄绿鸿沟问题具体重要意义。本论文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)制备实验样品,通过光致发光(photoluminescence，PL)谱测试手段,对In组分逐渐变化的InGaN/GaN MQWs结构的光学特性进行了研究。主要研究内容总结如下:(1)In组分渐变的InGaN/GaN多量子阱结构的光学特性。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,制备了沿生长方向InGaN阱层In组分逐渐增多和In组分逐渐减少的两种InGaN/GaN MQWs结构,对样品在温度6-300K范围内和激发功率0.001-70 mW范围内的PL特性进行了研究。结果显示,与阱层In组分逐渐增多的MQWs结构相比,阱层In组分逐渐减少的MQWs结构阱层具有更高的平均In含量,这是由于其InGaN阱层In挥发不太显着;并且因此,与前者相比,后者在低激发功率时,表现出较强的载流子局域效应,在高激发功率时,表现出较弱的载流子局域效应。(2)InGaN阱层生长方式不同的叁种InGaN/GaN多量子阱结构的发光效率研究。利用MOCVD方法,制备了InGaN阱层沿生长方向In组分逐渐增多、In组分量逐渐减少以及In组分保持不变的叁种InGaN/GaN MQWs结构,对其PL光谱和峰位能量的温度依赖性进行了分析,比较了叁样品的IQE。结果显示,与两个In组分逐渐变化的InGaN/GaN MQWs相比,In组分保持不变的MQWs阱层平均In含量最高且载流子局域效应最强,但是其IQE相对最低,说明In组分渐变的阱层结构,可能提高了电子空穴的波函数交迭,进而提高了IQE。(本文来源于《山东大学》期刊2019-05-26）
侯春鸽[9]（2019）在《InGaAs/GaAs多量子阱外延结构设计及生长研究》一文中研究指出半导体激光器是一种直接电光转换器件,其电光转换效率远高于固体和光纤激光器。通过改变材料体系和调节有源区组分可以实现不同波长的激射,进而使其在工业制造、数据通信、泵浦源等领域广泛应用,成为光电子领域的核心器件。GaAs基半导体激光器通过增加有源区InGaAs材料中In的组分实现激光器激射波长的红移。但是,增加In含量将使得InGaAs量子阱与GaAs势垒层之间的晶格失配增大,严重影响外延材料晶体的生长质量。针对上述问题,我们采用应变补偿方式解决量子阱中存在的应力问题,利用GaAsP层代替GaAs层作为垒层,改善了材料体系的晶格失配问题,提高了外延材料的生长质量。并结合测试手段分析材料内部应力对材料性能的影响,揭示不同P含量对于材料质量的影响规律,实现多量子阱晶体质量最优生长。针对半导体激光器载流子浓度分布及掺杂特性的问题,开展外延掺杂浓度对半导体激光器性能影响的研究,探索不同工作状态下的载流子浓度分布情况。针对激光器的关键结构,如限制层、缓冲层、盖层,研究GaAs/AlGaAs材料在不同生长条件下的载流子掺杂情况,获得不同结构层中载流子浓度分布规律。同时,对波导层进行非故意掺杂实验,并对故意掺杂与非故意掺杂机理进行理论分析。在此基础上,探索研究水平腔InGaAs/GaAs量子阱激光器的生长实验,利用光致发光测试仪器对样品进行单点和表面发光测试,结果表明样品发光波长和强度的均匀性良好。同时,针对850nm垂直腔激光器,分别进行了GaAs/AlGaAs多量子阱生长实验、上下DBR实验、全结构实验,并进行了反射率、光致发光、扫描电镜截面测试,实现光致发光830nm,DBR反射率大于99%。最后进行多量子阱垂直腔全结构生长实验,并进行表面反射和扫描电镜截面测试,截面测试表明材料分界明显,生长厚度符合设计值且均匀一致,样品表面反射表明满足进行器件制作的要求。(本文来源于《长春理工大学》期刊2019-05-01）
李佳伦[10]（2019）在《多量子比特Rabi模型的量子模拟及其在量子信息中的应用》一文中研究指出量子Rabi模型是描述光和物质相互作用的基础模型,在许多物理系统中都起着非常重要的作用。在本文中,我们提出了一种实验可行的理论方法,通过该方法在一个超导线路系统中模拟多量子比特Rabi模型。我们可以借助外部的横纵驱动场得到描述多量子比特Rabi模型的哈密顿量。在模拟中我们会发现,谐振腔的有效频率和量子比特的有效能量都随着外部驱动参数的变化而变化,这样我们就可以通过调节驱动频率和振幅使模拟系统处于更强的耦合区。通过数值模拟,我们探究了多量子比特系统在不同耦合强度下演化态保真度随时间变化情况。模拟结果表明,该系统在一个大范围的参数空间里都有很高的保真度。接下来,我们在模拟出的这个多量子比特Rabi模型系统的基础上,分别探究了它在量子信息处理中的一些应用。比如,我们得到了两比特量子门,薛定谔猫态,多量子比特GHZ态。其中,1.我们得到了一个具有最大纠缠能力的两比特量子门,它与CNOT门局域等价,并且即使在系统受到环境扰动时,它也有较高的保真度。2.我们制备了薛定谔猫态,研究了猫态的位移量随参数和量子比特数的变化情况。3.我们也研究了耗散对薛定谔猫态和GHZ态的影响,研究表明,无论系统是否受到环境的扰动,薛定谔猫态和多量子比特GHZ态都有很高的保真度。最后,我们用类似的方法模拟了在一个量子比特与双模谐振腔相互作用的情况下系统的有效哈密顿量,通过调节外部控制场的频率和振幅可以使系统实现更强的耦合。借助该系统,我们得到了介观叁体纠缠态和双光子薛定谔猫态。(本文来源于《东北师范大学》期刊2019-05-01）
多量子论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
叁个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件。在4～200 K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150 K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多量子论文参考文献
[1].孙伟业,邓军,何磊磊,杜欣钊.多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺[J].微纳电子技术.2020
[2].郑卫民,黄海北,李素梅,丛伟艳,王爱芳.δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文）[J].发光学报.2019
[3].程效伟,刘豆,黄峰,詹文浩.基于网络编码的多量子多方协作多播实现技术研究[J].通信技术.2019
[4]..基于超导多量子比特量子模拟研究取得进展[J].高科技与产业化.2019
[5].杨超普,方文卿,毛清华,杨岚,刘彦峰.InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱[J].发光学报.2019
[6].赵永红,孙芳魁,丁卫强,刘燕玲.硅基Si/Si_(0.65)Ge_(0.35)多量子阱APD响应特性的研究[J].黑龙江大学自然科学学报.2019
[7].宋丹.基于施密特分解的多量子比特隐形传态协议研究[D].西北大学.2019
[8].李洪斌.In组分渐变的InGaN/GaN多量子阱结构光学特性[D].山东大学.2019
[9].侯春鸽.InGaAs/GaAs多量子阱外延结构设计及生长研究[D].长春理工大学.2019
[10].李佳伦.多量子比特Rabi模型的量子模拟及其在量子信息中的应用[D].东北师范大学.2019
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