导读:本文包含了基准电压源论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:基准,温度,电压,曲率,系数,抑制,电源。
基准电压源论文文献综述写法
陈昊,张彩珍,王梓淇,王永功[1]（2019）在《一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源》一文中研究指出基于0.13μm CMOS工艺设计了一个高阶曲率补偿带隙基准电压源,该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源抑制比(PSRR)。通过高阶曲率补偿电路得到低温度系数;在该带隙基准电压源的核心电路中,使电流镜管的栅源电压保持恒定值来实现在一定频段下的PSRR增强。利用Cadence工具进行了仿真,并进行了流片验证,测试结果表明,该带隙基准电压源具有恒定的1.2 V基准电压,在-45～165℃内,基准电压的温度系数为3.95×10~(-6)/℃;PSRR在10 kHz下为74.7 dB,在1 MHz下为42 dB;电路启动时间为1.4μs。该设计已应用于高精度嵌入式电源管理芯片的低压差线性稳压器中。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年12期）
张海磊,居水荣,王津飞,刘锡锋[2]（2019）在《一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源》一文中研究指出设计了一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源电路。该基准源电路主要由启动电路、运算放大器、正温度系数(PTAT)电路、负温度系数(CTAT)电路和曲率补偿电路组成。电路中采用MOSFET替代传统双极结型晶体管作为CTAT来源,并在一阶带隙基础上结合高阶曲率补偿技术,以降低温度系数、提高线性度。基于CSMC 0.18μm工艺设计了该带隙基准电压源芯片,并将其应用于一种超低功耗的模数转换器(ADC)中。在完成ADC的流片后对带隙基准电压源单独进行参数测试,结果显示在1.8 V电源电压下,输出电压为559 mV,在-40～130℃内,温度系数为6.47×10~(-6)/℃,电源抑制比为-54.26 dB,总工作电流仅为0.48μA,芯片面积为0.003 7 mm~2。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年12期）
奚冬杰,徐晴昊,罗永波,宣志斌[3]（2019）在《一种无电阻高精度基准电压源》一文中研究指出基于TSMC 0.18μm BCD工艺,设计了一种无电阻高精度基准电压源。利用具有高阶温度系数的电流消除V_(BE)温度系数中的非线性项,对输出基准电压实现高阶补偿。与传统无电阻基准电压源中MOS管工作于亚阈值区不同,电路中的MOS管均工作于强反型区,具有更高的仿真模型精度。仿真结果表明,当温度在-55℃～125℃范围变化时,该基准电压源的温度系数为8.5×10~(-7)/℃。在无滤波电容的情况下,电源抑制比可达-80 dB。当电源电压在2.5～5 V范围变化时,线性调整率小于0.3 mV/V。(本文来源于《微电子学》期刊2019年05期）
都文和,刘睿,程秀娟,杨占宇[4]（2019）在《一种新型温度补偿方式的带隙基准电压源》一文中研究指出设计产生正、负温度系数电压的电路,在传统基准电压源电路的基础上引入新型具有负温度系数电压的补偿电路,使基准的温度系数大大降低。设计基于中芯国际SMIC 0.18μm工艺,仿真结果表明:在工作电压5 V及环境温度27℃下,输出电压为1.3 V;在0～145℃温度变化范围内,温度系数为4.46×10-6/℃。采用二级运放结构,在低频时电源电压抑制比(PSRR)为-73.66 d B;完成了版图设计,版图尺寸为81.44μm×129.47μm。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年10期）
王娜,吴唐政,谢亮,金湘亮[5]（2019）在《一种带曲率补偿的电流模式基准电压源》一文中研究指出设计了一种带曲率补偿的电流模式基准电压源。采用CTAT电流补偿技术和高低温分段补偿技术,降低了基准电压的温度系数。采用斩波稳定技术和2阶低通滤波器,减小了失调电压和斩波引起的纹波。后仿真结果表明,在5 V电源电压、-40℃～150℃温度范围的条件下,基准电压源的温度系数为8.39×10~(-7)/℃。Monte Carlo仿真结果表明,使用斩波稳定技术后,该基准电压源的3σ误差由原来的±0.904%降为±0.011%。(本文来源于《微电子学》期刊2019年03期）
田兴果[6]（2019）在《高精度带隙基准电压源的研究与设计》一文中研究指出近些年来,随着电子产品的不断升级换代,对芯片的性能要求也不断提高。带隙基准电压源负责为系统提供高精度基准电压,其性能直接影响到整个系统的性能,因此带隙基准电压源的设计技术是模拟集成电路中关键技术,也一直是研究热点。论文给出了一种基于华虹HHNEC GE0.35um工艺的高精度、低温度系数、宽温度范围的带隙基准电压源的完整设计方案,这种带隙基准源要求在-40℃至125℃温度范围内具有2ppm/℃的低温度系数,-100μA至15mA的输出电流能力,0.1μF-100μF自由负载电容能力,低于60μA的静态电流,以及达到±0.04%的初始精度。当前国内外对带隙基准源已经有了大量的研究和设计,主要设计难点有:现有的工艺普遍存在较大的工艺误差,会直接影响带隙基准源的性能,所以必须使用修调技术;为了实现较低的温度系数,必须对带隙进行高阶温度补偿,而已有高阶温度补偿方法普遍对工艺误差敏感。论文给出了一种特殊的温度补偿方案,并设计了一种熔丝修调电路来实现这种补偿方式,有效降低了带隙基准源的温度系数;通过合理选择放大器和驱动器以及频率补偿方法,解决了自由负载电容下的稳定性问题;针对低功耗问题给出了利用上电复位信号读取熔丝状态的方法,设计了相关电路,降低了修调电路部分的功耗;为降低修调工作的附加成本,研究了流片后在单一温度点下确定修调参数的方法,并给出了一种有效的解决方案。整体系统在Hspice软件下仿真,给出了全面的仿真结果,仿真结果表明,在全工艺角条件下和-40℃至125℃温度范围内,在理想修调条件下实现了带隙基准电压源温度系数小于2ppm/℃的要求,可以保证吸收100μA的电流和输出15mA电流能力,在0.1μF-100μF之间任意负载电容下系统均可以保持稳定,PSRR在不同电源电压下均大于-100dB,系统整体静态电流在65μA以下。(本文来源于《沈阳工业大学》期刊2019-06-03）
冷贺彬[7]（2019）在《低温度系数CMOS集成带隙基准电压源研究与设计》一文中研究指出带隙基准电压源作为电路中一个基本模块,被广泛应用于数字和模拟电路中。传统典型的带隙基准电压源输出温度系数较差,一般高于100ppm/℃。而高精度A/D或D/A转换电路、高精度便携设备、片上系统(SOC)等对带隙基准电压源的要求日益增高。因此,传统典型的带隙基准电压源愈发不能满足人们的需求,研究与开发一种低温度系数CMOS集成带隙基准电压源就显得尤为紧迫。依据带隙基准源的设计理论及非理想特性,提出了一种采用二阶曲率与NMOS分段线性补偿相结合的新型温度补偿设计方案,达到有效降低低温度系数CMOS集成带隙基准电压源温度系数的目的。此外,还通过在电源与运算放大器之间引入负反馈的方法来实现带隙基准电压源的高电源电压抑制比。在中芯国际0.18μm CMOS集成电路工艺下完成低温度系数CMOS集成带隙基准电压源的电路设计,采用CADENCE SPECTRE仿真工具完成对CMOS电路仿真验证,最后再在CMOS电路的基础上完成低温度系数CMOS带隙基准电压源版图的设计和验证。本课题的工作内容重点有以下几个部分:1)带隙基准电压源理论基础、常用温度补偿方法及原理;2)带隙基准电压源的非理想特性;3)完成一阶CMOS集成带隙基准电压源基准电路设计,以及完成二阶曲率与NMOS分段线性相结合的温度补偿电路设计;4)通过CADENCE SPECTRE仿真工具完成对CMOS集成带隙基准电压源电路仿真以及版图的设计验证。由CADENCE SPECTRE仿真结果可知:在5V电源电压下,在-50-125℃范围内CMOS电路输出的温度系数为8.8ppm/℃;在27℃时电源电压抑制比为-80dB;电源电压在2.8V-5V的范围内,CMOS电路的输出电压调整率为2.3mV/V。综上所述,本文所研究并设计的带隙基准电压源具有良好的性能,能够满足高精度便携设备、片上系统(SOC)等电路的要求。(本文来源于《中北大学》期刊2019-05-30）
樊旭尧[8]（2019）在《低温漂高电源抑制比带隙基准电压源的设计》一文中研究指出带隙基准源是模拟电路中重要的基础模块,在线性稳压器、开关电源、高精度比较器等电路中得以广泛应用。由于现如今光刻等制造工艺的不断进步,集成电路的尺寸也随之在不断降低。随着集成电路在飞速发展,对于电路的性能也提出了更高的要求。传统基准源的温度漂移高、电源抑制比低,在许多对精度有要求的电路已不再适用。因此对于低温漂、高电源抑制比基准源的研究有重要意义。本论文在对国内外带隙基准源工作原理研究的基础上,设计了一款低温漂、高电源抑制比带隙基准源。论文首先对基准源的发展历史及国内外研究进展进行分析介绍;然后对几种不同基准源结构及原理进行分析比较,并对基准源的性能指标进行介绍;最后,对本文所需带隙基准源进行设计。为了降低基准源的温漂系数,采用二阶曲率补偿技术,利用工作在亚阈值区的MOS管的特性,抵消了叁极管基射极电压V_(BE)中的二阶项;为了提高基准源的电源抑制比,在基准源中添加了预调节电压负反馈电路,实现对电源电压波动的抑制。基于0.5μm的工艺库进行仿真,对所设计的运算放大器、基准源电路进行仿真与分析。仿真结果显示,运放开环增益是103.7dB,相位裕度65.7°,单位增益带宽21.5MHz,运放的电源抑制比是109.5dB,共模抑制比是68.1dB,运放性能优异,可满足基准源需求;基准源电路在-50~150℃的温度区间内,温漂系数是6.844ppm/℃,在不同工艺角下差异不大,电源抑制比在低频下为96.44dB,在1MHz时仍高达67.5dB,在不同频率下对电源电压波动均有良好抑制作用,电路的启动时间为20.94μs,版图的有效面积为55*290μm~2。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2019-03-01）
侯德权,周莉,陈敏,肖璟博,张成彬[9]（2019）在《一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源》一文中研究指出设计了一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源。利用亚阈值MOS管差分对,产生曲率补偿电流,对输出基准电压进行曲率补偿。采用低功耗运放来增强基准电压源的电源抑制能力,同时降低基准电压源的功耗。采用SMIC 0.18μm混合信号CMOS工艺进行设计。仿真结果表明,在1.5V电源电压下,基准电压源的输出基准电压为1.224V,在-40℃～125℃范围内的温度系数为1.440×10~(-6)/℃～4.076×10~(-6)/℃,电源抑制比为-77.58dB,消耗电流为225.54nA。(本文来源于《微电子学》期刊2019年01期）
连天培,蒋品群,宋树祥,蔡超波,庞中秋[10]（2019）在《低温度系数高电源抑制比宽频带带隙基准电压源的设计》一文中研究指出本文设计了一款低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源。设计采用动态阈值MOS管(DTMOS)产生温度补偿电流,以降低温漂;输出部分采用一个简单的低通滤波器,以降低高频噪声,在较宽频带内提高电源抑制比。电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,供电电源为1.8V,仿真结果表明:电路在-40～130℃温度范围内,温度系数为1.54×10-6℃-1,输出基准电压为1.154V,电源抑制比在10Hz处为-76dB,在100kHz处为-85dB,在15 MHz处为-63dB。本基准源具有较好的综合性能,可为数模转换电路、模数转换电路、电源管理芯片等提供高精度的基准电压,具有较大的应用价值。(本文来源于《广西师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年01期）
基准电压源论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
设计了一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源电路。该基准源电路主要由启动电路、运算放大器、正温度系数(PTAT)电路、负温度系数(CTAT)电路和曲率补偿电路组成。电路中采用MOSFET替代传统双极结型晶体管作为CTAT来源,并在一阶带隙基础上结合高阶曲率补偿技术,以降低温度系数、提高线性度。基于CSMC 0.18μm工艺设计了该带隙基准电压源芯片,并将其应用于一种超低功耗的模数转换器(ADC)中。在完成ADC的流片后对带隙基准电压源单独进行参数测试,结果显示在1.8 V电源电压下,输出电压为559 mV,在-40～130℃内,温度系数为6.47×10~(-6)/℃,电源抑制比为-54.26 dB,总工作电流仅为0.48μA,芯片面积为0.003 7 mm~2。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
基准电压源论文参考文献
[1].陈昊,张彩珍,王梓淇,王永功.一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源[J].半导体技术.2019
[2].张海磊,居水荣,王津飞,刘锡锋.一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源[J].半导体技术.2019
[3].奚冬杰,徐晴昊,罗永波,宣志斌.一种无电阻高精度基准电压源[J].微电子学.2019
[4].都文和,刘睿,程秀娟,杨占宇.一种新型温度补偿方式的带隙基准电压源[J].电子与封装.2019
[5].王娜,吴唐政,谢亮,金湘亮.一种带曲率补偿的电流模式基准电压源[J].微电子学.2019
[6].田兴果.高精度带隙基准电压源的研究与设计[D].沈阳工业大学.2019
[7].冷贺彬.低温度系数CMOS集成带隙基准电压源研究与设计[D].中北大学.2019
[8].樊旭尧.低温漂高电源抑制比带隙基准电压源的设计[D].哈尔滨理工大学.2019
[9].侯德权,周莉,陈敏,肖璟博,张成彬.一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源[J].微电子学.2019
[10].连天培,蒋品群,宋树祥,蔡超波,庞中秋.低温度系数高电源抑制比宽频带带隙基准电压源的设计[J].广西师范大学学报(自然科学版).2019