导读:本文包含了多型体论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:氮化,密度,碳化硅,大黄,原理,各向异性,理论。
多型体论文文献综述
陈志谦,焦丽娜,李春梅,胡萌[1]（2015）在《HfO_2多型体的弹性、慢度和热导率及其各向异性研究》一文中研究指出本文运用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势和模守赝势研究了四种晶相Hf O2的弹性、慢度和热导率及其各向异性,通过计算得到四种结构的弹性常数、体弹模量、剪切模量、杨氏模量和泊松比.根据泊松比和Pugh模量比分析了四种材料的键合属性;根据弹性各向异性分数比AB,AG和AE以及剪切各向异性因子A1,A2和A3的计算值,说明四种晶相Hf O2是弹性各向异性的;又通过弹性模量的叁维立体图形展示了四种晶相Hf O2的弹性各向异性.计算得到的声学波速以及不同晶向上的最小热导率,显示了四种晶相Hf O2声学波速和热导率的大小及其各向异性,并绘出慢度在XY,YZ和ZX平面上的图形.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2015年05期）
祝桐[2]（2014）在《TiO_2多型体的稳定性、电子结构、光学性质的第一性原理计算》一文中研究指出对于搜寻在可见光波段下的光催化剂材料来说,材料能带结构以及光吸收性质能为我们的搜寻工作提供极大的帮助。所以计算材料的基态性质、激发态性质(能带结构和光吸收谱)显得极为重要。本文中运用基于密度泛函理论的广义梯度近似得到九种TiO2多型体的能带结构,并且运用GW方法方法对布理渊区中高对称点的能级能量进行修正。随后,运用DFT-GGA方法得到的波函数以及GW方法得到的屏蔽函数W和修正过后的能量值,通过求解两体贝特-萨尔皮特方程得到有关激发态的性质。全文共分为六章。第一章主要介绍光催化反应的原理和近年来TiO2材料实验上的主要进展,以及我们研究的目的和意义。第二章中,我们详细阐述了计算的理论基础,从赝势的定义、密度泛函理论到多体微扰理论(GW方法和贝特-萨尔皮特方程)。第叁章中,我们主要介绍怎样产生一个有效的模守恒赝势以及计算的相关参数。第四章中,我们运用DFT-GGA+D+U方法精确计算了九种TiO2多型体的晶格参数,并且讨论了他们之间的相对稳定性。第五章中,我们研究了九种结构TiO2的能带结构、态密度以及光吸收谱等方面的性质。本文主要成果如下：1.通过对声子态密度的计算,发现了一个理论上可能存在的新相——鳞石英相。运用多体微扰理论,得到其禁带宽度和光吸收谱。发现其禁带宽度(5.67eV)均大于其他八种结构的TiO2。其静态介电函数为2.4,可以和现今发现的低介电函数材料相媲美。2.运用DFT-GGA+D+U的计算方法,精确得到九种结构TiO2的晶格参数。相较于其他理论计算,正确描述了锐钛矿的晶格参数(晶体中c轴的长度),以及金红石、板钛矿、锐钛矿叁相在0 GPa下焓的相对大小关系。分析了九种相在0 GPa～70 GPa下的相对稳定性。3.运用广义梯度近似得到了九种结构TiO2的能带结构,并且运用GW方法对布理渊区中高对称点的能级能量进行修正。其中,黄铁矿、氟石两相的禁带宽度满足可见光波段光催化剂的要求(2eV～3.1eV)。金红石、铌铁矿两相的直接带隙宽度和间接带隙宽度十分接近,表明其具有准直接带隙结构。斜锆石相和锐钛矿的禁带宽度十分接近,氯铅矿相和金红石的禁带宽度接近。本文在理论计算上第一次给出了铌铁矿、斜锆石、氯铅矿、黄铁矿等Ti02相的能带结构。4.通过求解两体贝特-萨尔皮特方程,得到了九种结构Ti02的光吸收谱。发现在可见光波段下,氟石相以及黄铁矿相均有较高的光吸收效率,并且斜锆石相在b轴方向上也具有一定的光吸收效率。在紫外光波段下,锐钛矿的光吸收效率最高。(本文来源于《复旦大学》期刊2014-04-14）
周艳萍[3]（2011）在《SiC多型体的第一性原理计算研究》一文中研究指出SiC是一种极具潜力的第叁代宽带隙半导体。由于它具有宽带隙、高硬度、高热导率等优良性能,在高温、高频、高压、高功率电子器件中有着重要应用。随着理论研究的不断深入及实验技术的不断提高,对SiC原子和电子结构的理论和实验研究也引起了人们极大的兴趣。本文采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法,利用CSATEP程序模块,对四种碳化硅多型体进行了原子、电子结构和声子态密度等方面的第一性原理研究。基于密度泛函理论下的广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)平面波赝势方法,本文对立方相碳化硅(3C)、六方相碳化硅(2H),以及4H和6H碳化硅进行了晶体结构、电子性质及力学性能等方面的计算。经过结构的几何优化,得到的稳定结构晶格常数与已知的实验数据相吻合。在此基础上,对3C、2H、4H和6H碳化硅进行的能带结构、态密度计算分析结果表明它们都具有半导体性质,其中3C-SiC存在直接带隙,nH-SiC为间接带隙。利用基于Mulliken轨道重迭布局数的固体共价本征硬度的计算方法,计算了各结构多型体碳化硅的本征硬度值,并与实验数据比较,结果基本相符,证实它们均属于超硬材料。此外,利用CASTEP软件模块,计算得出了各碳化硅多型体的声子谱及声子态密度,并对此进行分析,结合相关理论得出了在真空环境中碳化硅多型体热力学状态函数间的相互关系,并推导了热容、德拜温度等热力学性质随温度变化的关系,得出了各多型体在不同温度处的德拜温度介于1200 K -1500 K之间。(本文来源于《燕山大学》期刊2011-06-30）
顾雄,高尚鹏[4]（2011）在《TiN多型体高压相变的第一性原理计算》一文中研究指出基于密度泛函理论框架下的赝势平面波方法,计算了B1(氯化钠结构)、B2(氯化铯结构)、B3(闪锌矿结构)、Bk(六方氮化硼结构)、Bh(碳化钨结构)和B81(砷化镍结构)6种TiN多型体的晶体结构、体积弹性模量和相对稳定性.计算指出,不存在B4(纤锌矿)结构的TiN.通过不同外压下的晶格弛豫得到每种结构的焓,发现外压低于345GPa时TiN最稳定的结构是B1结构,在345GPa以上B2结构的TiN最稳定.TiN从B1结构到B2结构的相变伴随着体积和弹性模量的变化.(本文来源于《物理学报》期刊2011年05期）
韩桂茹,王金龙,赵志军,冯丽,封淑华[5]（2011）在《大黄系列品种中多型体的大黄酚与大黄素定量测定》一文中研究指出目的建立大黄系列品种中简便、快捷的多型体大黄酚与大黄素测定新方法。方法通过样品提取程序的简化与流动相的重组,用高效液相色谱法快速、准确地测定了大黄系列品种中多型体的大黄酚与大黄素。结果样品提取时间由原方法的10～15 h,降低到0.5 h,有效提高了检测速度;解决了大黄素波峰包覆杂质峰的难题,提高了方法的准确性;首次依据大黄的不同功效,分别控制制剂中的总、结合与游离大黄酚与大黄素量,保证了治疗效果。结论方法快速、准确、无污染,适用于多种复方制剂中多型体大黄酚与大黄素的同时定量测定。(本文来源于《中成药》期刊2011年04期）
童明全,闫文付,李吉学,于吉红,徐如人[6]（2010）在《手性多型体A过量的Beta沸石的合成》一文中研究指出Beta沸石分子筛是唯一具有叁维十二员环交叉孔道结构的高硅沸石,它是A和B两种多型体的层错共生结构,通常A与B的比例为45:55[1,2],其中手性多型体A在c轴向具有12员环的手性螺(本文来源于《中国化学会第27届学术年会第08分会场摘要集》期刊2010-06-20）
童明全,闫文付,于吉红,徐如人[7]（2009）在《多型体A富集的全硅Beta沸石分子筛》一文中研究指出采用新合成二甲基二异丙基氢氧化铵为模板剂,在氟体系下合成了多型体A富集的全硅Beta沸石分子筛,并用粉末XRD,29SiMASNMR,19FMASNMR,N2吸附以及SEM对样品进行了表征。(本文来源于《第十五届全国分子筛学术大会论文集》期刊2009-10-11）
刘福[8]（2009）在《SiC（001）表面重构与多型体的第一性原理研究》一文中研究指出SiC是一种极具潜力的第叁代宽带隙半导体。由于它具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速率等优点,在高温、高频、高压、高功率和抗辐射微电子器件中有着重要的应用。随着理论研究的不断深入及实验技术的不断提高,对SiC表面原子和电子结构的理论和实验研究也引起了人们极大的兴趣。本研究以国内外已有的研究成果为基础,参考大量文献,针对现有的研究工作中存在的不足和问题,通过广义梯度近似的密度泛函理论方法系统研究了3C-SiC(001)的(2×1)、(2×2)、(3×2)等表面重构模型的原子与电子结构,进一步确定其表面结构的真实构型。3C-SiC(001)表面是极性表面,采取H原子钝化的层晶超原胞模型。理论计算分析了3C-SiC,2H-SiC,4H-SiC,6H-SiC这几种多型体的几何构型、晶格常数、能带结构、价带宽度、基态密度等结构特性参量,并与实验数据对比分析模拟方法与结果的正确性。3C-SiC(001)-(2×1)表面计算结果表明该表面为非对称性的Si二聚体结构,二聚体Si原子间键长为0.232nm,键的扭曲为0.011nm;电子结构计算结果表明,在费米能级处有明显的态密度,表面呈金属性。在带隙附近存在四个表面态,一个位于费米能级附近,一个位于费米能级以上5eV处,另外两个位于费米能级以下的价带中。在带隙及带隙附近我们发现了四个明显的表面能带,分别由σ键构成的成键态和反键态,π键构成的成键态和反键态组成。计算了3C-SiC(001)-(2×2)表面的原子及电子结构。结果表明该表面为对称性的C二聚体结构,二聚体C=C双键长为1.37(?);在费米能级处有明显的态密度,表面呈金属性。表面C原子在带隙及带隙附近有叁个明显的表面态带,一个位于费米能级以下1eV处,另两个位于费米能级附近,其中一个位于价带顶附近,另一个处于导带中,这两个带相差1eV左右。在费米能级以下的价带中,也有叁个明显的表面态带,其中两个位于费米能级以下3eV左右,还有一个位于价带底。费米能级附近的态带分别是由表面C原子的p轨道形成,π键构成的成键态和反键态组成。对Si富集的3C-SiC(001)-(3×2)表面TAADM重构模型的原子与电子结构进行了详细分析。计算结果表明:该表面为非对称的二聚体结构,其键长为2.24(?);表面有4个明显的表面态带,其中费米能级附近的2个表面态带是由于表面Si原子悬挂键的成键态和反键态所形成的。费米能级附近的带系宽度为1eV左右,表面呈半导体性质。计算得到的能带结构图和电荷密度图,分别同ARPES和STM实验数据吻合得很好。论文还探讨了3C、2H、4H、6H SiC的价带结构,发现其价带均由两个子带组成。对于3C-SiC,低能量子带部分主要由Si 3s、Si 3p和C 2s组成;高能量子带部分主要由Si 3s、Si 3p、Si 3d和C 2s、C 2p组成。在高能量子带部分,其低能区主要由Si 3s和C 2p组成,高能区主要由Si 2p和C 2p组成。其价带顶位于布里渊区的Γ点,具有叁重简并;导带底位于布里渊区的M点,具有二重简并。对于2H-SiC与4H-SiC,其低能与高能子带的构成与3C-SiC一致。2H-SiC的价带顶位于布里渊区中心Γ点,具有二重简并,紧接其能量以下是单重态。导带底位于K点,具有单重态;第二导带底则位于M点附近。4H-SiC的价带顶位于布里渊区中心Γ点,具有二重简并,紧接其能量以下是单重态。导带底位于M点,不同于2H-SiC能带;第二导带底也位于M点,与导带底仅相差0.13eV。6H-SiC的价带主要由Si 3p和C 2p组成;导带端也有很强的Si 3p和C 2p特征。在离价带顶7.2eV以下有很尖的C 2p-Si 3s能带特性。其价带顶位于布里渊区中心Γ点,具有二重简并,紧接其能量以下是单重态,导带底位于M点附近的U点(0.000,0.500,0.176)。(本文来源于《中南大学》期刊2009-06-30）
翟鹏亮,叶国田,钟香崇,张海军,梁敏[9]（2009）在《造孔剂NH_4F和氮化温度对合成12H(AlN-多型体)的影响》一文中研究指出以Al粉(w(Al)=99%,d50=24μm)、Si粉(w(Si)=99%,d50=42μm)、电熔白刚玉(w(Al2O3)=99.30%,粒度≤45μm)为主要原料,外加少量造孔剂NH4F(分析纯),经高温(保温5 h)氮化合成了12H粉体。研究了氮化温度(分别为1 450、1 500和1 550℃)、NH4F外加量(分别为0、1%、3%和5%)对12H合成率的影响。结果表明:试样在升温过程中逐渐致密化,导致其氮化不完全,12H含量较低;加入NH4F能显着促进试样氮化,提高12H含量,15R、21R、12H叁种多型体氮化时很容易同时出现,但随氮化温度的升高,15R和21R逐渐转化为12H。(本文来源于《耐火材料》期刊2009年02期）
陈静[10]（2008）在《光吸收谱法鉴别碳化硅晶体的多型体结构》一文中研究指出用光吸收谱法对3种常见的碳化硅单晶多型结构进行鉴别,结果显示,4H-、6H-及15R-碳化硅多型体结构的光吸收谱的吸收边位置有明显差别,计算表明,这对应于其自身的带隙宽度.同时从吸收谱上还可以看到非故意掺杂引入的载流子引起吸收边的偏移.分析了不同掺杂类型对吸收边的影响.(本文来源于《淮阴师范学院学报(自然科学版)》期刊2008年03期）
多型体论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对于搜寻在可见光波段下的光催化剂材料来说,材料能带结构以及光吸收性质能为我们的搜寻工作提供极大的帮助。所以计算材料的基态性质、激发态性质(能带结构和光吸收谱)显得极为重要。本文中运用基于密度泛函理论的广义梯度近似得到九种TiO2多型体的能带结构,并且运用GW方法方法对布理渊区中高对称点的能级能量进行修正。随后,运用DFT-GGA方法得到的波函数以及GW方法得到的屏蔽函数W和修正过后的能量值,通过求解两体贝特-萨尔皮特方程得到有关激发态的性质。全文共分为六章。第一章主要介绍光催化反应的原理和近年来TiO2材料实验上的主要进展,以及我们研究的目的和意义。第二章中,我们详细阐述了计算的理论基础,从赝势的定义、密度泛函理论到多体微扰理论(GW方法和贝特-萨尔皮特方程)。第叁章中,我们主要介绍怎样产生一个有效的模守恒赝势以及计算的相关参数。第四章中,我们运用DFT-GGA+D+U方法精确计算了九种TiO2多型体的晶格参数,并且讨论了他们之间的相对稳定性。第五章中,我们研究了九种结构TiO2的能带结构、态密度以及光吸收谱等方面的性质。本文主要成果如下：1.通过对声子态密度的计算,发现了一个理论上可能存在的新相——鳞石英相。运用多体微扰理论,得到其禁带宽度和光吸收谱。发现其禁带宽度(5.67eV)均大于其他八种结构的TiO2。其静态介电函数为2.4,可以和现今发现的低介电函数材料相媲美。2.运用DFT-GGA+D+U的计算方法,精确得到九种结构TiO2的晶格参数。相较于其他理论计算,正确描述了锐钛矿的晶格参数(晶体中c轴的长度),以及金红石、板钛矿、锐钛矿叁相在0 GPa下焓的相对大小关系。分析了九种相在0 GPa～70 GPa下的相对稳定性。3.运用广义梯度近似得到了九种结构TiO2的能带结构,并且运用GW方法对布理渊区中高对称点的能级能量进行修正。其中,黄铁矿、氟石两相的禁带宽度满足可见光波段光催化剂的要求(2eV～3.1eV)。金红石、铌铁矿两相的直接带隙宽度和间接带隙宽度十分接近,表明其具有准直接带隙结构。斜锆石相和锐钛矿的禁带宽度十分接近,氯铅矿相和金红石的禁带宽度接近。本文在理论计算上第一次给出了铌铁矿、斜锆石、氯铅矿、黄铁矿等Ti02相的能带结构。4.通过求解两体贝特-萨尔皮特方程,得到了九种结构Ti02的光吸收谱。发现在可见光波段下,氟石相以及黄铁矿相均有较高的光吸收效率,并且斜锆石相在b轴方向上也具有一定的光吸收效率。在紫外光波段下,锐钛矿的光吸收效率最高。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多型体论文参考文献
[1].陈志谦,焦丽娜,李春梅,胡萌.HfO_2多型体的弹性、慢度和热导率及其各向异性研究[J].中国科学:物理学力学天文学.2015
[2].祝桐.TiO_2多型体的稳定性、电子结构、光学性质的第一性原理计算[D].复旦大学.2014
[3].周艳萍.SiC多型体的第一性原理计算研究[D].燕山大学.2011
[4].顾雄,高尚鹏.TiN多型体高压相变的第一性原理计算[J].物理学报.2011
[5].韩桂茹,王金龙,赵志军,冯丽,封淑华.大黄系列品种中多型体的大黄酚与大黄素定量测定[J].中成药.2011
[6].童明全,闫文付,李吉学,于吉红,徐如人.手性多型体A过量的Beta沸石的合成[C].中国化学会第27届学术年会第08分会场摘要集.2010
[7].童明全,闫文付,于吉红,徐如人.多型体A富集的全硅Beta沸石分子筛[C].第十五届全国分子筛学术大会论文集.2009
[8].刘福.SiC（001）表面重构与多型体的第一性原理研究[D].中南大学.2009
[9].翟鹏亮,叶国田,钟香崇,张海军,梁敏.造孔剂NH_4F和氮化温度对合成12H(AlN-多型体)的影响[J].耐火材料.2009
[10].陈静.光吸收谱法鉴别碳化硅晶体的多型体结构[J].淮阴师范学院学报(自然科学版).2008
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