导读:本文包含了施密特触发器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:施密特触发器,相对时延,校准
施密特触发器论文文献综述
蔡春贵,王登峰,钟兴旺,胡经民,王玉凡[1]（2019）在《基于施密特触发器的相对时延校准电路》一文中研究指出为了同步导航设备播发的多路秒脉冲,需对多路秒脉冲进行相对时延校准。文章将秒脉冲由方波转换为梯形波,输入至施密特触发器,通过控制施密特触发器的判决阈值电压,便可改变秒脉冲的相对时延。使用方波信号控制差分恒流源器件对电容进行充电,电容两端的压差为方波转换的梯形波。利用减法电路将压差提取出来并进行放大;利用加法电路为压差信号增加直流偏置,直流偏置等于施密特触发器的供电电压的1/2。将秒脉冲信号输入到该电路,可以通过改变电阻来控制方波信号的相对时延,从而降低各秒脉冲接收设备的相对同步误差,提高测量精度。通过电路设计和仿真验证两路信号30ns的相对时延校正,仿真结果显示误差优于50ps。(本文来源于《空间电子技术》期刊2019年03期）
王思远[2]（2019）在《施密特触发器电路优化与在SRAM中应用的研究》一文中研究指出随着集成电路技术的快速发展,传统CMOS晶体管在尺寸缩减中遇到了短沟道效应等一些问题,而FinFET作为一种新型器件被提出,为解决短沟道效应等问题提供了有效的途径。本文主要分析了几种优化后的施密特触发器电路,将施密特触发器电路应用到SRAM中,设计了一种基于施密特触发器的10T SRAM单元电路,最后又提出了一种优化后基于FinFET的施密特触发器电路,并将其应用到SRAM中,设计出一种新型基于FinFET的11T SRAM单元电路。通过对基于CMOS传统的施密特触发器电路的分析及仿真测试,能够发现其在延迟和抗噪声方面的不佳表现,从而提出几种优化的施密特触发器电路设计,并进行了具体分析。将施密特触发器应用到SRAM中,设计出了基于施密特触发器的10T SRAM单元电路,并对所设计电路多种性能进行HSPICE仿真模拟,结果表明在写裕度、延迟、功耗、漏电流及保持噪声容限方面的性能参数都优于CMOS 6T SRAM的单元电路。用FinFET器件代替传统MOS管构成基于FinFET的施密特触发器电路,在此基础上添加了一个睡眠晶体管,从而提出一种优化的基于FinFET的施密特触发器电路,将其应用到SRAM中设计出一种新型基于FinFET的11T SRAM单元电路,经过仿真测试表明除了保持噪声容限略低于传统的ST10T SRAM单元电路以外,在功耗、平均延迟、漏电流、写裕度以及读噪声容限方面都比传统ST10T SRAM单元电路优越,从而体现出优化后的施密特触发器电路在SRAM中应用的实际意义。图[86]表[7]参[32](本文来源于《安徽理工大学》期刊2019-06-12）
唐琪[3]（2019）在《基于双施密特触发器的类正弦波相频采集方法》一文中研究指出首先介绍新投运电缆局部放电试验中同步信号相位和频率难以跟踪的实际问题,设计了一种通过无线通讯进行相位和频率跟踪的方法。接着通过分析,得出该方法对幅值失真的类正弦电压波形的相位采集不准确,从而对方法进行了修正。然后设计了一种基于双施密特触发器的类正弦波相频采集方法,通过对采集电路和算法的具体论证,解决了无线通讯下同步信号相位和频率的准确跟踪问题。(本文来源于《电子设计工程》期刊2019年02期）
崔建国,宁永香[4]（2018）在《基于斯密特触发器的单脉冲及连续脉冲双模态发生器》一文中研究指出设计一种能够产生单脉冲及连续脉冲的双模态发生器。采用施密特触发器N_1～N_4、开关、电阻、电容、电位器等元件,在集成电路74LS132上实施电气设计。当开关轻触时,触发器N_1用于产生单脉冲;当开关短接时,触发器N_2用于产生任意数量的连续脉冲;N_3和N_4用于实现信号整形和噪声消除。电路结构简洁,耗电仅为数毫安,能够很好地适用于工业控制中的一些特殊应用。(本文来源于《工业技术创新》期刊2018年05期）
张伟,杨振龙,陈月红[5]（2018）在《施密特触发器在通信指示灯电路中的应用》一文中研究指出本文主要介绍了利用施密特触发器实现通信指示灯电路的基本原理及其电路结构。利用本文介绍的技术实现的通信指示灯电路具有通用性好,结构紧凑,性能稳定、可靠,不占用单片机CPU资源以及造价低廉等特点。(本文来源于《中国新技术新产品》期刊2018年18期）
崔建国,宁永香[6]（2018）在《微信号通过施密特触发器生成矩形波方案的探讨》一文中研究指出针对施密特触发器正常工作的基本要求是输入信号必须超过、或至少达到施密特触发器的门限值(或阈值)U+和U-电压,施密特触发器输出电压才可以反转,但是很多传感器输出的信号是很微弱的,这些微弱信号是不可能通过施密特触发器生成矩形波的。设计一个电路,采用通信领域的所谓载波信号的原理,即对微弱交流信号提供一个较大幅度直流偏置的方法,完美实现了小信号可以通过施密特触发器形成矩形波的设想。且完全没有改变原运算放大器的任何输入、输出特性。(本文来源于《山西电子技术》期刊2018年03期）
崔建国,宁永香[7]（2018）在《基于斯密特触发器的专用开关智能延迟装置》一文中研究指出基于斯密特触发器设计触发通断的、有智能延迟功能的装置。采用4个含有与非门的斯密特触发器,其中2个触发器组成RS双稳态触发器,另外2个触发器及其外围元件组成延迟触发电路和延迟关断电路。触发、关断采用不同的放电路径,实现继电器吸合时间的延迟。通过时间常数RC调节接通延迟时间以及关断延迟时间为2~3 s。电路设计简单、元件参数控制准确、成本优势明显,普适于工农业控制和日常生活。(本文来源于《工业技术创新》期刊2018年02期）
张维维,朱保峰,钱力,杨勇[8]（2017）在《分布电容对施密特触发器与RC微分电路构成的多谐振荡电路的影响》一文中研究指出由多谐振荡器构成的交流电路在传输信号时,微小的电容量变化,可能会严重影响电路工作。描述了实验室废液收集器检测电路误报警的故障现象。依据检测装置的结构和工作原理,结合实验数据和仿真结果,分析并得出导致故障产生的原因为不同连接状态分布电容的差异,并给出分布电容的构成。针对如何弱化分布电容的影响,给出了解决措施。实测结果表明,对电缆屏蔽皮接电源地可以消除241p F分布电容。(本文来源于《传感器世界》期刊2017年08期）
胡晓芳[9]（2016）在《基于555定时器的施密特触发器的Multisim12仿真研究》一文中研究指出利用555定时器可以很方便的构造施密特触发器。在555定时器中引入外接控制电压后可以改变施密特触发器的阈值和回差电压。文章利用Multisim12仿真软件研究了改变控制电压对施密特触发器阈值和回差电压的影响。为施密特触发器的实际应用提供了一种思路。(本文来源于《长治学院学报》期刊2016年05期）
周江[10]（2016）在《TTL、CMOS及施密特触发器》一文中研究指出单稳态电路是电子设计中的一个常用电路。文章以一个简单的单稳态电路为例,将TTL、CMOS和施密特触发器在相同的电路中的不同的作用展示出来,能够很直观地理解和掌握TTL、CMOS和施密特触发器的特点和用途。四个电路均在Proteus中仿真和实际电路中验证,两者结果一致。(本文来源于《大众科技》期刊2016年09期）
施密特触发器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着集成电路技术的快速发展,传统CMOS晶体管在尺寸缩减中遇到了短沟道效应等一些问题,而FinFET作为一种新型器件被提出,为解决短沟道效应等问题提供了有效的途径。本文主要分析了几种优化后的施密特触发器电路,将施密特触发器电路应用到SRAM中,设计了一种基于施密特触发器的10T SRAM单元电路,最后又提出了一种优化后基于FinFET的施密特触发器电路,并将其应用到SRAM中,设计出一种新型基于FinFET的11T SRAM单元电路。通过对基于CMOS传统的施密特触发器电路的分析及仿真测试,能够发现其在延迟和抗噪声方面的不佳表现,从而提出几种优化的施密特触发器电路设计,并进行了具体分析。将施密特触发器应用到SRAM中,设计出了基于施密特触发器的10T SRAM单元电路,并对所设计电路多种性能进行HSPICE仿真模拟,结果表明在写裕度、延迟、功耗、漏电流及保持噪声容限方面的性能参数都优于CMOS 6T SRAM的单元电路。用FinFET器件代替传统MOS管构成基于FinFET的施密特触发器电路,在此基础上添加了一个睡眠晶体管,从而提出一种优化的基于FinFET的施密特触发器电路,将其应用到SRAM中设计出一种新型基于FinFET的11T SRAM单元电路,经过仿真测试表明除了保持噪声容限略低于传统的ST10T SRAM单元电路以外,在功耗、平均延迟、漏电流、写裕度以及读噪声容限方面都比传统ST10T SRAM单元电路优越,从而体现出优化后的施密特触发器电路在SRAM中应用的实际意义。图[86]表[7]参[32]
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
施密特触发器论文参考文献
[1].蔡春贵,王登峰,钟兴旺,胡经民,王玉凡.基于施密特触发器的相对时延校准电路[J].空间电子技术.2019
[2].王思远.施密特触发器电路优化与在SRAM中应用的研究[D].安徽理工大学.2019
[3].唐琪.基于双施密特触发器的类正弦波相频采集方法[J].电子设计工程.2019
[4].崔建国,宁永香.基于斯密特触发器的单脉冲及连续脉冲双模态发生器[J].工业技术创新.2018
[5].张伟,杨振龙,陈月红.施密特触发器在通信指示灯电路中的应用[J].中国新技术新产品.2018
[6].崔建国,宁永香.微信号通过施密特触发器生成矩形波方案的探讨[J].山西电子技术.2018
[7].崔建国,宁永香.基于斯密特触发器的专用开关智能延迟装置[J].工业技术创新.2018
[8].张维维,朱保峰,钱力,杨勇.分布电容对施密特触发器与RC微分电路构成的多谐振荡电路的影响[J].传感器世界.2017
[9].胡晓芳.基于555定时器的施密特触发器的Multisim12仿真研究[J].长治学院学报.2016
[10].周江.TTL、CMOS及施密特触发器[J].大众科技.2016