导读:本文包含了半导体激光激励器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:半导体,激光器,激光,电子器件,载流子,格林,激射。
半导体激光激励器论文文献综述
徐婕,宋亚勤,康永锋[1]（2014）在《激光激励下微半导体结构的叁维温度响应》一文中研究指出论文运用耦合的等离子波和热传导模型研究了在激光激励下的半导体微硅试件的温度响应;采用格林函数方法得到了在热化热源、体复合热源和表面复合热源共同作用下叁维微硅试件中载流子浓度和温度的解析解;对均布激光和聚焦激光激励下的微硅试件温度响应进行了计算,得到了温度的空间分布及其随激励频率的变化关系.(本文来源于《固体力学学报》期刊2014年05期）
田晓光[2]（2011）在《基于飞秒激光激励半导体材料的太赫兹源与探测技术》一文中研究指出太赫兹源与探测技术是太赫兹研究领域中最重要的部分,其中基于超快光脉冲激励半导体方式的太赫兹源与探测系统,由于其重要的研究及应用价值而受到广泛关注。本论文着重于研究超快激光激励半导体产生太赫兹辐射这一现象背后所蕴藏的物理机制,通过建立模型,利用解析、数值计算等手段获得太赫兹辐射强度的数学表达式,探讨影响太赫兹源发射效率以及太赫兹探测系统探测性能的各物理因素,最终获得提高太赫兹源效率与优化探测系统性能的方法。具体研究内容如下：(1)利用drude-Lorentz模型描述半导体内光生载流子在内建电场与外部磁场作用下的运动以及利用电偶极矩辐射模型得到了基于半导体表面电场驱动光生电流产生太赫兹辐射的太赫兹电场表达式,研究了半导体外加磁场引起的太赫兹辐射增强现象,并通过计算模拟得到了外磁场的变化对太赫兹辐射的影响,给出了增强效率最高时,外加磁场的状态。另外还对比了几种常用半导体的太赫兹辐射效率和外磁场的增强因子。(2)研究了基于光学整流非线性效应的太赫兹辐射源,通过理论推导和计算得到了太赫兹辐射场与泵浦光电场偏振方向、晶体表面晶向、晶体方位角之间的函数关系表达式。分别讨论了泵浦光正入射,斜入射情况下的太赫兹辐射场极值问题,通过软件绘图我们直观地对比了不同条件下的太赫兹辐射场状态,得到了使太赫兹辐射强度最大时,各参数应该满足的条件。(3)研究了太赫兹电光取样探测系统中的平衡探测方法,获得了探测信号与探测光偏振方向、电光晶体表面晶向,晶体方位角之间的函数关系表达式,给出了探测信号最优时,各参数应该满足的条件。结合前面光整流太赫兹源内容研究了太赫兹收发器(terahertz transceiver)中电光晶体的晶面取向问题,给出了最优晶向。(4)研究了晶体内非线性过程中由于色散引起的相位失配问题,分别讨论了非线性晶体作为太赫兹发射晶体以及作为太赫兹探测晶体时,相位失配效应带来的影响。首先横光学声子振动频率限制了太赫兹发射与探测的频谱宽度,其次由于光在晶体中的色散,相位失配将不可避免,晶体厚度的增大将面临非线性过程作用长度的增加及相位失配问题在频带上的扩展这一对矛盾体。我们通过模拟计算获得了不同晶体、不同晶体厚度、不同泵浦光脉宽条件下的太赫兹发射频谱和探测频谱,通过对这些频谱的对比分析,我们总结了选择非线性晶体以及晶体厚度的依据。(本文来源于《华中科技大学》期刊2011-07-01）
阎得科,孙传东,冯莉,何浩东,朱少岚[3]（2011）在《高功率窄脉宽半导体激光激励器设计》一文中研究指出为了获得高功率窄脉宽半导体激光,设计了半导体激光器相应的激励单元,论述MOSFET作为高速开关的工作机理,分析基于MOSFET作为高速开关产生窄的大电流脉冲的电路模型。为了使MOSFET开关速度尽可能快,根据前述分析,提出推挽式MOSFET栅极驱动方式并设计了触发窄脉冲的发生电路。当激光二极管接入放电回路时,实验表明:激光二极管输出光的峰值功率可达67.5 W,脉宽约为20 ns。最后,简要分析了影响光脉冲宽度的因素。(本文来源于《应用光学》期刊2011年01期）
[4]（1999）在《半导体激光激励YAG激光器》一文中研究指出该激光器是焊接和切割用的节能型半导体激光(LD)激励的YAG激光器。其最终目标是实现平均功率10kW,效率为20％。作为单元技术,开发了计算激励用的光线追迹和YAG棒内的激励分布、温度分布、热应力分布等的模拟程序,利用此程序设计出振荡器。其结果,激光连续输出功率为1.8kW,达到了世界最高水平,效率为(本文来源于《光机电信息》期刊1999年10期）
吴秀丽[5]（1999）在《输出功率20W的半导体激光激励全固体紫外激光器》一文中研究指出日本叁菱电机公司大孤大学和光学技术研究所共同开发了波长266nm,输出功率20W的半导体激光激励全固休紫外激光器。全固体紫外激光器用全固体高亮度绿激光器产生绿光(波长532nm),紫外转换光学晶体CLBO来改变波长。开发的全固体紫外激光器功率输出大而且频率高,代替以往加工用激光器,期望用于光刻线路板打孔等,电子部件加工和半导体(本文来源于《光机电信息》期刊1999年09期）
侯印春[6]（1987）在《用半导体激光激励的超小型Nd:YAG激光器》一文中研究指出日本理经商业公司与西德阿德拉斯公司签署了作为其代理总店的合同,开始出售可放在手掌上的超小型YAG(钇铝石榴石)激光振荡器。这种激光振荡器,输出波长1.06μm,连续波输出功率40mW,预计年末将推出可输出二次谐波(0.532μm)的产品。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊1987年09期）
半导体激光激励器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
太赫兹源与探测技术是太赫兹研究领域中最重要的部分,其中基于超快光脉冲激励半导体方式的太赫兹源与探测系统,由于其重要的研究及应用价值而受到广泛关注。本论文着重于研究超快激光激励半导体产生太赫兹辐射这一现象背后所蕴藏的物理机制,通过建立模型,利用解析、数值计算等手段获得太赫兹辐射强度的数学表达式,探讨影响太赫兹源发射效率以及太赫兹探测系统探测性能的各物理因素,最终获得提高太赫兹源效率与优化探测系统性能的方法。具体研究内容如下：(1)利用drude-Lorentz模型描述半导体内光生载流子在内建电场与外部磁场作用下的运动以及利用电偶极矩辐射模型得到了基于半导体表面电场驱动光生电流产生太赫兹辐射的太赫兹电场表达式,研究了半导体外加磁场引起的太赫兹辐射增强现象,并通过计算模拟得到了外磁场的变化对太赫兹辐射的影响,给出了增强效率最高时,外加磁场的状态。另外还对比了几种常用半导体的太赫兹辐射效率和外磁场的增强因子。(2)研究了基于光学整流非线性效应的太赫兹辐射源,通过理论推导和计算得到了太赫兹辐射场与泵浦光电场偏振方向、晶体表面晶向、晶体方位角之间的函数关系表达式。分别讨论了泵浦光正入射,斜入射情况下的太赫兹辐射场极值问题,通过软件绘图我们直观地对比了不同条件下的太赫兹辐射场状态,得到了使太赫兹辐射强度最大时,各参数应该满足的条件。(3)研究了太赫兹电光取样探测系统中的平衡探测方法,获得了探测信号与探测光偏振方向、电光晶体表面晶向,晶体方位角之间的函数关系表达式,给出了探测信号最优时,各参数应该满足的条件。结合前面光整流太赫兹源内容研究了太赫兹收发器(terahertz transceiver)中电光晶体的晶面取向问题,给出了最优晶向。(4)研究了晶体内非线性过程中由于色散引起的相位失配问题,分别讨论了非线性晶体作为太赫兹发射晶体以及作为太赫兹探测晶体时,相位失配效应带来的影响。首先横光学声子振动频率限制了太赫兹发射与探测的频谱宽度,其次由于光在晶体中的色散,相位失配将不可避免,晶体厚度的增大将面临非线性过程作用长度的增加及相位失配问题在频带上的扩展这一对矛盾体。我们通过模拟计算获得了不同晶体、不同晶体厚度、不同泵浦光脉宽条件下的太赫兹发射频谱和探测频谱,通过对这些频谱的对比分析,我们总结了选择非线性晶体以及晶体厚度的依据。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半导体激光激励器论文参考文献
[1].徐婕,宋亚勤,康永锋.激光激励下微半导体结构的叁维温度响应[J].固体力学学报.2014
[2].田晓光.基于飞秒激光激励半导体材料的太赫兹源与探测技术[D].华中科技大学.2011
[3].阎得科,孙传东,冯莉,何浩东,朱少岚.高功率窄脉宽半导体激光激励器设计[J].应用光学.2011
[4]..半导体激光激励YAG激光器[J].光机电信息.1999
[5].吴秀丽.输出功率20W的半导体激光激励全固体紫外激光器[J].光机电信息.1999
[6].侯印春.用半导体激光激励的超小型Nd:YAG激光器[J].激光与光电子学进展.1987
论文知识图
