全文摘要
本实用新型提供一种可控发光位置的二极管器件及其制造方法，结功能层的材料为过渡金属硫族化合物，在结功能层的两端形成有与其欧姆接触的第一电极和第二电极，在结功能层一侧形成有第三电极，且在第一电极和第二电极之间的结功能层以及第三电极上覆盖有离子液体层。这样，由第三电极、结功能层以及离子液体层组成了平行板电容器结构，当在第一电极与第三电极之间施加正电压，第二电极与第三电极之间施加负电压之后，在过渡金属硫化物中形成场效应PN结，通过调节第一电极与第三电极之间的正压大小，以及第二电极与第三电极之间的负压大小，则可以使得PN结的位置移动，从而，实现二极管器件中PN结的可移动性。
主设计要求
1.一种可控发光位置的二极管器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括绝缘层；所述绝缘层上的结功能层，所述结功能层的材料为过渡金属硫族化合物；设置于所述结功能层两端且与其欧姆接触的第一电极和第二电极；设置于所述结功能层一侧且位于所述绝缘层上的第三电极；覆盖所述第三电极以及所述第一电极和第二电极之间的结功能层的离子液体层；其中，所述第一电极和第三电极之间用于偏置第一电压，第二电极与第三电极之间用于偏置第二电压，所述第一电压和所述第二电压具有相反极性。
设计方案
1.一种可控发光位置的二极管器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括绝缘层；
所述绝缘层上的结功能层，所述结功能层的材料为过渡金属硫族化合物；
设置于所述结功能层两端且与其欧姆接触的第一电极和第二电极；
设置于所述结功能层一侧且位于所述绝缘层上的第三电极；
覆盖所述第三电极以及所述第一电极和第二电极之间的结功能层的离子液体层；
其中，所述第一电极和第三电极之间用于偏置第一电压，第二电极与第三电极之间用于偏置第二电压，所述第一电压和所述第二电压具有相反极性。
2.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，所述过渡金属硫族化合物为单层结构。
3.根据权利要求1或2所述的二极管器件，其特征在于，所述过渡金属硫族化合物包括硫化钨、硫化钼、硒化钨、硒化钼、碲化钨或碲化钼。
4.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，所述结功能层为多条，每一条结功能层上对应设置有一个第一电极和\/或第二电极。
5.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，所述第一电极和第二电极之间的结功能层的长度为2-50μm。
6.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，所述离子液体层还覆盖所述第一电极和第二电极的部分或全部。
设计说明书
技术领域
本实用新型属于半导体器件及纳米光电子技术领域，特别涉及一种可控发光位置的二极管器件。
背景技术
光电二极管的核心单元是PN结，由在同一半导体衬底上形成P型区和N 型区形成，具有单向导电性，随着应用的不断深入，光电二极管在片上通信、照明、生物传感、单分子操控等领域都有着重要的应用价值。
目前，形成PN结的的方法主要有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等，这些方法形成的PN结，其P型区和N型区在垂直于衬底方向上层叠，发光点在PN结的界面处，具有固定位置的发光点。然而，一些应用中对光电二极管器件的性能提出了更高的要求，例如，光电二极管用于单分子探测及操控技术中，利用光电二极管提供局部照明场，加强与背景场的明暗对比，将显著提高探测灵敏度和成像的分辨率。同时，分子探测和追踪需要发光位置可控的光电二极管，然而目前的光电二极管都无法实现发光点的动态移动。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提供一种可控发光位置的二极管器件及其制造方法、电压控制方法，实现可以原位调节发光点位置的二极管器件。
为实现上述目的，本实用新型有如下技术方案：
一种可控发光位置的二极管器件，包括：
衬底，所述衬底包括绝缘层；
所述绝缘层上的结功能层，所述结功能层的材料为过渡金属硫族化合物；
设置于所述结功能层两端且与其欧姆接触的第一电极和第二电极；
设置于所述结功能层一侧且位于所述绝缘层上的第三电极；
覆盖所述第三电极以及所述第一电极和第二电极之间的结功能层的离子液体层；
其中，所述第一电极和第三电极之间用于偏置第一电压，第二电极与第三电极之间用于偏置第二电压，所述第一电压和所述第二电压具有相反极性。
可选地，所述过渡金属硫族化合物为单层结构。
可选地，所述过渡金属硫族化合物包括硫化钨、硫化钼、硒化钨、硒化钼、碲化钨或碲化钼。
可选地，所述结功能层为多条，每一条结功能层上对应设置有一个第一电极和\/或第二电极。
可选地，所述第一电极和第二电极之间的结功能层的长度为2-50μm。
可选地，所述离子液体层还覆盖所述第一电极和第二电极的部分或全部。
本实用新型实施例提供的二极管器件，结功能层的材料为过渡金属硫族化合物，在结功能层的两端形成有与其欧姆接触的第一电极和第二电极，在结功能层一侧形成有第三电极，且在第一电极和第二电极之间的结功能层以及第三电极上覆盖有离子液体层。这样，由第三电极、结功能层以及离子液体层组成了平行板电容器结构，当在第一电极与第三电极之间施加正电压，第二电极与第三电极之间施加负电压之后，离子液体层中的正负离子将分别朝向第二电极和第一电极一侧聚集，正、负离子的聚集区的形成，将相应地改变第一电极一侧、第二电极一侧的过渡金属硫化物中电子和空穴的浓度，形成P型区和N型区，从而形成场效应PN结，通过调节第一电极与第三电极之间的正压大小，以及第二电极与第三电极之间的负压大小，则可以使得 PN结的位置移动，从而，实现二极管器件中PN结的可移动性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1示出了根据本实用新型实施例的二极管器件的俯视叠加结构示意图；
图1A和图1B分别示出了图1中的AA向、BB向的剖面结构示意图；
图2示出了根据本实用新型实施例的二极管器件的制造方法的流程示意图；
图3示出了根据本实用新型一个实施例的二极管器件俯视结构的显微镜图片以及电致荧光图；
图4示出了根据本实用新型一个实施例的二极管器件的电致荧光光谱图；
图5示出了根据本实用新型一个实施例的二极管器件随一偏压变化PN结移动的电致荧光图像示意图；
图6示出了根据本实用新型一个实施例的二极管器件PN结位置随一电压变化的曲线示意图；
图7示出了根据本实用新型一个实施例的二极管器件随两偏压变化PN结移动的电致荧光图像示意图以及PN结位置随两电压变化的示意图；
图8示出了根据本实用新型一个实施例的二极管器件PN结位置随结功能层中电流变化的曲线示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本实用新型结合示意图进行详细描述，在详述本实用新型实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本实用新型保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
正如背景技术中的描述，随着应用的不断深入，对光电二极管器件的性能也提出了更高的要求，在一些应用中，希望光电二极管能够提供位置可控的发光点。
为此，本申请提供了一种二极管器件，参考图1和图1A(图1中AA向剖面结构示意图)、图1B(图1中BB向剖面结构示意图)所示，包括：
衬底，所述衬底包括绝缘层102；
所述绝缘层102上的结功能层110，所述结功能层110的材料为过渡金属硫族化合物；
设置于所述结功能层110两端且与其欧姆接触的第一电极120和第二电极122；
设置于所述结功能层110一侧且位于所述绝缘层102上的第三电极124；
覆盖所述第三电极124以及所述第一电极120和第二电极122之间的结功能层110的离子液体层130；
其中，所述第一电极和第三电极之间用于偏置第一电压，第二电极与第三电极之间用于偏置第二电压，所述第一电压和所述第二电压具有相反极性。
在该二极管器件中，由第三电极124、结功能层110以及离子液体层130 组成了平行板电容器结构，其中，第三电极124、结功能层110分别为平行板电容器结构的两个极板，离子液体层130为平行板电容器结构极板间填充的介电材料，当在第一电极120与第三电极124之间施加正电压，第二电极122 与第三电极124之间施加负电压之后，离子液体层130中的正、负离子将分别朝向第二电极122和第一电极120一侧聚集，形成正、负离子的聚集区，该正、负离子的聚集区将相应地改变第一电极一侧、第二电极一侧的过渡金属硫化物中电子和空穴的浓度，诱导出过渡金属硫化物110中的P型区140 和N型区142，从而产生PN结的发光点。进而，通过调节第一电极120与第三电极124之间的正压大小，以及第二电极122与第三电极124之间的负压大小，则可以使得PN结的位置移动，从而，实现二极管器件中PN结的可移动性。
需要说明的是，上述的二极管器件，在第一电极120与第三电极124之间施加正电压、第二电极122与第三电极124之间施加负电压之后，在过渡金属硫化物110中形成场效应PN结，其中，第一电极120即漏极，第二电极 122即源极，第三电极124即栅极。第一电极120与第三电极124之间的正电压，以及第二电极122与第三电极124之间的负电压都是相对电压，第一电压120上的偏压大于第三电极124上的偏压时，则第一电极120与第三电极 124之间的电压为正电压，第二电极122上的偏压小于第三电极124上的偏压时，第二电极122与第三电极124之间的电压为负电压。
在本申请实施例中，衬底为二极管器件的支撑衬底，衬底包括绝缘层102，二极管器件形成于有衬底的绝缘层102之上，该衬底可以为绝缘衬底，如氧化硅。也可以为设置有绝缘层102的半导体衬底100或金属衬底，半导体衬底例如可以为Si衬底、Ge衬底等。绝缘层102的厚度可以在270-310纳米之间，绝缘层的材料例如可以为氧化硅、氧化镁或氧化铝等氧化层材料。
结功能层110为形成PN结的层，该结功能层110的材料为过渡金属硫族化合物，即由过渡金属和硫族元素组成的化合物，过渡金属例如可以为Mo (钼)、W(钨)等，硫族元素例如可以为硫(S)、硒(Se)、碲(Te)等，过渡金属硫族化合物可以为硫化钨、硫化钼、硒化钨、硒化钼、碲化钨、碲化钼等。该结功能层110为二维半导体材料，作为PN结的载体，更优地，该过渡金属硫族化合物可以为单层结构，单层结构的厚度通常小于1nm，属于直接禁带半导体发光，荧光强度较强。
第一电极120和第二电极122分别设置于结功能层110的两端，即第一电极120和第二电极122分别设置于结功能层相对的两个方向上，与结功能层110形成欧姆接触，也就是说，第一电极120和第二电极122分别点连接于结功能层110的两端，具体的应用中，第一电极120和第二电极122可以全部覆盖在结功能层110的端部，也可以部分覆盖于结功能层110的端部。
第三电极124设置于结功能层110的一侧，且与结功能层110之间具有间隔，第三电极124与结功能层110之间的间距可以根据具体的需要或者器件的尺寸来设置，典型地，可以为2-50微米间。第一电极120、第二电极122 和第三电极124可以采用相同或不同的电极材料来形成，电极材料例如可以为金属材料，具体的，可以为金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)等。
在本申请实施例中，结功能层110可以为条形结构，第三电极124也可以为条形结构，第三电极124可以平行于结功能层110或不平行于结功能层设置。结功能层110可以为一条或多条，在结功能层110为多条的实施例中，每一条结功能层110上对应设置有一个第一电极120和\/或第二电极122，也就是说，多条结功能层110的一端可以共享一个第一电极120，而另一端在每条结功能层110上分别形成各自的第二电极122，也可以是在多条结功能层 110的一端共享一个第一电极120、另一端共享一个第二电极122。这样，通过多条结功能层110的设置，可以分别控制每条结功能层110中的发光点位置，从而，可以同时形成不同位置的发光点。
在本申请实施例中，第一电极120和第二电极122之间的结功能层110 为PN结产生的区域，也即产生发光点的区域，可以根据实际的需要来设置该区域的长度，也即未被第一电极120和第二电极122覆盖的结功能层110的长度，该长度可以是纳米级，也可以是微米级，在一些应用中，第一电极和第二电极之间的结功能层的长度可以为2-50μm。
离子液体层130为具有离子的流动介质材料，具有介电常数高的特性，该材料典型的击穿电压为50MV\/cm，介电常数为14.5，所产生的载流子浓度非常高，其产生的载流子浓度分别是二氧化硅、二氧化铪、三氧化二铝和氮化硼的28、3.5、9.5和30倍。离子液体具有场效应超高的载流子浓度调节能力，在较小的调制电压下即可形成陡峭的PN结，产生局域光场。
从而，可以通过控制不同区域的正负电压，在离子液体层130中形成正、负离子的聚集区，进而，负离子的聚集区改变其下的过渡金属硫化物层中空穴的浓度，在该侧过渡金属硫化物中诱导出P型区，正离子的聚集区改变其下的过渡金属硫化物层中电子的浓度，在该侧过渡金属硫化物中诱导出N型区，从而，可以在过渡金属硫化物中产生PN结。
在本申请实施例中离子液体层130可以为N,N-Diethyl-N-methyl-N-(2-methoxyethyl)ammoniumbis(trifluoromethanesulfonyl)imide，简写为DEME-TFSI。还可以为BMIM-PF6或MEMP-BF4。
在本申请实施例中，离子液体层130至少覆盖第三电极124以及所述第一电极120和第二电极122之间的结功能层110，以形成由第三电极124、结功能层110以及离子液体层130组成了平行板电容器结构。进一步地，该液体离子层130还可以覆盖所述第一电极120和第二电极122，可以将第一电极 120和第二电极122的部分或全部覆盖。
基于上述的二极管器件，通过调节第一电极120与第三电极124之间的正压大小，以及第二电极122与第三电极124之间的负压大小，则可以使得 PN结的位置移动，从而，实现二极管器件中PN结的可移动性。
以上对本申请实施例的二极管器件的结构进行了详细的描述，该二极管器件实现时可以与现有的半导体制造工艺兼容，适合片上加工、集成以及批量生产，可以应用于传感、探测芯片的研发。
上述的二极管器件可以原位调节发光点的位置，可以在芯片级照明、通信、传感系统等领域得到广泛应用。在本申请的一个应用中，可以将上述的二极管器件应用于生物传感领域，准确的医疗诊断和药物研制需要对单分子结构和细胞活动进行分析和研究，但是传统的探测器灵敏度低，对被探测物的浓度和体积要求高，难以获取单个分子的结构和功能信息。利用本申请的二极管器件可以在芯片上集成照明场提供装置，为单分子探测提供局域照明场，该装置具有体积小、易调控以及电控发光的特点，可以显著提高探测灵敏度和成像的分辨率。此外，离子液体具备生物兼容性，可以直接与分子、细胞或组织接触进行实时探测和分析。
本申请还提供了一种用于单分子探测的照明场提供装置，该照明场提供装置包括上述的二极管器件，该二极管器件可以集成于独立的芯片中，也可以与单分子探测的其他模块一同集成于芯片中。此外，本申请还提供了上述二极管器件的制造方法，以下将结合流程图对具体的实施例进行详细的描述。
参考图2所示，在步骤S201，提供衬底，所述衬底包括绝缘层102，参考图1所示。
本实施例中，所述衬底可以为金属衬底或硅衬底100，在该金属衬底或硅衬底100上进一步形成有绝缘层102，该绝缘层102可以采用氧化工艺或沉积工艺形成，绝缘层102的材料例如可以为氧化硅、氧化镁或氧化铝等。
在步骤S202，在所述绝缘层102上形成结功能层110，所述结功能层110 的材料为过渡金属硫族化合物，参考图1所示。
可以采用沉积工艺形成过渡金属硫族化合物的结功能层100，而后，通过刻蚀工艺，形成图案化的结功能层。
本实施例中，可以采用化学气相沉积的方法在绝缘层102上生长单层的硫化钨(WS2<\/sub>)的金属硫族化合物，而后，利用氧等离子刻蚀法(O2<\/sub>plasma) 将该单层的硫化钨(WS 2<\/sub>)刻蚀为条形图案，条形的金属硫族化合物层更便于调节场效应PN结。
在步骤S203，在所述结功能层110的两端形成与其欧姆接触的第一电极 120和第二电极122，以及在所述结功能层110一侧的绝缘层102上形成第三电极124。
可以在步骤中形成第一电极120和第二电极122、第三电极124，第一电极120和第二电极122至少部分与结功能层110的端部直接接触，以形成电连接，未被第一电极120和第二电极122覆盖的结功能层110部分，则为PN 结产生的区域，也即产生发光点的区域。
在本实施例中，可以采用电子束直写曝光机确定出第一电极120和第二电极122、第三电极124的形状，而后，通过电子束镀膜仪蒸镀金属材料来获得第一电极120和第二电极122、第三电极124，金属材料可以为钛和金的叠层，在一个示例中，为5nm的钛和50nm的金，第一电极120和第二电极122 之间的结功能层的长度为17.3微米。
在步骤S204，形成覆盖所述第三电极124以及所述第一电极120和第二电极122之间的结功能层110的离子液体层130，参考图1所示。
离子液体层130至少覆盖所述第三电极124以及所述第一电极120和第二电极122之间的结功能层110，还可以进一步地覆盖所述第一电极120和第二电极122。
本实施例中，将液体离子层110平铺于所述第三电极124以及所述第一电极120和第二电极122之间的结功能层110、以及所述第一电极120和第二电极122的表面上。
至此，形成本申请实施例的二极管器件。
对于上述的二极管器件，可以采用不同的电极电压控制方法，使得PN结也就是发光点以不同的方向和\/或速度移动，以将该器件应用于不同的领域中。
在一些应用中，二极管器件的电压控制方法，可以包括：第一电压偏置负电压且保持所述第一电压，控制第二电压递增变化或递减变化。可以将第三电极以及第一电极上偏置电压固定，使得第一电压为负电压，同时，控制第二电极上的电压在一定范围内依次递增或依次递减，从而，使得发光点依次移动。
在另一些应用中，二极管器件的电压控制方法，可以包括：保持第三电极的偏置电压，同时控制第一电极和第二电极的偏置电压，以使得第一电压和第二电压递增变化或递减变化。
为了更好地理解本申请的技术方案以及技术效果，本申请还提供了实验数据。在一个具体的示例中，如图3所示，过渡金属硫化物MX2<\/sub>为单层的二硫化钨，第一电极S、第二电极D1\/D2以及第三电极(图未示出)由5nm的钛和50nm的金制备得到，第一电极S、第二电极D1\/D2之间的单层的二硫化钨的长度为17.3μm，该示例中，形成了两条单层的二硫化钨，他们共享第一电极S，分别形成第二电极D1\/D2。在图3中，其中，图(a)为该二极管器件的俯视结构示意图，图(b)为电致荧光图，图(c)为图(b)中光点的显微放大照片，该示例中，将第三电极、第一电极S、第二电极D1分别设置为 0V、4V、-2.4V，在该偏置之下，单层的二硫化钨中部呈现光点。
如图4所示，为上述示例的器件样品的电致荧光光谱图，其中，横轴和纵轴分别为电致荧光的波长和强度，该光谱通过显微荧光光路、光谱仪和CCD 探测器集成系统采集到，采集中采用50X(NA＝0.5)长焦显微物镜，测量温度在220K，并第三电极、第一电极S、第二电极D1分别施加的电压为0V、 4V、-2.4V。可以看到，电致荧光的峰位大约在650nm，对应单层二硫化钨的禁带宽度1.9电子伏，半高宽为35nm。
如图5所示，为上述示例的器件样品随一偏压变化PN结移动的电致荧光图像示意图，第三电极和第二电极D的电压固定，分别设置为0V和-3V，对第一电极S的电压Vs<\/sub>进行扫描，扫描范围为0-6V，步长为0.1V\/s，用CCD 相机记录PN结位置的移动图像，PN结位置也即荧光光点位置。在图(a)中，第一电极S的电压V s<\/sub>从6V开始依次减小，可以看到，荧光光点从第二电极 D一端逐渐向第一电极S一端移动，当电压降低到1.6V时，PN结到达第一电极S上，并随着第一电极S的电压继续减小，PN结消失。在图(b)中，第一电极S的电压V s<\/sub>从0V开始依次增大，第一电极S的电压Vs<\/sub>在0-2V时，没有光点出现，第一电极S的电压Vs<\/sub>增大到2V以后，荧光光点在第一电极 S上产生，并随着电压增大逐渐靠近第二电极D，当电压接近6V时，荧光光点接近第二电极D，强度最大。
如图6所示，为上述示例的器件样品的PN结位置随一电压变化的曲线示意图，横轴为第一电极S的电压Vs<\/sub>，纵轴为PN结距离第一电极S的距离。其中，第三电极和第二电极D的电压固定，分别设置为0V和-3V，曲线1中第一电极S的电压Vs<\/sub>从6V逐渐减小至0V，PN结从14.6μm处向第一电极S 移动，PN结开始的移动速率为2.29μm\/V，到3V时，移动速率变为4.86μm\/V；曲线2中，第一电极S的电压V s<\/sub>从0V逐渐增大到6V，Vs<\/sub>在0-2V之间，未有光点出现，Vs<\/sub>在2-2.9V，PN结的移动速度快，高达14.7μm\/V，Vs<\/sub>在2.9V 之后，PN结的移动速率降为0.74μm\/V，其移动速率由快转慢，与曲线1中的变化相反。这两种变化方式可以应用于不同的应用中，曲线1的变化情况可以应用于分子追踪与探测领域，可以按顺序对路径上的单分子或细胞进行定位和照明，曲线2的变化适用于迅速将光点还原为初始位置。
参考图7所示，为上述示例的器件样品的PN结位置随两电压变化的示意图，其中，第三电极电压设置为0V，对第一电极S和第二电极D的电压同时进行扫描，其中，第一电极S的电压Vs<\/sub>的扫描范围是0-6V，步长为0.1V\/s，第二电极D的电压Vd<\/sub>的扫描范围为0-(-4)，扫描步长为0.06V\/s，用CCD 相机记录PN结位置变化。其中，图(a)为PN结位置随两电压变化的电致荧光图像示意图，可以看到，当电压达到(V s<\/sub>＝2.5V，Vd<\/sub>＝-1.5V)时，光点在第一电极S附近产生，并随着电压绝对值的增加，逐渐向第二电极D移动。其中，图(b)为PN结位置随两电压变化的曲线示意图，当Vs<\/sub>小于2.5V，没有光点出现，Vs<\/sub>大于2.5V，PN结在第一电极S附近产生并向第二电极D 移动，V s<\/sub>在2.5-4.8V区间时，光点正向移动速率约为6.63μm\/V，Vs<\/sub>高于4.8V以后，受到第二电极S的电压Vs<\/sub>增加的影响，PN结移动速度越来越慢，最终稳定在14.8μm处。
如图8所示，图(8)为PN结位置随二硫化钨中电流变化的曲线示意图，该电流为第一电极和第二电极之间二硫化钨中的电流，可以看到，阈值电流为7μA，对应的第一电极S和第二电极D的电压分别为2.5V和-1.5V，随电流增大PN结的速率由快变慢，先以大约0.38μm\/μA的速率从7μA处移动到 23μA，之后以大约0.16μm\/μA的速率从6.5μm(23μA)处移动到14.8μm (80μA)处。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。尤其，对于器件制造方法实施例而言，与器件具有相似的部分，所以描述得比较简单，相关之处参见器件实施例的部分说明即可。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，虽然本实用新型已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本实用新型。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920314431.3
申请日:2019-03-12
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:11(北京)
授权编号:CN209641681U
授权时间:20191115
主分类号:H01L 33/26
专利分类号:H01L33/26;H01L33/36;H01L33/02;H01L33/00
范畴分类:38F;
申请人:中国科学院微电子研究所
第一申请人:中国科学院微电子研究所
申请人地址:100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
发明人:韩春蕊;叶剑挺
第一发明人:韩春蕊
当前权利人:中国科学院微电子研究所
代理人:党丽;王宝筠
代理机构:11227
代理机构编号:北京集佳知识产权代理有限公司 11227
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计