导读:本文包含了库仑阻塞效应论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电荷,电路,阈值,效应,电感,电压,元件。
库仑阻塞效应论文文献综述
张玉强[1]（2015）在《介观耦合电路库仑阻塞效应研究综述》一文中研究指出介绍了介观系统中库仑阻塞现象的基本特征和研究现状,分析了介观单元件和两元件耦合的电路中库仑阻塞效应的影响因素,最后展望了其应用及发展潜能,以期对全面了解介观耦合电路库仑阻塞效应提供参考。(本文来源于《重庆理工大学学报(自然科学)》期刊2015年08期）
张玉强[2]（2015）在《双网孔介观电感耦合电路中的库仑阻塞效应》一文中研究指出基于在介观电感耦合电路中电荷处于不连续分布这一事实,利用经典拉格朗日正则变换及有限微分薛定谔方程对电路中的库仑阻塞效应进行了研究.结果表明,影响电路中库仑阻塞效应大小的因素除了与各个回路中的元件参数有关外,还与耦合元件的参数有关.(本文来源于《西北师范大学学报(自然科学版)》期刊2015年04期）
王苗[3]（2015）在《库仑阻塞效应对量子器件电子输运的影响》一文中研究指出随着分子电子学理论的日趋成熟和微电子科学技术的高速发展,微型化电子器件的创作和制备已然成为当今科技时代的研究热点。比较常见和基本的单分子器件有单电子晶体管、分子开关和分子整流器等等。而分子器件中库仑阻塞效应的作用尤为重要,本文就库仑阻塞效应在量子器件电子输运特性中的影响作了一定的辅助研究。全文共分为五章,分别如下：第一章：简单介绍了分子器件和库仑阻塞效应的研究背景以及国内外的一些相关研究进展,还介绍了文章主要研究内容、研究方法和研究意义；第二章：系统的描述了文章中用到的基本知识和理论,如单分子器件的原理和构造,库仑阻塞效应、单电子隧穿和近藤效应的的原理和相关内容；第叁章：介绍了人们在研究电子输运性质时常用的几种方法：自洽场方法、主方程方法和基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法。其中自洽场方法并不能处理库仑阻塞效应,主方程方法能够处理库仑阻塞却局限在弱耦合的条件之下,基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法计算出来的结果仍然存在争议。本章节还详细介绍了采用的模型和基于运动方程的格林函数方法；第四章：在给定系统模型参数情况下,分别研究了库仑势、温度和耦合强度对库仑阻塞效应的影响。我们发现当量子体系处于弱耦合区域时,库仑阻塞效应会随着温度的升高而逐渐减弱直至消失。当体系处于低温状态时,随着耦合强度的增加,库仑阻塞效应也会随之而变弱直至消失,这与之前的研究者们得出的结论表现一致；第五章：在第四章的基础上研究了库仑阻塞效应恰好消失的情况,并完成了从库仑阻塞区域到非库仑阻塞区域过渡的研究,还比较了用自洽场方法和本文采用的基于运动方程的格林函数方法计算出来的电流特性,发现当某些参数处于非库仑阻塞区域时,库仑阻塞效应是不存在的,基于运动方程的非平衡格林函数方法和自洽场方法都是可用的,当参数处于库仑阻塞区域时,只有基于运动方程的格林函数的函数方法才能较好的处理库仑阻塞问题。最后对本文的工作进行了总结,并对以后的工作提出了一些展望。(本文来源于《湖南大学》期刊2015-05-20）
邹丹[4]（2013）在《介观耗散电感耦合电路的库仑阻塞效应》一文中研究指出本文研究了电荷不连续情况下电路的库仑阻塞。基于介观电路中电荷应是量子化这一事实,给出介观耗散电感耦合电路的库仑阻塞条件与阈值电压,并讨论了阈值电压与电路中元件的关系,得出阈值电压值与电路各回路中的电容、电感、电阻以及耦合电感都有关。并且电阻越大,阈值电压越小。说明电路中耗散越大,越容易观察到库仑阻塞现象。(本文来源于《技术物理教学》期刊2013年01期）
张玉强,蔡绍洪[5]（2011）在《介观电容和电感耦合电路中的库仑阻塞效应》一文中研究指出考虑到电荷在介观电容和电感耦合电路中不连续这一事实,借助经典拉格朗日正则变换及有限微分薛定谔方程对电路中的库仑阻塞效应进行研究。结果显示,影响电路中库仑阻塞的因素不仅有各个回路中的元件参数,还有相互耦合的元件的参数,从而进一步认识介观尺寸下的量子效应的特征和规律,为微电子器件和集成电路的优化设计提供理论指导。(本文来源于《科技导报》期刊2011年20期）
徐明奇[6]（2007）在《SET库仑阻塞效应蒙特卡罗模拟》一文中研究指出按照摩尔定律的发展,我们目前的先进技术特征尺寸是0.25微米,和0.18纳米乃至正渐渐投入生产的0.13微米技术.据ITRS(国际半导体技术发展路线图)预测,50纳米生产技术将成熟于2009年前后,而20纳米技术则出现于2017年左右。当集成电路技术的发展进入到亚50纳米之后,常规的硅技术将被推进到其极限而变得不再适用。集成电路技术的各个方面诸如器件结构、加工技术以及材料选用等都将会发生重大的变化。一些全新的量子和纳米电子器件诸如隧穿器件、单电子器件,碳纳米管器件等纳米尺寸的新器件逐步成为人们研究的热点。随着固态器件朝着小尺度、低维方向发展,它迈入了一个崭新的,由量子原理主宰的微观世界,成为一种量子结构。因此,固态器件技术演化成一种由人工构造的具有量子效应的结构技术。这既为电子、光电子信息技术提供了新的发展机遇,同时又提出了新的挑战。单电子晶体管(Single-Electron Transistors,简写为SET)作为集成电路的基本单元,晶体管的进步,将能引起电子技术的新一轮革命。由于其根本原理上的差别,较传统晶体管而言,单电子晶体管可更大规模的集成,其体积可以缩小到原来的1%,所需电力也能够减少到原来的10-6,甚至更低。它极低的功耗可解决集成化不稳定因素问题。其高度集成化程度可远远超越目前大规模集成化的极限,并能达到海森伯不确定原理的极限而成为将来不可被取代的新型器件。本文是利用蒙特卡罗方法模拟单电子晶体管(SET)在一定的几何和物理条件下如何工作,从而得到器件的I-V关系及其他参数,并对其结果进行了解释,以理解其中的物理现象,电学特性,提取和优化器件参数,研究器件特性与参数的依赖关系。(本文来源于《东北师范大学》期刊2007-05-01）
刘慧娟[7]（2006）在《高自旋极化氧化物颗粒体系的磁场相关库仑阻塞效应》一文中研究指出近年来，磁电阻效应因其重要的理论价值和广泛的商业应用前景而成为凝聚态物理和材料科学的研究热点。其中高自旋极化氧化物因其具有接近100％的自旋极化率而备受关注，因为由这类材料构成的异质结构中表现出极大的磁电阻效应，而半金属颗粒复合体系就是这类异质结构的典型代表。实验发现，该类材料的磁输运性质受到材料构性、颗粒分布等因素的明显影响，而表现出不同的磁电阻温度效应。探究高自旋极化氧化物体系磁电阻效应不仅具有理论上的学术价值，同时也能为实际应用指明方向。本文中我们在网络框架下运用有效介质理论(EMA)的方法，对高自旋极化氧化物的磁电阻行为进行系统研究，探讨影响磁电阻效应的主要因素。主要工作如下：文中我们主要着眼于磁电阻温度效应的研究，首先探讨了描述半金属颗粒体系磁输运性质的理论模型，将目前人们所知的两种隧穿机制(Inoue-Maekawa模型和Helman-Abeles模型)作了深入研究和比较。并基于Inoue-Maekawa模型，将隧穿型输运的颗粒体系用键无序电导网络来模拟，再运用有效介质理论(EMA)研究了自旋极化隧穿导致的磁电阻效应。另一方面我们超越Helman-Abeles模型中对库仑能隙的磁性相关项采用一级近似的计算方法，发现了低温下磁电阻的翻转效应，对磁电阻经历从负到正的现象进行了理论根源的探索，指出关键的因素是对磁性能考虑了更高阶的近似，自旋相关库仑能隙的存在将导致一个低温下趋于发散的正磁电阻背景。我们的结论是：库仑能隙很有可能成为有别于自旋极化率的磁电阻新来源，这为我们从实验上提高体系的磁电阻效应提供了新的途径。最后我们针对两种机制各自的缺陷提出了基于该两模型基础上的综合模型，即同时考虑自旋极化隧穿和磁性能的作用。详细讨论了该综合模型的磁电阻温度效应，再次运用网络模型中的有效介质理论对综合模型表现出的磁电阻效应进行系统研究，针对正磁电阻在低温、高能隙和低自旋极化率情况下更为显着的现象，指出了体系的磁电阻是在自旋相关库仑能隙所导致的正磁电阻背景上，自旋极化率与之竞争后的综合影响。(本文来源于《苏州大学》期刊2006-10-01）
阮文,肖开选[8]（2005）在《介观耗散互感耦合电路的库仑阻塞效应》一文中研究指出给出了介观耗散互感耦合电路的量子化方法,并在介观电路中电荷量子化的基础上给出了介观耗散互感耦合电路的库仑阻塞条件.(本文来源于《井冈山师范学院学报》期刊2005年03期）
阮文[9]（2004）在《有源介观耗散电路的库仑阻塞效应》一文中研究指出基于介观电路的电荷是量子化的这一事实熏应用正则量子化方案给出介观RLC电路的量子化方法和库仑阻塞条件.研究结果表明押存在耗散元件的介观电路的库仑阻塞效应不仅与电路的非耗散有关熏而且与耗散电阻有关.随耗散电阻的增大熏库仑阻塞现象更加明显.(本文来源于《井冈山师范学院学报》期刊2004年05期）
阮文,刘清,雷敏生[10]（2004）在《介观互感耦合电路的量子化和库仑阻塞效应》一文中研究指出根据介观电路中电荷是量子化的事实 ,从无耗散互感电路的经典运动方程出发 ,利用经典拉格朗日正则变换以及正则线性变换 ,给出了介观无耗散互感耦合电路的量子化理论及库仑阻塞条件 ,并对结果进行了讨论 .(本文来源于《江西师范大学学报(自然科学版)》期刊2004年04期）
库仑阻塞效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于在介观电感耦合电路中电荷处于不连续分布这一事实,利用经典拉格朗日正则变换及有限微分薛定谔方程对电路中的库仑阻塞效应进行了研究.结果表明,影响电路中库仑阻塞效应大小的因素除了与各个回路中的元件参数有关外,还与耦合元件的参数有关.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
库仑阻塞效应论文参考文献
[1].张玉强.介观耦合电路库仑阻塞效应研究综述[J].重庆理工大学学报(自然科学).2015
[2].张玉强.双网孔介观电感耦合电路中的库仑阻塞效应[J].西北师范大学学报(自然科学版).2015
[3].王苗.库仑阻塞效应对量子器件电子输运的影响[D].湖南大学.2015
[4].邹丹.介观耗散电感耦合电路的库仑阻塞效应[J].技术物理教学.2013
[5].张玉强,蔡绍洪.介观电容和电感耦合电路中的库仑阻塞效应[J].科技导报.2011
[6].徐明奇.SET库仑阻塞效应蒙特卡罗模拟[D].东北师范大学.2007
[7].刘慧娟.高自旋极化氧化物颗粒体系的磁场相关库仑阻塞效应[D].苏州大学.2006
[8].阮文,肖开选.介观耗散互感耦合电路的库仑阻塞效应[J].井冈山师范学院学报.2005
[9].阮文.有源介观耗散电路的库仑阻塞效应[J].井冈山师范学院学报.2004
[10].阮文,刘清,雷敏生.介观互感耦合电路的量子化和库仑阻塞效应[J].江西师范大学学报(自然科学版).2004
论文知识图
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