射频功率和沉积压强对富硅-SiNx薄膜微结构的影响

论文摘要

基于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,以硅烷和高纯氮气作为反应气体源,分别设置射频功率为50,80,110,140,170 W和沉积压强为200,250,300,350,400 Pa两组参数沉积富硅-SiNx薄膜.结果表明,薄膜的致密性和沉积速率与射频功率和沉积压强都有关系,射频功率的增加导致光学带隙值变大,而光学带隙值与沉积压强成非线性关系,其二者的光学带隙值均在硅与Si3N4薄膜的光学带隙值之间.射频功率的增加,导致反应室中N—N键断裂更加完全,与硅原子结合形成大量的Si—N键,而薄膜中的Si原子含量降低,导致薄膜中含氮量增加,且样品薄膜中Si3N4晶粒尺寸增加,表明该条件下沉积得到的是富硅-SiNx薄膜.

论文目录

• 1 实验
• 2 实验结果与分析
•   2.1 紫外可见光透射谱
•   2.2 傅里叶变换红外光谱
•   2.3 XRD图谱
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 李婷婷,周炳卿,闫泽飞

关键词: 技术,富硅薄膜,光学带隙,微观结构

来源: 内蒙古科技大学学报 2019年01期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备

单位: 内蒙古师范大学物理与电子信息学院,内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室

基金: 国家自然科学基金资助项目(51262022,21663018)

分类号: TQ127.2;TB383.2

DOI: 10.16559/j.cnki.2095-2295.2019.01.001

页码: 1-4+28

总页数: 5

文件大小: 779K

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