VGF法SI-GaAs单晶生长工艺与固液界面形状的研究

论文摘要

阐述了VGF法SI-GaAs单晶生长工艺中非平坦形固液界面形成的原因,分析了由此导致的单晶尾部径向电阻率不均匀性分布及单晶可利用率低的原因。在等径生长阶段引入VB走车工艺,并通过实验验证了VB走车工艺的应用效果,有效改善了固液界面形状和单晶尾部电阻率不均匀性,提升了SI-GaAs单晶的可利用长度。

论文目录

• 0 引言
• 1 固液界面形状对C浓度分布的影响
•   1.1 半绝缘GaAs单晶电阻率与C浓度的关系
•   1.2 固液界面形状对C浓度分布的影响
• 2 VGF法SI-GaAs单晶生长工艺的改进
•   2.1 VGF生长工艺改进实验
•   2.2 VGF工艺改进实验结果
•     2.2.1 成品率的提升
•     2.2.2 单晶长度的增加
•     2.2.3 晶片不均匀性测试
• 3 讨论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 边义午

关键词: 垂直梯度凝固法,固液界面,电阻率

来源: 天津科技 2019年02期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学

单位: 中国电子科技集团公司第四十六研究所

分类号: O78

DOI: 10.14099/j.cnki.tjkj.2019.02.007

页码: 21-23

总页数: 3

文件大小: 384K

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