导读:本文包含了量子阱材料论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:量子,多量,增益,载流子,材料,应变,辐射计。
量子阱材料论文文献综述
莫敏·赛来,奥布力喀斯木·祖农,普拉提·艾合买提[1]（2018）在《激发功率对GaInNAs单量子阱材料的光致发光的影响》一文中研究指出Ga(In)AsN材料是一种新颖的半导体材料,对其进行适当的n型掺杂后其能带可调,宽度可调范围为0.8-1.4eV,并且与Ge、GaAs衬底材料晶格匹配。这种独特的性能为新型光电器件的研发和应用提供了一个不可取代的候选材料。通过低温(T=10K)光致发光方法研究了激发功率密度对GaInNAs/GaAs单层子阱结构光致发光(PL)性能的影响。(本文来源于《电子测试》期刊2018年08期）
智民,方铉,牛守柱,房丹,唐吉龙[2]（2018）在《快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响》一文中研究指出研究了快速热退火(RTA)对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显着提升;当退火温度为900℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能量理论得到了室温下PL峰位的发光机制。通过分峰拟合发现,RTA导致PL峰位整体蓝移。PL扫描图表明,RTA可以显着提高材料的整体晶体质量和发光均匀性。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2018年05期）
孙然,缪庆元,何平安,余文林[3]（2017）在《AlGaInAs多量子阱材料增益偏振相关性分析》一文中研究指出考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布,给出AlGaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析。设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构。在15~45℃温度范围,其模式增益具有低的偏振相关性(2%以内);当注入载流子浓度从2×10~(24) m~(-3)增大到3×10~(24) m~(-3)时,模式增益逐渐增大,且能在一定温度下保持低的偏振相关(3%以内)。(本文来源于《光学与光电技术》期刊2017年03期）
缪庆元,何秀贞[4]（2017）在《兼顾量子阱材料增益与折射率变化的研究》一文中研究指出对比分析了量子阱材料增益谱及其折射率变化谱随阱宽、应变和载流子浓度的变化特性,在此基础上以两谱线3dB谱宽交迭区面积为度量,分析了各因素对兼顾材料增益与折射率变化的影响,并剖析了其中的物理机理。研究表明,两谱线3dB谱宽交迭区面积随阱宽的变化过程中存在一个极大值;引入压应变有利于增大交迭区面积;交迭区面积随载流子浓度单调增加的过程中存在一个转折点,在转折点之前增加迅速,在转折点之后增加放缓。基于以上影响规律,选取适当的阱宽与压应变量,在载流子浓度为3.0×10~(24) m~(-3)时,设计出的In0.583Ga0.417As/In0.817Ga0.183As0.4P0.6量子阱在C波段内可恰当地兼顾增益与折射率变化,两谱线3dB谱宽交迭区面积为3.7×10~4 nm/cm。(本文来源于《光学与光电技术》期刊2017年02期）
姜波[5]（2017）在《基于硅锗/硅多量子阱材料的非制冷红外焦平面阵列研究》一文中研究指出8-14μm是常温环境下红外辐射的主要波段,是人类视觉在可见光波段的延伸。随着MEMS技术的发展,自上个世纪九十年代起,非制冷红外焦平面阵列探测器得到了迅速的发展。从最早的氧化钒材料到2000年前后法国ULIS公司推出的非晶硅材料,作为非制冷红外焦平面阵列热敏材料都取得了巨大的成功。2006年,新型半导体材料作为热敏材料的技术路线被提出。凭借材料本身较高的电阻温度系数和较低的噪声,以及与半导体生产线兼容的前景受到了重视。本文以新型半导体热敏材料研究现状为背景,以设计并制备高性能(体现在电阻温度系数,热稳态响应和噪声等效温差叁个技术指标)非制冷红外焦平面阵列为最终目标,开展了基于硅锗/硅多量子阱材料的非制冷红外焦平面阵列技术研究,主要研究内容包括:(1)开展了硅锗/硅多量子阱薄膜材料设计。半导体的热敏特性主要体现在费米能级和价带能级之间的差值,论文以价带能级分布为桥梁,构建了薄膜材料结构参数与电阻温度系数之间的定量关系;根据薄膜应力理论,计算了单晶硅基底上外延生长硅锗薄膜的临界厚度、亚稳态临界厚度,并结合有限元分析了两种极限状态下的应力分布;结合薄膜材料电阻温度系数性能、薄膜应力影响及后续阵列制造工艺因素,确定了可应用于非制冷红外焦平面阵列制造的热敏材料薄膜。该薄膜材料电阻温度系数理论值为-3.34%/K 至-3.85%/K。(2)开展了非制冷红外焦平面阵列像元结构设计。论文采用硅锗/硅多量子阱薄膜作为焦平面阵列的热敏材料,这使得该焦平面阵列区别于现有结构具有不同的红外吸收特性、热场分布和结构支撑特性。论文针对这叁个方面开展设计技术研究。首先,论文针对红外吸收腔开展了优化设计,由于氮化硅作为机械支撑层的引入,顶层薄膜的最优值产生了“极值偏移”现象,论文通过理论计算、数值仿真和实验结果对该现象进行了分析;其次,根据焦平面阵列像元结构参数,开展了像元热场分布研究,建立了串扰模型,并通过有限元软件计算了考虑真空度条件下的热场分布;最后,根据模态分析和刚度分析给出了叁种基本支撑形式(L型、U型及I型)像元的力学特点;结合阵列制造工艺过程,针对热应力及工艺应力开展了理论计算和仿真,获得的结论与实验数据相符。(3)开展了薄膜材料的外延生长工艺及测试技术研究。论文采用超高真空化学气相沉积技术开展了外延生长硅锗/硅结构循环、高掺杂硼单晶硅关键工艺研究;采用缓冲层设计避免了外延生长过程中出现的晶格滑移现象,实现了晶格质量较好的硅锗/硅循环结构;基于X射线衍射测试技术,开展了薄膜材料微观组分测试技术研究,通过分析,摇摆曲线测试方法较好地反应了薄膜材料中锗含量信息;经测试材料锗含量为27.08%至29.93%,硅锗/硅循环厚度为40.8nm至41.1nm;为了表征薄膜材料的电学性能,设计了一种简单的测试结构,以铝电极为掩膜,以底部浓硼掺杂层作为导电通道,形成“U”字型导电回路的方式,测定了薄膜材料的电阻温度系数为-2.84%/K至-2.97%/K;经曲线拟合换算至价带能级与费米能级差0.18eV至0.19eV,与第二章仿真值0.22eV接近。(4)开展了焦平面阵列测试技术研究。通过开展裸片测试和真空封装的样机测试,验证了焦平面阵列信号传递过程。其中,通过裸片测试,测定了阵列的红外吸收性能和像元的电学特性;通过真空封装样机的热响应测试,测定了像元结构的热导、热时间常数;通过相对光谱响应测试,表征了样机的红外响应波段范围;通过噪声频谱测试,表征了像元中硅锗/硅多量子阱材料噪声的噪声-频谱关系;通过噪声等效温差测试,表征了标准黑体红外辐射下,像元的噪声水平。经测试,4×4像元的平均噪声等效温差为69.34mK。(本文来源于《南京理工大学》期刊2017-04-01）
欧春晖,罗毅,王健,孙长征,韩彦军[6]（2016）在《柔性环境应变对InGaAsP量子阱材料增益的影响》一文中研究指出本文采用k×p方法,从能带结构出发,研究了柔性环境应变对于InGaAsP量子阱增益的影响.计算出在不同注入载流子浓度情况下,垂直(z)方向和水平(x)方向应变对于不同组分InGaAsP量子阱TE,TM模增益谱的影响,发现z方向压应变的主要作用是使TE模的增益峰位置发生蓝移,并提高TM模的增益峰的数值;x方向压应变使TE增益峰位置发生红移、TM模增益峰位置发生蓝移,并降低TM模增益峰的数值.而z方向张应变的主要作用是使TE模的增益峰位置发生红移,并降低TM模的增益峰的数值;x方向张应变使TE增益峰位置发生蓝移、TM模增益峰位置发生红移,并提高TM模增益峰的数值.进一步得出为保持InGaAsP量子阱材料增益的波动变化量不超过30%、增益峰位置移动量不超过20 nm,柔性环境对其施加的应变应控制在3‰以内.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2016年04期）
刘维[7]（2016）在《高应变InGaAs多量子阱材料外延及发光特性》一文中研究指出本文通过理论分析,模拟设计了高应变InGaAs多量子阱激光器,并着重讨论了应变对InxGa1-xAs/GaAs多量子阱激光器的影响。激光器的输出波长为1.06μm,阈值电流为194.8mA。在结构上,采用双模式扩展层多量子阱结构,远场垂直发散角降低到13°。对高应变InGaAs多量子阱激光器的阈值电流、限制因子和远场垂直发散角进行了深入研究,并且发现其具有较低的内损耗和较高的特征温度。对所设计的激光器的有源区进行外延生长,通过对比实验和常温PL(光荧光)测试,详细讨论了Ⅴ/Ⅲ比值、生长速率和衬底偏向角度等条件对样品发光特性的影响。实验发现在生长温度为650℃、Ⅴ/Ⅲ比值为50、生长速率为1.15μm/h、GaAs衬底(100)偏<111>2o的条件下,可以获得高质量的外延材料。(本文来源于《长春理工大学》期刊2016-03-01）
张丹,李明,高立明,赵连城[8]（2015）在《MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及其光学性能研究》一文中研究指出系统研究了I类组分量子阱结构材料GaAs/AlGaAs的结构设计、材料表征及光学性能。利用分子束外延(MBE)技术生长量子阱材料,原子力显微镜(AFM)测量结果表明样品表面粗糙度达到10-1 nm数量级。X射线双晶衍射测试结果显示材料具备良好的生长质量及晶格完整性。室温光致发光谱探测出量子阱导带电子与价带轻重空穴的复合发光,及施主-受主(D-A)能级间距与GaAs禁带宽度。综合分析结果表明用MBE方法制备实现了与设计结构高度相符的GaAs/Al0.27Ga0.73As量子阱样品,为后期器件设计的精确实现提供了理论依据。(本文来源于《半导体光电》期刊2015年05期）
张丹[9]（2015）在《MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及其光学性能研究》一文中研究指出自1985年GaAs/AlGaAs量子阱被证实对长波红外光有吸收作用以来,GaAs体系的超晶格量子阱材料以其稳定性好易于实现器件工艺、均匀性好易于制备大面阵焦平面的优势,逐渐被广泛应用于红外探测器的研制,目前基于GaAs/AlGaAs多量子阱材料的红外探测器已开始向多波段、太赫兹特性方向发展。本文系统研究了GaAs/AlGaAs这一典型超晶格量子阱材料从结构设计、材料表征到性能测试的实验过程及结果分析,为后期器件设计的精确实现提供理论依据。论文主要包括叁个部分:第一部分理论介绍。包括对GaAs/AlGaAs红外探测器、超晶格量子阱材料的发展历程及现状的概述,及分子束外延(MBE)生长技术、表面形貌观测、结构参数测定、光致发光性能的实验方法简介。第二部分计算模拟。通过对量子阱中能带结构的计算模拟,分析了结构参数对红外探测波长的影响,结果表明红外探测峰值波长随垒高的增大而减小,随垒宽增大而增大,但影响不大。超晶格结构中随阱宽增大,红外探测峰值波长增大;多量子阱结构中趋势相反。第叁部分实验分析。对MBE生长的GaAs/AlGaAs超晶格量子阱样品进行表面形貌、结构参数等材料表征,结果表明样品表面平整致密,呈二维层状生长形貌,结构参数与设计值相近,样品具有良好的均匀性及平整度。光致发光谱获得了掺杂GaAs及GaAs/AlGaAs量子阱中的载流子带间跃迁辐射发光峰,理论计算的能级间距与发光峰能量符合得较好。(本文来源于《上海交通大学》期刊2015-01-14）
刘洋,李林,乔忠良,苑汇帛,谷雷[10]（2014）在《MOCVD生长1.06μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究》一文中研究指出利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽(FWHM)的影响。发现在相同生长条件下,对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构,在GaAs(100)偏<111>A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大,半峰全宽较窄;量子阱层低温生长的样品发光强度更强;增大量子阱层V/III比可以提高样品的发光强度,同时PL谱峰值波长出现红移。(本文来源于《中国激光》期刊2014年11期）
量子阱材料论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究了快速热退火(RTA)对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显着提升;当退火温度为900℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能量理论得到了室温下PL峰位的发光机制。通过分峰拟合发现,RTA导致PL峰位整体蓝移。PL扫描图表明,RTA可以显着提高材料的整体晶体质量和发光均匀性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
量子阱材料论文参考文献
[1].莫敏·赛来,奥布力喀斯木·祖农,普拉提·艾合买提.激发功率对GaInNAs单量子阱材料的光致发光的影响[J].电子测试.2018
[2].智民,方铉,牛守柱,房丹,唐吉龙.快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响[J].激光与光电子学进展.2018
[3].孙然,缪庆元,何平安,余文林.AlGaInAs多量子阱材料增益偏振相关性分析[J].光学与光电技术.2017
[4].缪庆元,何秀贞.兼顾量子阱材料增益与折射率变化的研究[J].光学与光电技术.2017
[5].姜波.基于硅锗/硅多量子阱材料的非制冷红外焦平面阵列研究[D].南京理工大学.2017
[6].欧春晖,罗毅,王健,孙长征,韩彦军.柔性环境应变对InGaAsP量子阱材料增益的影响[J].中国科学:物理学力学天文学.2016
[7].刘维.高应变InGaAs多量子阱材料外延及发光特性[D].长春理工大学.2016
[8].张丹,李明,高立明,赵连城.MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及其光学性能研究[J].半导体光电.2015
[9].张丹.MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及其光学性能研究[D].上海交通大学.2015
[10].刘洋,李林,乔忠良,苑汇帛,谷雷.MOCVD生长1.06μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究[J].中国激光.2014
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