导读:本文包含了二次电子倍增效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:二次电子倍增效应,微放电,数值模拟,叁维
二次电子倍增效应论文文献综述
李韵,张恒,崔万照[1]（2017）在《航天器二次电子倍增效应数值模拟技术与应用》一文中研究指出二次电子倍增效应(微放电效应)由空间中自由电子在电磁场驱动下与航天器微波部件互作用时引发的二次电子发射及其倍增雪崩导致,对航天器造成不可修复的损害,是影响其高可靠性的关键性技术瓶颈。虽然国内外研究者对基于金属表面二次电子发射的典型结构微波器件微放电机理和大功率设计认识较为深入,但是针对航天器复杂结构微波部件,微放电效应数值模拟研究较少,缺乏准确的二次电子发射数据与有效的阈值功率分析方法。本文在对国内外航天机构与主流研究院所对金属微放电数值模拟技术现有成果进行概括与对比的基础上,提出并实现了高精度微放电电磁粒子数值模拟技术,结合二次电子发射产额与能谱测试改进了二次电子发射模型,获得了其他模型没有考虑的二次电子发射更深层的特性,与多频段多种微波部件微放电实验结果对比,误差小于1.5d B,为国内深入开展航天器介质放电机理与抑制研究奠定了技术基础。(本文来源于《2017年全国微波毫米波会议论文集（下册）》期刊2017-05-08）
王川,纪彬,李鹏展,殷治国,雷钰[2]（2013）在《CYCIAE-100回旋加速器高频腔二次电子倍增效应的叁维模拟》一文中研究指出二次电子倍增效应广泛存在于加速器的高频系统中。高Q值的回旋加速器腔体中,由于二次电子倍增效应导致的高频功率馈入困难,是高频锻炼中常见的问题。在这种情况下,高频腔内的初始种子电子会在高频电磁场作用下轰击到腔体表面,在一定的频率与高频电磁场、腔体结构及腔体表面材料下,初始电子入射到腔体表面时所具有能量对应的腔体材料的二次电子发射系数会大于1,即入射一个电子会有机会产生多于入射电子数目的二次电子,如果该过程持续不断地进行,则会发(本文来源于《中国原子能科学研究院年报》期刊2013年00期）
王川,纪彬,李鹏展,殷治国,雷钰[3]（2014）在《CYCIAE-100回旋加速器高频腔二次电子倍增效应的叁维模拟》一文中研究指出二次电子倍增效应广泛存在于加速器的高频系统中。高Q值的回旋加速器腔体中,由于二次电子倍增效应导致的高频功率馈入困难,是高频锻炼中常见的问题。在这种情况下,高频腔内的初始种子电子会在高频电磁场作用下轰击到腔体表面,在一定的频率与高频电磁场、腔体结构及腔体(本文来源于《中国原子能科学研究院年报 2013》期刊2014-06-01）
徐波,李中泉,沙鹏,王光伟,潘卫民[4]（2012）在《325 MHz spoke腔的二次电子倍增效应》一文中研究指出采用CST软件的粒子工作室模块,对spoke超导腔中可能发生的二次电子倍增效应进行了分析研究,并采用二次电子倍增效应发生后形成稳定状态时的粒子数增长率来表征其强度。模拟计算表明:该腔存在两处二次电子倍增效应,spoke柱两端的两点一阶倍增;spoke腔两端侧壁与中心圆筒交界处的单点一阶倍增;二次电子倍增在加速腔压为0.65MV时的增长率最高,而腔压大于1 MV时,增长率均为负,即无倍增发生。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2012年11期）
王川,Andreas,Adelmann,张天爵,姜兴东[5]（2012）在《场致发射与二次电子倍增效应的程序开发》一文中研究指出与瑞士保罗希尔研究所合作,在双方合作开发的通用加速器模拟程序库OPAL中添加了3维复杂几何处理模块及场致发射与二次电子发射模块,使得OPAL具备了进行3维复杂结构中场致发射与二次电子倍增效应模拟的能力,可用于优化复杂高频/微波器件的结构设计从而抑制暗电流发射或二次电子倍增效应。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2012年05期）
张宇[6]（2011）在《基于HPM器件的二次电子倍增效应的模型建立及特性研究》一文中研究指出随着近几年科学技术的不断进步,各行各业对高功能率微波的需求越来越多,因此对其性能要求也在不断提高,随着对其诸如输出功率,输出频率、能量等指标要求的不断提高,高功率微波技术的发展也会出现一些新的问题需要我们去解决。在这些问题中主要包含脉冲缩短和馈源介质窗击穿问题。研究发现二次电子倍增是引起脉冲缩短、馈源介质窗击穿的最主要原因,因此对二次电子倍增效应的研究具有很重要的理论研究和实际应用价值,通过研究,掌握其产生原因,变化规律等特性,可以很好的解决上述两个问题,突破制约高功率微波源技术向高功率、高效率发展的瓶颈,从而可以更好的推动高功率微波技术的发展。在高功率微波源器件的波束相互作用腔中,一般有射频场、聚焦磁场和空间电荷,空间电荷产生的静电场与空间电荷形成自洽相互作用。在以往的研究中往往忽略了磁场的作用,并且空间静电场以常数来处理。本论文以磁绝缘传输线振荡器(MILO)的结构为例,在考虑由内部电流产生的聚焦磁场、空间电荷场和空间电荷相互作用基础上,首先计算分析了自绝缘磁场对二次电子倍增效应(multipactor)的影响；然后通过对泊松方程求解得到空间电荷的直流自洽场,在此基础上建立单边二次电子倍增效应(mulitpactor)模型,并对二次电子倍增效应和电子与腔壁碰撞过程中的能量交换的时间演化特性进行了计算分析,讨论了电子的斜入射和磁场对电子二次倍增效应的影响及腔结构对二次电子倍增效应的影响。(本文来源于《华北电力大学（北京）》期刊2011-03-01）
应旭华,郝建红,范杰清[7]（2009）在《双边二次电子倍增效应分析》一文中研究指出根据高功率微波源相互作用腔结构,建立了一种双边二次电子倍增效应模型。采用概率统计和蒙特卡罗模拟方法,计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律,分析了射频场参数和结构参数对二次电子倍增效应的影响。结果表明:高频场比低频场更容易发生二次电子倍增效应;二次电子倍增效应的时间演化与射频场的大小和腔结构呈非单调关系,且电子掠入射时比正入射时的共振区域要大得多,这与理论分析的结果一致。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2009年06期）
应旭华[8]（2009）在《减小和抑制二次电子倍增效应研究》一文中研究指出脉冲缩短限制了微波脉冲能量的提高,制约了高功率微波源和加速器的发展。造成脉冲缩短的重要原因之一就是二次电子倍增效应(multipactor)。二次电子倍增效应是一种电子在相互作用腔或射频(RF)窗中撞击金属/介质表面并释放出大量二次电子,由而引起的一种雪崩效应。本文以微波器件中的波束相互作用理论为基础,从物理机制上对微波源器件中的二次电子倍增效应进行分析评价;结合具体器件的结构构型,分别建立双边和单边两种动力学模型;讨论、分析和计算了二次电子倍增效应的敏感曲线和二次电子的时间演化规律,进而寻求减小或消除二次电子倍增效应的方法和途径。(本文来源于《华北电力大学（北京）》期刊2009-01-01）
张猛,赵明华[9]（2007）在《上海同步辐射装置次谐波聚束腔中二次电子倍增效应的模拟》一文中研究指出上海光源直线加速器采用一个次谐波聚束腔组成预注入器,其性能的稳定性和可靠性直接关系到电子束流的品质。二次电子倍增效应是其不稳定性的原因之一,为考察其中的二次电子倍增效应,将上海光源次谐波聚束腔与最普通的重入式谐振腔进行对比。结果表明,在实际使用的工作范围内,优化次谐波腔形状可有效抑制其中的二次电子倍增效应。进一步的考察表明,腔体结构的圆滑设计是抑制二次电子倍增的原因。(本文来源于《核技术》期刊2007年05期）
二次电子倍增效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
二次电子倍增效应广泛存在于加速器的高频系统中。高Q值的回旋加速器腔体中,由于二次电子倍增效应导致的高频功率馈入困难,是高频锻炼中常见的问题。在这种情况下,高频腔内的初始种子电子会在高频电磁场作用下轰击到腔体表面,在一定的频率与高频电磁场、腔体结构及腔体表面材料下,初始电子入射到腔体表面时所具有能量对应的腔体材料的二次电子发射系数会大于1,即入射一个电子会有机会产生多于入射电子数目的二次电子,如果该过程持续不断地进行,则会发
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
二次电子倍增效应论文参考文献
[1].李韵,张恒,崔万照.航天器二次电子倍增效应数值模拟技术与应用[C].2017年全国微波毫米波会议论文集（下册）.2017
[2].王川,纪彬,李鹏展,殷治国,雷钰.CYCIAE-100回旋加速器高频腔二次电子倍增效应的叁维模拟[J].中国原子能科学研究院年报.2013
[3].王川,纪彬,李鹏展,殷治国,雷钰.CYCIAE-100回旋加速器高频腔二次电子倍增效应的叁维模拟[C].中国原子能科学研究院年报2013.2014
[4].徐波,李中泉,沙鹏,王光伟,潘卫民.325MHzspoke腔的二次电子倍增效应[J].强激光与粒子束.2012
[5].王川,Andreas,Adelmann,张天爵,姜兴东.场致发射与二次电子倍增效应的程序开发[J].强激光与粒子束.2012
[6].张宇.基于HPM器件的二次电子倍增效应的模型建立及特性研究[D].华北电力大学（北京）.2011
[7].应旭华,郝建红,范杰清.双边二次电子倍增效应分析[J].强激光与粒子束.2009
[8].应旭华.减小和抑制二次电子倍增效应研究[D].华北电力大学（北京）.2009
[9].张猛,赵明华.上海同步辐射装置次谐波聚束腔中二次电子倍增效应的模拟[J].核技术.2007