导读:本文包含了化学浴沉积论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:化学,薄膜,长径,甲基丙烯酸,纳米,特性,结构。
化学浴沉积论文文献综述
杨文婷[1]（2019）在《在氧化铟锡导电玻璃上化学浴沉积ZnO纳米线》一文中研究指出以Zn(NO_3)_2·6H_2O、六亚甲基四胺和聚乙烯亚胺(PEI)为原料,采用化学浴沉积法在沉积了ZnO种子层的氧化铟锡导电玻璃衬底上制备ZnO纳米线,研究了种子层沉积温度(150,200℃)以及PEI浓度(0～9.0mmol·L~(-1))、生长时间(3～12h)和水浴温度(65～95℃)对ZnO纳米线形貌和尺寸的影响。结果表明:在试验参数下均能成功制备得到ZnO纳米线;当种子层沉积温度为200℃,生长时间为9h,水浴温度为95℃,PEI浓度为4.5mmol·L~(-1)时,ZnO纳米线呈规则六棱柱状生长,并垂直排列于衬底上,且长径比最大,达20.56。(本文来源于《机械工程材料》期刊2019年03期）
孙赟[2]（2019）在《化学浴沉积法制备硫化铜薄膜的研究》一文中研究指出硫化铜是一种非常重要的p型半导体材料,具有出色的电磁学、光学特性,广泛应用于太阳能电池、光电转换开关、气敏传感器和光催化等领域。本文探索采用一种低温、环境友好的合成路线—化学浴沉积法(CBD)制备硫化铜薄膜。详细研究了化学浴沉积工艺参数,如溶液配比、pH、浓度、沉积温度和时间等对薄膜结构、厚度、形貌和光学性能的影响规律。研究发现沉积温度在65℃-70℃范围内,沉积2.5 h-3.0 h,pH在8.5-8.8之间可成功获得均匀致密的CuS薄膜;所制得的薄膜由垂直竖立于衬底表面的六方片状纳米片组成,薄膜表面光亮,可见光透过率达35%以上。通过控制反应参数,可制得厚度从40 nm至280 nm变化的CuS薄膜。研究结果表明溶液pH、配比和浓度均可通过调节溶液中游离态离子浓度从而调控异质成核和薄膜生长速率。pH从7.0升高至9.0,所得薄膜厚度从66 nm增加至150 nm,而透过率由78%降至50%;进一步调高pH,所得薄膜厚度反而降低,相应透过率增加。随着Cu~(2+)与C_6H_5O_7~(3-)比例的降低,所得薄膜从160 nm逐渐增加到280 nm,透过率从43%降至10%以下;随着Cu~(2+)与S~(2-)比例的升高,薄膜厚度从150 nm增至280 nm,而透过率从20%降至3%;当Cu~(2+):C_6H_5O_7~(3-):S~(2-)=1:3/2:2时,随着溶液浓度增加,薄膜厚度逐渐增加至150 nm,透过率从50%降至38%。随着沉积温度升高,薄膜厚度从50 nm增至150 nm,并且在50℃-65℃范围厚度增长缓慢,65℃-80℃范围厚度随温度急剧增加,而透过率从54%降至35%,说明升高温度可加快沉积速率;而温度超过80℃后,膜厚反而降低,透过率增加,说明进一步升高温度导致均匀成核消耗大量原料,不利于薄膜的沉积生长。延长沉积时间,膜厚迅速增加,最后趋于平缓,膜厚达到最大值200 nm,相应透过率逐渐降低,由60%(沉积30 min薄膜)下降至38%(沉积5 h薄膜),符合化学浴沉积法制备薄膜的自催化动力学行为。这种低温低耗、环境友好的化学合成路线可以进一步扩大到其他半导体薄膜的制备研究。(本文来源于《安徽建筑大学》期刊2019-03-01）
杨文婷,莫观孔,黄瀛,何欢,符跃春[3]（2018）在《化学浴沉积法制备ZnO纳米线的形貌分析》一文中研究指出为了制备垂直排列长径比高的ZnO纳米线,首先采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同温度的掺锡氧化铟(ITO)透明导电玻璃衬底上制备一层ZnO种子层,然后用化学浴沉积法(CBD)在已制备了种子层的衬底上生长ZnO纳米线,同时系统地研究了不同生长条件对ZnO纳米线生长行为的影响,并使用扫描电子显微镜和原子力显微镜对其形貌、生长特征等进行了测试和表征。结果表明,在衬底温度为200℃的ITO衬底上沉积的ZnO种子层具有良好的结晶性。当生长时间为9 h,水浴温度为95℃,聚乙烯亚胺(PEI)浓度为4. 5 mmol/L时,通过CBD法生长的ZnO纳米线呈六角形状垂直排列于具有种子层的ITO基片上,长径比高达20. 56。(本文来源于《广西大学学报(自然科学版)》期刊2018年06期）
刘洁青,姚朝晖,徐锐,刘剑虹,赵兴玲[4]（2017）在《化学浴沉积ZnSe薄膜材料的结构和光学特性》一文中研究指出采用化学浴沉积(CBD)制备不同膜厚的Zn Se薄膜,用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析薄膜结构,结果显示薄膜为纳米晶立方相闪锌矿结构,平均晶粒尺寸约为200 nm,结构致密,(111)晶面择优取向。使用分光光度计测得薄膜透射谱与反射谱,计算和分析材料在可见光区域的吸收系数、消光系数、折射率、光学能隙。结果表明,薄膜透过率、反射率均随膜厚的增加而降低,薄膜在本征吸收区域吸收系数很大,且随波长的减小而增大。膜厚为150、400、630 nm材料对应的光学能隙值分别为3.16、3.14、3.07 e V。(本文来源于《太阳能学报》期刊2017年11期）
唐鑫垚[5]（2016）在《化学浴沉积ZnO:Al薄膜及其在CZTS电池中的应用》一文中研究指出随着计算机、触摸屏、太阳能电池、液晶显示等领域的不断发展,一种新的半导体材料—透明导电薄膜应运而生。在太阳能电池中,作为电极的透明导电膜对提高电池的光电转换效率具有极大的意义。与氧化铟锡薄膜相比,铝掺杂氧化锌薄膜具有原料无毒、来源广泛、在氢等离子体中更加稳定等优势,运用溶液法来制备薄膜,成本低廉、操作简单且环境友好,极具研究价值。基于上面介绍的背景,本文采用化学浴沉积的方法制备铝掺杂氧化锌透明导电薄膜。通过在衬底上制备一层种子层,然后在一定的温度下水浴处理的方式来获得结构致密的氧化锌薄膜。研究发现,种子层的制备、水溶液的沉积工艺参数对氧化锌薄膜的最终形貌有重要的影响,种子层热处理温度、溶液浓度和旋涂次数会影响种子层的厚度、均匀性和黏附性。沉积温度会影响氧化锌纳米棒的生长速度、结晶取向和晶粒尺寸,水溶液中氧化锌的浓度对纳米棒的结构、密度和生长速度影响明显。柠檬酸铵可以促进氧化锌纳米棒的横向生长,向溶液中添加适量浓度的柠檬酸铵可以得到结晶取向高度一致、结构致密、晶粒尺寸均匀的氧化锌薄膜,直接影响薄膜的电阻率。采用溶胶-凝胶法制备种子层在溶液浓度为0.5 mmol/L、热处理温度为250℃、旋涂两次的条件下,获得的种子层最为均匀平整。当沉积温度为80℃、氧化锌浓度为38 mmol/L、柠檬酸铵浓度为2 mmol/L时,薄膜的结晶形貌最好,电阻率最低。本文分别采用铝片和九水硝酸铝溶液来对氧化锌薄膜进行掺杂,发现在采用铝片作为铝源的情况下,溶液中铝片的面积、溶液的p H值和薄膜的生长时间对薄膜的电学性能具有重要的影响。而在采用九水硝酸铝溶液进行掺杂的过程中,溶液的浓度和生长时间则是最重要的影响因素。采用紫外照射的方式可以使薄膜的电阻率大幅度降低,经过紫外处理的铝掺杂氧化锌薄膜的电阻率最低可以达到10-2数量级。最后将该薄膜沉积在CZTS薄膜太阳能电池的表面,并对太阳能电池的光电转化效率、外量子效率进行测量。电池的光电转化效率(η)可以达到5.47%,电池的开路电压(Voc)为625 m V,短路电流(Jsc)等于16.43 m A/cm2,填充因子(FF)为53.4%。说明采用化学浴沉积法,通过铝片进行掺杂的方式可以制备出满足CZTS太阳能电池使用要求的AZO薄膜。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2016-12-01）
刘洁青[6]（2016）在《化学浴沉积ZnSe薄膜性能的研究》一文中研究指出ZnSe是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,近来年作为薄膜太阳电池缓冲层在碲化镉基、铜铟镓硒基、铜锌锡硫基薄膜太阳电池器件结构中广泛应用。CBD是缓冲层材料的主要制备方法。本文用CBD技术在玻璃衬底上制备了ZnSe薄膜材料,并对CBD湿化学过程原理进行了深入的理论分析,用XRD,SEM,XPS等技术对薄膜材料的结构和光学等性质以及薄膜材料在空气和氮气气氛下退火行为等进行了分析和研究。基于分析化学相关理论,对目前国内外普遍采用的硫酸锌、氨水、联氨、硒脲的沉积体系的化学平衡进行了广泛而深入地研究。发现当平衡氨浓度超过1mol/L时,游离的锌浓度小于初始锌浓度的3.467×10-10倍,给出了氨-联氨混合体系pH值的计算公式并从理论上清楚地解释了Zn(OH)2沉淀的生成条件,给出了影响反应速率的化学原理等。这些理论对分析材料的实际制备、材料生长动力学、材料生长与材料微结构的关系等均有非常重要的意义,研究成果同样适用于ZnS、CdS等相关缓冲层材料的生长。用SEM和XRD对薄膜结构进行分析,显示为纳米晶立方相闪锌矿结构,平均晶粒尺寸在200 nm左右,结构致密,(111)择优取向。使用分光光度计测得薄膜的透射谱与反射谱,并在可见光区域里对材料的吸收系数、消光系数、折射率、光学能隙进行计算和深入分析。结果表明,薄膜透过率、反射率均随膜厚的增加而降低,薄膜在本征吸收区域里吸收系数很大,且随着波长的减少而增大。膜厚为150、400、630 nm材料对应的光学能隙值分别为3.16、3.14和2.90 eV。研究薄膜在空气气氛下退火行为时发现,当退火温度T≤573 K时,较高的退火温度可以增加晶粒尺寸,当T≥673 K时,ZnSe逐渐转变为ZnO,由前者的闪锌矿结构转变为后者的六角纤锌矿结构。相同退火温度下Zn、Se相对浓度随着温度的升高而下降,Se更明显,在773 K下退火后消失,氧原子含量则明显增加。物相和组份变化的机理是ZnSe薄膜加热分解为Zn和Se,并分别与气氛中的O2发生成ZnO和SeO2,前者部分可重新在薄膜上沉积,对所有的实验结果均能给出很好解释。(本文来源于《云南师范大学》期刊2016-05-31）
王艳香,赵星宇,范学运,杨志胜,黄丽群[7]（2016）在《化学浴沉积法制备多级结构ZnO微球及其电池性能》一文中研究指出以叁乙醇胺(TEA)和二水乙酸锌(Zn(CH_3COO)_2·2H_2O)为原料,采用化学浴沉积法制备多级结构Zn O微球,并将获得的多级结构Zn O微球粉应用于染料敏化太阳能电池(DSSCs)光阳极。主要研究了TEA量和反应时间对产物形貌和电池性能的影响。采用SEM和XRD分析对多级结构Zn O微球进行形貌和物相表征,采用I-V测试仪和电化学工作站对电池性能进行了分析。结果表明:反应温度80℃,反应时间2 h,TEA/水为0.15时所制备的多级结构Zn O微球粉组装成电池性能最佳,其光电转化率为3.18%,开路电压为0.64 V,短路电流为9.36 m A·cm-2,填充因子0.53。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2016年03期）
张克宏,肖慧,赵荣荣,陆磊,万昭佳[8]（2015）在《化学浴沉积制备防污自洁型PVDF/PMMA共混膜研究》一文中研究指出使用NaOH溶液亲水改性聚偏氟乙烯(PVDF)/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)共混膜,在共混膜表面化学浴沉积烷基氯硅烷,构筑微纳米结构,制备出具有超疏水能力的PVDF/PMMA共混膜,对共混膜的微观结构和性能进行了表征。结果表明,亲水改性提升了PVDF/PMMA共混膜表面烷基氯硅烷的化学浴沉积效果;亲水改性的最佳工艺条件为:NaOH的浓度为40%、反应时间为60 min、反应温度为70℃;化学沉积后的.PVDF/13MMA共混膜接触角高达154.6°;集灰实验表明,倾斜角度约为1°时水滴能将膜表面的灰尘带走,膜的防污自洁性能优良。(本文来源于《中国塑料》期刊2015年11期）
夏冬林,徐俊,黄波[9]（2015）在《化学浴沉积法制备Sb掺杂SnS薄膜》一文中研究指出以氯化亚锡、硫代乙酰胺、叁氯化锑为反应物,采用化学浴沉积法在玻璃衬底上沉积不同锑掺杂量(摩尔分数)硫化锡(Sn S:Sb)膜,研究了锑掺杂量对薄膜晶相结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:锑掺杂Sn S薄膜是具有正交结构多晶薄膜,薄膜为纳米片组装成的花状球形颗粒。随着Sb掺杂量由1.8%增加到7.2%,其相应的禁带宽度从0.93 e V增加到1.30 e V。随着Sb掺杂量的增加,Sn S薄膜的电阻率呈现先下降后增大趋势,当Sb掺杂量为3.6%时,其最小值为5.21×103?·cm。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2015年12期）
赵文武[10]（2015）在《化学浴沉积制备Sb_2S_3薄膜》一文中研究指出采用化学浴沉积技术,以叁氯化锑和硫代硫酸钠为起始原料,在前驱液pH=3、沉积温度60℃,沉积时间10 h条件下成功制备了Sb_2S_3薄膜。采用X射线衍射技术表征薄膜相结构,采用扫描电镜表征薄膜微观形貌,采用能谱分析薄膜的化学元素组成。研究结果表明:沉积制备的Sb_2S_3薄膜结晶良好且纯度较高,在基板表面以球层状模式生长。文章同时探讨了Sb_2S_3薄膜生长机理。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2015年S1期）
化学浴沉积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
硫化铜是一种非常重要的p型半导体材料,具有出色的电磁学、光学特性,广泛应用于太阳能电池、光电转换开关、气敏传感器和光催化等领域。本文探索采用一种低温、环境友好的合成路线—化学浴沉积法(CBD)制备硫化铜薄膜。详细研究了化学浴沉积工艺参数,如溶液配比、pH、浓度、沉积温度和时间等对薄膜结构、厚度、形貌和光学性能的影响规律。研究发现沉积温度在65℃-70℃范围内,沉积2.5 h-3.0 h,pH在8.5-8.8之间可成功获得均匀致密的CuS薄膜;所制得的薄膜由垂直竖立于衬底表面的六方片状纳米片组成,薄膜表面光亮,可见光透过率达35%以上。通过控制反应参数,可制得厚度从40 nm至280 nm变化的CuS薄膜。研究结果表明溶液pH、配比和浓度均可通过调节溶液中游离态离子浓度从而调控异质成核和薄膜生长速率。pH从7.0升高至9.0,所得薄膜厚度从66 nm增加至150 nm,而透过率由78%降至50%;进一步调高pH,所得薄膜厚度反而降低,相应透过率增加。随着Cu~(2+)与C_6H_5O_7~(3-)比例的降低,所得薄膜从160 nm逐渐增加到280 nm,透过率从43%降至10%以下;随着Cu~(2+)与S~(2-)比例的升高,薄膜厚度从150 nm增至280 nm,而透过率从20%降至3%;当Cu~(2+):C_6H_5O_7~(3-):S~(2-)=1:3/2:2时,随着溶液浓度增加,薄膜厚度逐渐增加至150 nm,透过率从50%降至38%。随着沉积温度升高,薄膜厚度从50 nm增至150 nm,并且在50℃-65℃范围厚度增长缓慢,65℃-80℃范围厚度随温度急剧增加,而透过率从54%降至35%,说明升高温度可加快沉积速率;而温度超过80℃后,膜厚反而降低,透过率增加,说明进一步升高温度导致均匀成核消耗大量原料,不利于薄膜的沉积生长。延长沉积时间,膜厚迅速增加,最后趋于平缓,膜厚达到最大值200 nm,相应透过率逐渐降低,由60%(沉积30 min薄膜)下降至38%(沉积5 h薄膜),符合化学浴沉积法制备薄膜的自催化动力学行为。这种低温低耗、环境友好的化学合成路线可以进一步扩大到其他半导体薄膜的制备研究。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
化学浴沉积论文参考文献
[1].杨文婷.在氧化铟锡导电玻璃上化学浴沉积ZnO纳米线[J].机械工程材料.2019
[2].孙赟.化学浴沉积法制备硫化铜薄膜的研究[D].安徽建筑大学.2019
[3].杨文婷,莫观孔,黄瀛,何欢,符跃春.化学浴沉积法制备ZnO纳米线的形貌分析[J].广西大学学报(自然科学版).2018
[4].刘洁青,姚朝晖,徐锐,刘剑虹,赵兴玲.化学浴沉积ZnSe薄膜材料的结构和光学特性[J].太阳能学报.2017
[5].唐鑫垚.化学浴沉积ZnO:Al薄膜及其在CZTS电池中的应用[D].哈尔滨工业大学.2016
[6].刘洁青.化学浴沉积ZnSe薄膜性能的研究[D].云南师范大学.2016
[7].王艳香,赵星宇,范学运,杨志胜,黄丽群.化学浴沉积法制备多级结构ZnO微球及其电池性能[J].人工晶体学报.2016
[8].张克宏,肖慧,赵荣荣,陆磊,万昭佳.化学浴沉积制备防污自洁型PVDF/PMMA共混膜研究[J].中国塑料.2015
[9].夏冬林,徐俊,黄波.化学浴沉积法制备Sb掺杂SnS薄膜[J].硅酸盐学报.2015
[10].赵文武.化学浴沉积制备Sb_2S_3薄膜[J].硅酸盐通报.2015
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