MaCE法下硅纳米结构影响因素综述

MaCE法下硅纳米结构影响因素综述

论文摘要

近年来,国内外学者对硅纳米线的制备方面进行了一系列的研究,得出了很多建设性的成果。本文对现行最流行的金属辅助化学刻蚀法(Metal-assisted chemical etching-MaCE)进行了研究。主要研究了金属催化剂(类型、形状、距离)和单晶硅特性(硅衬底方向、掺杂水平)对单晶硅纳米结构的形貌及刻蚀速率的影响进行了综述。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 金属催化剂对制备的影响
  •   1.1 金属类型对制备的影响
  •   1.2 金属形状和金属之间的距离对制备的影响
  • 2 单晶硅特征对制备的影响
  •   2.1 硅衬底方向对制备的影响
  •   2.2 硅衬底掺杂类型对制备的影响
  • 3 总结
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 王志权

    关键词: 金属辅助化学刻蚀法,金属催化剂,单晶硅特性,形貌结构,刻蚀速率

    来源: 山东工业技术 2019年01期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑,信息科技

    专业: 材料科学,无线电电子学

    单位: 杭州电子科技大学机械工程学院

    分类号: TB383.1;TN305.7

    DOI: 10.16640/j.cnki.37-1222/t.2019.01.069

    页码: 71

    总页数: 1

    文件大小: 1831K

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