准三维模拟论文_汪俊,师谦,邓文基

导读:本文包含了准三维模拟论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:电荷,粒子,论文,准叁维。

准三维模拟论文文献综述

汪俊,师谦,邓文基[1](2008)在《小尺寸MOSFET SEU的准叁维模拟》一文中研究指出主要针对小尺寸MOSFET SEU的准叁维模拟进行了研究,讨论了有关器件尺寸缩小等因素发生变化时,器件对SEU敏感性的变化情况。模拟结果表明,随着器件尺寸的缩小,衬底浓度的增大,器件对SEU的敏感性增加。(本文来源于《电子产品可靠性与环境试验》期刊2008年03期)

准三维模拟论文开题报告

准三维模拟论文参考文献

[1].汪俊,师谦,邓文基.小尺寸MOSFETSEU的准叁维模拟[J].电子产品可靠性与环境试验.2008

论文知识图

工业规模滚筒的准实时离散单元模拟根据确定的方案设计辅助导板,并加工出...在导板的辅助下假体植人缺损区恢复下领骨缺损二维柱状npnn+模型结构示意图柱体的旋涡脱落

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