论文摘要
二维六方氮化硼是一种理想的石墨烯电学器件介电层材料,然而,制备低成本和高质量的氮化硼材料仍是一个挑战.本文使用等离子体化学气相沉积法, 500°C下在铜箔衬底上制备了三角形的BN晶畴及其薄膜.通过使用锡箔纸包裹原料的方法避免了残留原料在BN表面的沉积.当BN作为石墨烯场效应晶体管的介电层时,基于石墨烯的场效应器件空穴与电子的迁移率分别为10500和4750 cm2V-1s-1,明显优于在高温条件下制备的BN作为介电层的石墨烯器件,间接表明了该方法可得到高质量的BN.另外,本工作也揭示了氮化硼的质量对石墨烯场效应器件的性能至关重要.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 王立锋,武斌,刘洪涛,王翰林,苏玉玉,类伟巍,胡平安,刘云圻
来源: Science China Materials 2019年08期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,信息科技
专业: 无机化工,无线电电子学
单位: Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences,Key Lab of Microsystem and Microstructure, Ministry of Education, Harbin Institute of Technology,Institute for Frontier Materials, Deakin University
基金: supported by the National Basic Research Program of China(2016YFA0200101),the National Natural Science Foundation of China(21633012 and 61890940),Beijing Municipal Science&Technology Commission(Z161100002116025),Chinese Academy of Sciences,the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sciences(XDB30000000 and XDB12030100),Beijing National Laboratory for Molecular Sciences(BNLMS)
分类号: TQ128;TN386
页码: 1218-1225
总页数: 8
文件大小: 1086K
下载量: 189
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