导读:本文包含了波段内论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:波段,探测器,波导,激光,红外光,光伏,现象。
波段内论文文献综述写法
聂翠蓉[1]（2016）在《纳米天线首次实现可见光波段内通讯》一文中研究指出科技日报北京8月29日电 （记者聂翠蓉）美国波士顿大学科学家首次开发出能在可见光波段内操作的纳米无线光学通讯系统，更短波长的可见光将大大缩小计算机芯片的尺寸。新系统的核心技术是一种纳米天线，能让光子成群移动并高精控制光子与表面等离子体间的相互转换。相关论(本文来源于《科技日报》期刊2016-08-30）
梁春辉,姜媛媛,李曙光,姜文宁,邹卫文[2]（2016）在《X波段内可调的半导体激光器锁频方案与实现》一文中研究指出提出了一种可用于两台半导体分布式反馈激光器的高稳定宽带锁频方案,介绍了该方案的应用领域。详细描述了锁频方案实现两台半导体激光器互锁定的基本原理,并通过实验验证了差频频率的锁定性能和大范围可调谐性。(本文来源于《光通信技术》期刊2016年04期）
魏家行[3]（2014）在《C波段内匹配GaN高效率功率放大器设计》一文中研究指出微波功率放大器在雷达、通信、航空航天、导航等诸多领域有着越来越广泛的应用。然而由于第一代和第二带半导体自身特性的限制,他们并不能完全胜任这些用途。由于具有抗辐照,高击穿电压,高功率密度,高电子迁移率等优点,GaN HEMT被认为是最具前景的微波功率器件,在近年来受到广泛关注。随着GaNHEMT器件功率密度的增大,有源区大幅减小,使得封装体积也变得很小。然而,过小的面积也带来了散热的难题,为了减小功率耗散,降低节温,保证功放性能,同时也为了延长电池和器件的使用寿命,提高微波功率放大器的效率就显得十分重要。基于西电自主研制的GaN HEMT器件,本文设计并制造了一款C波段内匹配高效率功率放大器,在匹配电路中引入了二次谐波抑制模块,同时获得了大功率和高效率的优良特性。在5.2GHz-5.8GHz的频带内,该功放在脉冲条件下有着最高163W的输出功率和68.4%的功率附加效率(PAE)。本文介绍了GaN HEMT器件的制造工艺,对于制造完成的GaN HEMT器件,使用Agilent B1500A系统测量得到其直流特性,通过微波探针系统测量得到其微波特性,与此同时,还介绍了微波电路设计中必不可缺的load-pull系统的基本原理。在比较了不同类型放大器的优缺点之后,最终选择了AB类作为本文设计功放的工作类型,同时加入二次谐波抑制电路,对二次谐波分量进行抑制,从而获得更高的效率。基于改进后的EEHEMT大信号模型,本文进行了C波段内匹配GaN高效功率放大器的设计工作。为了获得较高的功率,采用两个并联的12mm GaN HEMT器件作为功放的有源元件。为了降低大栅宽带来的相位失衡,使用Wilkinson功率分配与合成器将信号分为四路进行传输。通过ADS软件对大信号模型进行load-pull与source-pull仿真测试,分别得到了基频和二次谐波频率下的最佳效率阻抗点。基于仿真测量得到的最佳阻抗点,一方面通过匹配网络,将基频阻抗最终匹配到50Ω。同时引入谐波抑制模块,对谐波进行抑制,以减小其对输出波形的影响,增加功放的线性度,从而达到高效率。在完成原理图后,绘制电路版图,并利用高介陶瓷基板制造出电路模块。完成设计工作后,本文运用内匹配技术,对功放进行了实际制造工作。首先将管芯和匹配电路模块烧结在管壳内,再通过键合金丝进行各模块间的键合。本文还设计制造了与该功放配套使用的微波测试夹具,在目标频段内具良好的微波特性。根据初测的功率放大器参数,通过调整匹配电路,使其在5.2GHz-5.8GHz的工作频段内获得良好小信号微波特性。最后,分别在连续波和脉冲条件下测量了该功放的输出功率、PAE和增益等微波功率参数。结果表明,本文设计的C波段内匹配GaN高效率功率放大器,在工作频段内具有良好的微波功率特性。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2014-12-01）
沈亮,卢瑛[4]（2014）在《X波段内埋功分器的设计》一文中研究指出设计了一款X波段内埋功分器,采用多层PCB板加工实现。仿真结果与实测结果拟合较好。(本文来源于《科技风》期刊2014年16期）
关统新,要志宏,赵瑞华,杨强,刘荣军[5]（2014）在《基于GaN HEMT的S波段内匹配功率放大器设计》一文中研究指出采用内匹配技术和平面功率合成相结合的设计方法,设计并实现了一款S波段功率放大器。在设计过程中,先通过预匹配电路将功率芯片的阻抗适当提高,进而利用Wilkinson功分器进行功率合成。该放大器基于中国电子科技集团公司第十叁研究所自主研制的GaN HEMT管芯芯片。通过优化设计该放大器在25%的相对带宽、漏源电压28 V、脉宽8 ms和占空比50%的工作条件下,实现了输出峰值功率P out大于70 W,功率附加效率ηPAE大于54%,充分显示了GaN功率器件宽带、高效和高功率的工作性能,具有广阔的工程应用前景。(本文来源于《半导体技术》期刊2014年01期）
颜巍巍,张俊喜,张立德,费广涛[6]（2013）在《6-13μm波段内基于莫特相变的纳米Ti_2O_3的红外透过行为研究》一文中研究指出莫特绝缘体材料拥有优异的光学和电学性能。在发生半导体-金属相变(莫特相变)时,其红外光的透过率和电阻值发生显着改变,这种特性使其在许多领域都有广泛的应用前景。比如VO_2在室温附近发生相变,可以作为热致变色涂层材料、光存储材料、光电开关器件和节能用智能窗材料等等。而相变温度较高的Ti_2O_3则可以用作高温智能窗、热存储功能材料等等。(本文来源于《中国颗粒学会超微颗粒专委会2013年年会暨第八届海峡两岸超微颗粒学术研讨会论文集》期刊2013-08-25）
江天,程湘爱,郑鑫,许中杰,江厚满[7]（2012）在《光伏碲镉汞探测器在波段内连续激光辐照下的非线性响应机理研究》一文中研究指出利用波段内连续激光,辐照禁带宽度为0.33 eV的中波光伏碲镉汞探测器.实验结果表明,随着辐照激光光强的逐渐增大,探测器从线性响应过渡为非线性响应.当探测器进入非线性状态,探测器的开路电压随激光光强的增大而减小,且在激光开启辐照时开路电压信号迅速下跳,在激光停止辐照时开路电压信号迅速上跳.通过考虑激光辐照下探测器的温度场分布以及温度对p-n结内建电场的影响,结合考虑机械快门在开启和关闭时对激光光强变化的影响,建立了光伏探测器在波段内连续激光辐照下的解析模型,模型计算结果与实验结果吻合得较好.研究表明,激光辐照过程中的非线性响应,主要由温度对p-n结内建电场的影响决定,激光开启和关闭时的开路电压的幅值是由光强和温度共同决定.(本文来源于《物理学报》期刊2012年13期）
江天,程湘爱,许中杰,陆启生[8]（2013）在《光伏型碲镉汞探测器在波段内连续激光辐照下的两种不同过饱和现象的产生机理》一文中研究指出利用连续波段内激光对两批光伏型碲镉汞探测器进行了激光辐照实验,发现了两种不同的过饱和现象.实验表明,光伏型碲镉汞探测器在强光辐照下都会出现开路电压随光强增强而减小的过饱和现象,明晰了PV型探测器在强光辐照下的一般规律性现象和由探测器个体差异导致的特殊现象.从等效电路模型出发,剖析了两种过饱和现象的发生条件,建立了数值计算的理论模型,对两种过饱和现象进行了数值模拟,计算结果与实验结果符合得较好.研究表明,光伏型碲镉汞探测器在波段内强光辐照下引起的过饱和现象有两种产生机理,一种是热效应引起的暗电流增大机理;另一种是探测器材料中缺陷引起的漏电流增大机理.(本文来源于《物理学报》期刊2013年09期）
李明[9]（2011）在《可见光波段内高衍射效率透射体位相全息光栅的理论与实验研究》一文中研究指出透射体位相全息光栅具有衍射效率高、噪声低、分辨率高等优点,广泛应用于天文光谱学、超快激光以及波分复用等技术领域。以PGP(棱镜-光栅-棱镜)为分光元件的成像光谱仪,其中的光栅即采用透射体位相全息光栅,在高分辨光学遥感领域中有着重要的应用前景。本文对高衍射效率透射体位相全息光栅进行理论和实验研究。首先介绍了体位相全息光栅的研究意义和国内外的研究进展。理论计算方面,简要叙述了严格耦合波理论和Kogelnik耦合波理论,在此基础上,通过计算相关性描述和比较两种理论的近似程度,以此研究Kogelnik耦合波理论的近似条件。结果表明,两种理论的近似程度与光栅条纹密度、介质厚度和折射率调制度有关。分别用严格耦合波理论和Kogelnik耦合波理论设计了线对数为462lp/mm和1000lp/mm的高衍射效率透射体位相全息光栅。工艺制作方面,通过调整和控制DCG全息记录干版的制备条件、透射体光栅曝光量以及曝光后干版的工艺处理条件,研制出了基本符合理论设计要求的高衍射效率透射体位相全息光学元件。实验测试方面,对拍摄的透射体位相全息光栅进行+1级衍射效率和角度选择性测试和分析。在可见光波段范围内,462lp/mm光栅的最大衍射效率接近92%,1000lp/mm光栅的最大衍射效率接近98%。为进一步研发用于PGP成像光谱仪的透射体位相全息光栅提供了技术支持。(本文来源于《苏州大学》期刊2011-04-01）
孙再吉[10]（2010）在《S波段内匹配E型GaN HEMT放大器》一文中研究指出据《信学技报》(日)2009年109(242)期报道,日本东芝公司采用GaNHEMT器件研发了S波段内匹配E型放大器。该放大器在漏电压22 V下的脉冲(本文来源于《半导体信息》期刊2010年02期）
波段内论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出了一种可用于两台半导体分布式反馈激光器的高稳定宽带锁频方案,介绍了该方案的应用领域。详细描述了锁频方案实现两台半导体激光器互锁定的基本原理,并通过实验验证了差频频率的锁定性能和大范围可调谐性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
波段内论文参考文献
[1].聂翠蓉.纳米天线首次实现可见光波段内通讯[N].科技日报.2016
[2].梁春辉,姜媛媛,李曙光,姜文宁,邹卫文.X波段内可调的半导体激光器锁频方案与实现[J].光通信技术.2016
[3].魏家行.C波段内匹配GaN高效率功率放大器设计[D].西安电子科技大学.2014
[4].沈亮,卢瑛.X波段内埋功分器的设计[J].科技风.2014
[5].关统新,要志宏,赵瑞华,杨强,刘荣军.基于GaNHEMT的S波段内匹配功率放大器设计[J].半导体技术.2014
[6].颜巍巍,张俊喜,张立德,费广涛.6-13μm波段内基于莫特相变的纳米Ti_2O_3的红外透过行为研究[C].中国颗粒学会超微颗粒专委会2013年年会暨第八届海峡两岸超微颗粒学术研讨会论文集.2013
[7].江天,程湘爱,郑鑫,许中杰,江厚满.光伏碲镉汞探测器在波段内连续激光辐照下的非线性响应机理研究[J].物理学报.2012
[8].江天,程湘爱,许中杰,陆启生.光伏型碲镉汞探测器在波段内连续激光辐照下的两种不同过饱和现象的产生机理[J].物理学报.2013
[9].李明.可见光波段内高衍射效率透射体位相全息光栅的理论与实验研究[D].苏州大学.2011
[10].孙再吉.S波段内匹配E型GaNHEMT放大器[J].半导体信息.2010