导读:本文包含了激光直写论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:激光,波导,光学,微管,结构,条带,耦合器。
激光直写论文文献综述写法
程鹏飞,冯婷,刘紫薇,吴德垚,杨静[1]（2019）在《激光直写制备叁维自支撑NiS_2/MoS_2复合电催化剂应用于碱性和中性电解水制氢（英文）》一文中研究指出电催化析氢反应(HER)是一种有前途和可持续的制氢途径.到目前为止,所报道的高性能催化剂如铂和其他贵金属基催化剂大多只能在酸性或碱性条件下展现出优异的HER催化活性,而且这些贵金属储量稀少,催化剂制备成本高昂.此外,考虑到电解设备和环境保护的要求,在中性介质中寻找高效的HER电催化剂是潜在的发展方向,但也需要克服中性电解质中欧姆损失较大、电子密度较低等问题.因此,开发低成本、应用广泛的电催化剂是今后实现制氢产业化的必然选择.根据已有研究,具有不同结构的双金属硫化物杂化物由于两种金属硫化物成分所提供的可靠且充分的氧化还原活性位点,显示出其具有吸引力的活性.此外,由于丰富的活性位点和重新配置的电子结构,复合材料两组分之间的界面产生协同效应会进一步增强催化剂的HER催化活性.之前的工作已经在同样材料体系中获得了较好的催化性能,但是在宽pH条件下的HER催化性能却不如人意.因此, NiS_2与MoS_2界面结构的优化是进一步提高其在宽酸碱度电解质中活性的关键.本文使用毫秒激光直写法在镍泡沫上合成了叁维(3D)自支撑的NiS_2/MoS_2异质结构,并将其直接用作电解水析氢反应电极,后者在碱性和中性电解质中都表现出了优异的HER活性.毫秒激光直写法具有瞬时高温和快速冷却的特点,常用于纳米材料的制备.毫秒激光作用于溶液中的泡沫镍时,由于瞬间高温使其气化,与溶液中的离子、分子等组成了等离子体,随后借助液体环境的急速冷却限制效应,这团高温混合物在靶材表面原位生长出NiS_2/MoS_2纳米复合催化剂.通过物相表征,发现NiS_2/MoS_2异质结构是由高度分散的小尺寸NiS_2纳米粒子和MoS2纳米片组成,这些纳米片具有较大的比表面积以及大量NiS_2与MoS_2之间的界面.借助宏观XPS表征,我们可以确认在NiS_2/MoS_2异质结构的界面处存在强烈的电子相互作用,说明复合材料两相之间存在异质界面.而异质界面可以作为HER反应过程中的催化位点,有利于水分子的裂解吸附,从而提升复合材料的催化性能.我们对NiS_2/MoS_2复合催化剂在碱性(1 mol L–1KOH)和中性(1molL–1KBS)条件下分别进行了HER性能测试.结果表明,在10m Acm~(-2)的电流密度下,催化剂在碱性和中性电解质中的过电势分别为98和159m V,Tafel斜率分别为88和130m Vdec-1,并且催化剂具有高效的电荷转移和大的电化学活性表面积,性能优于同体系的其他催化剂.(本文来源于《催化学报》期刊2019年08期）
廖嘉宁,王欣达,周兴汶,李立航,郭伟[2]（2019）在《飞秒激光直写铜微电极研究》一文中研究指出采用飞秒激光直写技术在预涂覆廉价铜离子涂层的柔性基体上通过激光还原得到纳米铜颗粒并原位连接形成导电结构,成功制得了具有优良导电性能的铜微电极。研究了不同激光功率及扫描速率对微电极形貌结构、导电性能的影响。结果表明:在不损伤基体的条件下,随着辐照激光能量密度增大,铜微电极的导电性能明显提高;当激光功率为1210 mW、扫描速度为1 mm/s时,所制备的微电极的成分主要为铜,导电性能较好,方阻达到2.74Ω·sq~(-1)。该研究为发展低成本、高效率的柔性电极制造提供了一种新技术,并拓宽了纳米铜材料在电子行业的应用范围。(本文来源于《中国激光》期刊2019年10期）
李民康,向显嵩,周常河,韦春龙,贾伟[3]（2019）在《基于超精密激光直写系统制作二维光栅》一文中研究指出二维光栅是光刻机光栅尺系统的核心元件。搭建了超精密激光直写系统,基于二维超精密工件台,通过旋转基片90°进行两次曝光,制作出栅线密度为1200 line/mm的二维光栅掩模。原子力显微镜和扫描电镜结果表明,所制作的掩模轮廓清晰,空间分布均匀。实验结果证明了超精密激光直写系统能够制作出二维光栅掩模,在制作大尺寸、高精度二维计量光栅方面有着广阔的应用前景。(本文来源于《光学学报》期刊2019年09期）
史杨,许兵,吴东,肖轶,胡衍雷[4]（2019）在《飞秒激光直写技术制备功能化微流控芯片研究进展》一文中研究指出飞秒激光具有独特的超短脉宽和极高的峰值强度,飞秒激光直写技术已广泛用于功能化微流控芯片的制备。从3个方面针对基于飞秒激光直写技术的微流控芯片进行综述:不同材料微流控芯片中的飞秒激光功能器件集成技术、飞秒激光集成微流控芯片的多功能应用以及微流控芯片的高效率飞秒激光加工技术。通过对飞秒激光直写技术在微流控领域的研究结果进行总结与归纳,为飞秒激光直写技术制备微流控芯片的研究、应用及发展方向提供参考。(本文来源于《中国激光》期刊2019年10期）
张欣桐[5]（2019）在《飞秒激光直写周期极化钽酸锂波导的倍频效应研究》一文中研究指出激光倍频技术是非线性光学领域的重要研究方向,随着激光技术的应用和发展,倍频技术被广泛应用于固态激光器等非线性器件。由于超晶格结构的钽酸锂晶体具有较高非线性效率,而且具有良好的机械、物理性能以及成本低、体积小等优点,故其在绿光固态激光器领域的应用是目前重要的研究热点。钽酸锂晶体(LiTaO3)属于铁电相晶体,晶体结构与铌酸锂相同,具有良好的压电、铁电、声光与电光效应。其非线性系数小于铌酸锂晶体,但是具有比铌酸锂更高的热导率、光伤阂值,因而可以避免/减小晶体在高温及高功率场合下出现相位失配。除此之外,相比于铌酸锂晶体,钽酸锂晶体具有更宽的透光范围,更低的矫顽场,因而具有更大的周期反转厚度与通光口径,在中红外领域有很大的研究价值与应用前景。本文采用的样品为近化学计量比钽酸锂晶体。在同成分配比的熔融成分中生长出来的晶体的成分配比会偏离化学计量比,形成“富钽缺锂”的非化学计量比晶体,造成组酸锂晶体的非线性性能损失,产生如光损伤阈值降低、矫顽电场升高等现象,严重影响周期极化非线性光学材料的制备。近化学计量比钽酸锂的Li/Ta比接近化学计量比,有效的消除了晶体中的锂空位以及反位钽等本征缺陷,提高了晶体的非线性性能。另外通过向样品中掺杂Mg元素,使得晶体的矫顽电场大大降低,周期极化畴反转的加工精度大幅提高。近年来,飞秒激光微纳加工作为一种高效的叁维波导微加工技术逐渐发展起来。飞秒激光刻写工艺与金属扩散、质子交换、离子注入等传统的波导制作工艺相比,具有制作工艺简单,制作周期短,制作成本低等优点。光束通过适当处理后经过显微物镜聚焦于光学材料内部,一般来说焦点位置光强呈高斯分布,中心处光强最强,故而只有焦点中心区域产生多光子电离,其他区域不发生变化,通过扫描光束或者移动样品,可完成对材料的叁维微加工。另外,由于飞秒激光加工过程中的非线性吸收作用与材料本身无关,这使得飞秒直写方法制备光波导对衬底的选择性大大降低。本文主要研究飞秒激光直写周期极化钽酸锂晶体的非线性性能。我们用飞秒激光加工的方式在钽酸锂样品中刻写了包层结构,通过分析波导的倍频光输出功率,我们发现包层结构较为完整的保留了晶体的非线性性质。通过对样品进行端面耦合以及温度调谐成功实现了532nm二次谐波的输出。(本文来源于《山东大学》期刊2019-05-30）
张茜,李萌,龚旗煌,李焱[6]（2019）在《飞秒激光直写光量子逻辑门》一文中研究指出量子比特在同一时刻可处于所有可能状态上的迭加特性使得量子计算机具有天然的并行计算能力,在处理某些特定问题时具有超越经典计算机的明显优势.飞秒激光直写技术因其具有单步骤高效加工真叁维光波导回路的能力,在制备通用型集成光量子计算机的基本单元—量子逻辑门中发挥着越来越重要的作用.本文综述了飞秒激光直写由定向耦合器构成的光量子比特逻辑门的进展.主要包括定向耦合器的功能、构成、直写和性能表征,集成波片、哈达玛门和泡利交换门等单量子比特逻辑门、受控非门和受控相位门等两量子比特逻辑门的直写加工,并对飞秒激光加工叁量子比特逻辑门进行了展望.(本文来源于《物理学报》期刊2019年10期）
高少华,禹宣伊,宋筱,张玉娇,王佳艺[7]（2019）在《基于飞秒激光直写的液晶面外区域定向技术及其应用》一文中研究指出随着激光加工技术和液晶取向工艺的发展,一种新型的基于飞秒激光直写的液晶面外区域定向技术问世。基于飞秒多光子光聚合激光直写技术制备出由聚合物条带构成的微结构,将其制成液晶盒,并充入不同种类的液晶,即可实现电光开关、磁光开关、光场调控等功能。每条聚合物条带的侧壁上都分布有表面浮雕光栅结构,使得液晶在聚合物条带通道内的定向成为可能。该技术不仅使不同区域内的液晶实现了物理隔离,还可以使液晶和聚合物实现完全的相分离。该技术快捷简单,在可调谐衍射光栅的实现、特殊光场的产生、光子晶体中的光场调控等方面具有重要的应用价值。(本文来源于《中国激光》期刊2019年05期）
田亚湘,张帆,丁铠文,满姝,吴碧微[8]（2019）在《飞秒激光直写掩模制作硅表面微柱阵列》一文中研究指出提出了一种使用飞秒激光直写掩模加工微柱阵列的方法。利用高重复频率飞秒激光的热氧化效应在硅表面制作出二氧化硅点阵列,然后经氢氧化钾刻蚀得到微柱阵列。相比于传统的制作微柱阵列的方法,使用飞秒激光直写掩模制作微柱阵列的方法工艺简单,成本更低。此外,探究了激光功率、曝光时间和氢氟酸蚀刻对掩模尺寸的影响。这种微柱阵列在减反、传感等领域具有很好的应用价值。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2019年18期）
潘杰[9]（2019）在《基于二维振镜的激光直写与光电流成像系统研究》一文中研究指出以一维纳米线和二维纳米片为代表的微纳半导体材料以其独特的光电特性成为光电子材料研究的重要方向。其中基于单根纳米线和单个纳米片的原型电子器件制作及其光电响应特性研究成为研究的热点。在器件制作方面,电子束曝光因其较高的线宽精度,被广泛应用于微器件的加工,相对于电子束直写技术,激光直写具有低成本、环境要求低等优势;在器件光响应特性方面,位置相关的光电流成像技术为研究分析微纳光电子器件中的光生载流子传输、分离与复合过程、从而为进一步优化器件结构,提高器件光电转换效率提供了一种性能测试方法。上述两种方面均可通过光束移动或位移台移动实现,本论文主要以面向实验室微纳器件制备与光电流位置成像测试需要,设计并搭建了一套基于二维振镜的微区激光直写与光电流扫描成像系统。该系统相对与传统位移台方式的光电流扫描成像系统有更快的扫描速度。我们首先利用Myrio-1900设备的可编程重配I/O功能进行LabVIEW编程完成对手柄控制,并实现自动化移动观察待测样品。接着,通过LabVIEW程序控制二维振镜进行激光偏转,使光束在光刻胶表面的扫描,在优化曝光参数的基础上,在NA值为0.5的50倍物镜以及样品台保持静止下,实现刻写范围±30μm的激光直写,刻写一个50μm×50μm的方形耗时约为10 s。接着,我们利用标准硅光探测器对系统的光电流扫描成像进行验证。通过光束在标准光电探测器光敏区域的扫描,再使用数字源表测量电流数据,同步实时记录光电流,实现了逐点显示出扫描光电流成像功能。针对实验室制备的石墨烯/二硫化钨/硅(Gr/WS_2/Si)异质结光电器件进行测试,在器件响应时间ms下,实现在240 s内一帧具有10000个光电流数据的快速成像。为进一步优化系统,使光电流成像图像和待测器件形貌图匹配度更高,我们在系统中添加待测样品的反射光收集模块。同时为减小噪音对成像的影响,我们将电流放大器和锁相放大器联用,获得了微弱光电流的高性噪比成像。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
徐璞[10]（2019）在《基于激光直写电路技术的PCB板快速制造系统》一文中研究指出生产样品PCB板通常需要几天到1周的时间,这种较长时间的生产周期,不利于新产品研发时的快速验证。为了解决样品PCB板生产周期较长的问题,现有一种PCB板快速制造系统,可以实现在1天之内完成样品PCB板的制造。该系统的工艺步骤如下:钻孔及金属化孔→线路图形制作→阻焊图形制作→字符图形制作→助焊防氧化处理。该套系统能实现的加工能力为:最小孔径0.2mm,最小线宽2mil,线间最小间距0.8mil,加工精度±0.08mil。利用激光直写电路技术,该系统进一步解决了物理雕刻方式制作线路图形精度不够的问题,且在加工线路图形时对材料的热冲击效应较小,所以对加工精细间距的电路和射频微波电路有更好的效果,可有效解决高精度PCB样品板的快速制造问题。(本文来源于《新技术新工艺》期刊2019年03期）
激光直写论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用飞秒激光直写技术在预涂覆廉价铜离子涂层的柔性基体上通过激光还原得到纳米铜颗粒并原位连接形成导电结构,成功制得了具有优良导电性能的铜微电极。研究了不同激光功率及扫描速率对微电极形貌结构、导电性能的影响。结果表明:在不损伤基体的条件下,随着辐照激光能量密度增大,铜微电极的导电性能明显提高;当激光功率为1210 mW、扫描速度为1 mm/s时,所制备的微电极的成分主要为铜,导电性能较好,方阻达到2.74Ω·sq~(-1)。该研究为发展低成本、高效率的柔性电极制造提供了一种新技术,并拓宽了纳米铜材料在电子行业的应用范围。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
激光直写论文参考文献
[1].程鹏飞,冯婷,刘紫薇,吴德垚,杨静.激光直写制备叁维自支撑NiS_2/MoS_2复合电催化剂应用于碱性和中性电解水制氢（英文）[J].催化学报.2019
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[3].李民康,向显嵩,周常河,韦春龙,贾伟.基于超精密激光直写系统制作二维光栅[J].光学学报.2019
[4].史杨,许兵,吴东,肖轶,胡衍雷.飞秒激光直写技术制备功能化微流控芯片研究进展[J].中国激光.2019
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[7].高少华,禹宣伊,宋筱,张玉娇,王佳艺.基于飞秒激光直写的液晶面外区域定向技术及其应用[J].中国激光.2019
[8].田亚湘,张帆,丁铠文,满姝,吴碧微.飞秒激光直写掩模制作硅表面微柱阵列[J].激光与光电子学进展.2019
[9].潘杰.基于二维振镜的激光直写与光电流成像系统研究[D].电子科技大学.2019
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