导读:本文包含了势垒高度论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:高度,肖特基,量子,杂质,系数,载流子,沟道。
势垒高度论文文献综述
崔丹腾[1]（2018）在《从熔合激发函数中抽取势垒高度的研究》一文中研究指出近垒能区重离子熔合反应是原子核物理的重要研究内容。经过近几十年的发展,人们对其已经有了比较深入的理解。实验上对熔合激发函数的测量越来越精确,理论上对核-核相互作用势的计算提出了各种各样的模型。各个理论模型对熔合势垒高度给出了不同的结果。为了比较不同模型,本文基于熔合实验数据抽取势垒高度,主要选取几个具有代表性的熔合反应体系,抽取出对应的势垒高度,并与理论模型的计算结果进行对比,找出预测值与实验数据最接近的理论模型。我们对各个体系的实验熔合激发函数分析,选择了Ca+Ca、O+Sn、S+Zr、S+Sn等代表性体系,运用耦合道计算程序CCFULL,选取Woods-Saxon形式核势,调节势参数,拟合实验熔合激发函数,找到最佳拟合实验熔合激发函数时对应的势参数,比较各个势参数的拟合优度值χ~2,确定势参数的最优解。然后,在势参数最优解的基础上,根据熔合截面与能量乘积的一阶微分得到穿透系数,穿透系数最大值一半的位置对应熔合反应的势垒高度。对于某些反应体系,在CCFULL拟合中考虑正Q值中子转移效应后,近垒及垒下熔合截面能够得到显着增强。除了耦合道模型,本文还用了Wong模型拟合实验熔合激发函数,得到对应的势垒高度,这也作为与各个模型对比的一个参照。根据CCFULL模型和Wong模型拟合结果,确定势垒高度,将它们与各个理论模型计算出来的结果进行对比,发现Bass80模型和WKJ公式得到的结果与本工作计算的结果符合最好。由于熔合势垒高度在实验中无法直接测量出来,所以确定一个相对准确的理论模型可以对核-核相互作用势的研究提供参考,同时对超重核合成的实验研究有很重要的参考价值,有利于人们去探索合成新的复合核。(本文来源于《广西师范大学》期刊2018-06-01）
肖彤,乔坚栗,陈健,杨建红[2]（2017）在《P-N结型耗尽沟道的势垒高度解析模型》一文中研究指出P-N结型耗尽沟道的电流输运取决于沟道中的势垒高度,本文构建了沟道势垒模型,基于器件物理分析给出了势垒高度的解析表达式.该模型对沟道内和沟道外耗尽区的边界条件做了合理的假设和分析,通过求解泊松方程获得上述两个区域的电势分布,将这两个区域的电势分布综合起来推导出了势垒高度的解析表达式.该表达式较为完整地反映了势垒高度与器件材料参数、结构参数及外加偏压的关系.将解析模型与数值模拟结果做了比较,两者吻合很好.该模型的构建对于分析具有P-N结型耗尽沟道的半导体器件有重要意义.(本文来源于《科学通报》期刊2017年Z2期）
周祥标,许鹏,付超超,吴东平[3]（2016）在《微波退火条件下NiSi/Si肖特基势垒高度的调节》一文中研究指出为了满足尺寸不断缩小的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术的需求,需要在低温条件下实现肖特基势垒高度的调节,利用杂质分凝技术,结合微波退火进行Ni Si/Si接触的肖特基势垒高度的调节,并采用先离子注入、后淀积金属形成金属硅化物(IBS)和先淀积金属形成金属硅化物后进行离子注入并退火(IAS)两种方案进行研究。通过C-V和I-V测试对制备的样品进行了电学表征,并通过计算给出了其肖特基势垒高度,结果表明微波退火可实现空穴和电子肖特基势垒的有效调节,而且IBS方案的调节效果优于IAS方案的调节效果。除此之外,相对于传统热退火技术,微波退火可以在更低的温度下实现相同肖特基势垒的调节。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年06期）
冷森林,石维,贾飞虎,郑嘹赢,李国荣[4]（2015）在《BaTiO_3-(Bi_(1/2)Na_(1/2))TiO_3无铅正温度系数电阻陶瓷势垒高度的计算》一文中研究指出采用还原再氧化的烧结工艺制备了0.2 mol%Y_2O_3施主掺杂的95 mol%BaTiO_3-5 mol%(Bi_(1/2)Na_(1/2))TiO_3无铅正温度系数电阻(Positive temperature coefficient of resistivity,PTCR)陶瓷。研究发现,还原气氛下烧结的样品没有明显的PTCR效应,需要进一步在空气中氧化处理。其中1200℃氧化2 h的样品PTCR性能最好,电阻突跳大于3个数量级。利用交流阻抗分析方法计算了材料的晶粒、晶界电阻,发现氧化后的陶瓷晶界电阻迅速增加,而晶粒电阻基本保持不变。最后根据Heywang-Jonker理论,计算了陶瓷晶界势垒高度、势垒宽度和受主浓度。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2015年12期）
胡小英,刘卫国,段存丽,蔡长龙,牛小玲[5]（2015）在《势垒高度对GaAs/Al_xGa_(1-x)As QWIP光谱特性的影响（英文）》一文中研究指出为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同Ga As/AlxGa1-xAs QWIP样品,采用傅里叶光谱仪对样品进行77 K液氮温度光谱测试。结果显示1#,2#样品峰值响应波长与据薛定谔方程得到峰值波长误差为15.6%,4.6%。结果表明:引起量子阱中子带间距离逐渐扩大与峰值响应波长蓝移的根本原因是势垒高度的增加。高分辨透射扫描电镜实验结果表明量子阱材料生长过程精度控制不够及Al Ga As与Ga As晶格不匹配是造成1#样品误差较大的主要原因。说明调节势垒高度可实现QWIP峰值波长微调的目的。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2015年10期）
张大庆,李国斌,陈长水[6]（2014）在《单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究》一文中研究指出通过对In_xGa_(1-x)N掺杂不同组份的In来改变In_xGa_(1-x)N的禁带宽度,从而改变量子阱势垒高度,并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间的关系、通过仿真模拟实验研究了不同量子阱势垒高度与InGaN/GaN量子阱发光二极管的功率光谱密度、内量子效率、发光功率及复合率之间的关系、分析结果表明:1)In含量与发光二极管的光电性能并非成线性关系。2)在电流密度较低时,In组份越小,光谱密度峰值越大,发光功率越大、3)在电流密度较大时,In组份越大,光谱密度峰值越大,发光功率越大、4)光谱蓝移与电流密度大小紧密相关,电流密度大的蓝移程度大,反之越小、因此,应根据不同的电流密度来选择In组份的大小,从而提高发光效率、(本文来源于《量子电子学报》期刊2014年01期）
马春雷,冯志红[7]（2013）在《利用温度无关点计算AlGaN/GaN肖特基势垒高度》一文中研究指出基于AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)中肖特基势垒高度的有效提取对提升器件的性能和稳定性有着重要指导意义,制备了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,并利用光电流谱测试得到了该样品的势垒高度。此外,测试得到该样品的正向变温电流电压(I-V)曲线,发现在正向变温I-V曲线中存在一个温度无关点,低于该点时同一偏压下电流随温度的升高而增大,高于该点时同一偏压下电流随温度的升高而减小。利用温度无关点对应的电压,结合薛定谔泊松方程自洽循环迭代,计算得到AlGaN/GaN肖特基二极管的势垒高度,发现该结果与光电流谱测试的结果非常一致,从而得到一种计算AlGaN/GaN异质结肖特基二极管势垒高度的新方法。(本文来源于《半导体技术》期刊2013年12期）
毛淑娟,罗军,闫江[8]（2013）在《杂质分凝技术对肖特基势垒高度的调制》一文中研究指出为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用硅化诱发杂质分凝技术(SIDS)调节NiSi/n-Si肖特基二极管(NiSi/n-Si SJD)的肖特基势垒高度,系统地研究了SIDS工艺条件如杂质注入剂量、注入能量和硅化物形成工艺对肖特基势垒高度调节的影响。实验结果表明,适当增加BF2杂质的注入剂量或能量均能显着提高有效电子势垒高度(φBn,eff),也即降低了有效空穴势垒高度(φBp,eff),从而减小反向偏置漏电流。同时,与传统的一步退火工艺相比,采用两步退火工艺形成NiSi也有利于提高有效电子势垒高度,减小反向漏电流。最后,提出了一种优化的调制肖特基势垒高度的SIDS工艺条件。(本文来源于《半导体技术》期刊2013年01期）
刘淑杰,姜文龙,汪津,王冬梅,王艳玲[9]（2011）在《通过调整势垒高度改善有机电致白光器件的性能》一文中研究指出通过利用ADN发光材料和其他各有机发光材料之间的能级关系设计了利用BCP作为空穴阻挡层,Alq3:DCJTB层和Alq3:DCJTB层之间的ADN层为发光层的叁种结构的器件.实验结果表明,在NPB层和Alq3:DCJTB层之间不插入ADN,只在Alq3:DCJTB层和BCP层之间插入ADN的器件A的性能最好.其原因在于利用了NPB和发光层之间的LUMO能级较高的势垒限制了电子的迁移和输运,改善了激子的形成几率,促进了白光的形成.该器件的启亮电压为5 V,当外加电压达到17 V时,器件最大发光亮度达12 450 cd/m2.最大效率是1.733 cd/A.(本文来源于《吉林师范大学学报(自然科学版)》期刊2011年02期）
成鹏飞,王玉平,于长丰[10]（2010）在《ZnO压敏陶瓷势垒高度的测量及其应用》一文中研究指出系统分析了势垒高度测量的两种常用方法(I-T特性方法和C-V特性方法)成立的条件,发现直接采用lnj～1/T曲线的基本I-T特性方法适用于流过ZnO压敏陶瓷的电流较小,导电机制为热发射电流的情况,且只能得到等效势垒高度,其最大误差为12%～20%。要使测量误差在10%以内,则外施电压的荷电率不应超过0.4～0.6。改进后的I-T特性方法可测量零偏置电压下的势垒高度准0;C-V特性方法仅适用于偏析层厚度可忽略的情况,否则测量值明显偏大;实际上将两种方法相结合,不但能得到较精确的势垒高度准0,还能获得偏析层的厚度。(本文来源于《电瓷避雷器》期刊2010年05期）
势垒高度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
P-N结型耗尽沟道的电流输运取决于沟道中的势垒高度,本文构建了沟道势垒模型,基于器件物理分析给出了势垒高度的解析表达式.该模型对沟道内和沟道外耗尽区的边界条件做了合理的假设和分析,通过求解泊松方程获得上述两个区域的电势分布,将这两个区域的电势分布综合起来推导出了势垒高度的解析表达式.该表达式较为完整地反映了势垒高度与器件材料参数、结构参数及外加偏压的关系.将解析模型与数值模拟结果做了比较,两者吻合很好.该模型的构建对于分析具有P-N结型耗尽沟道的半导体器件有重要意义.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
势垒高度论文参考文献
[1].崔丹腾.从熔合激发函数中抽取势垒高度的研究[D].广西师范大学.2018
[2].肖彤,乔坚栗,陈健,杨建红.P-N结型耗尽沟道的势垒高度解析模型[J].科学通报.2017
[3].周祥标,许鹏,付超超,吴东平.微波退火条件下NiSi/Si肖特基势垒高度的调节[J].半导体技术.2016
[4].冷森林,石维,贾飞虎,郑嘹赢,李国荣.BaTiO_3-(Bi_(1/2)Na_(1/2))TiO_3无铅正温度系数电阻陶瓷势垒高度的计算[J].中国陶瓷.2015
[5].胡小英,刘卫国,段存丽,蔡长龙,牛小玲.势垒高度对GaAs/Al_xGa_(1-x)AsQWIP光谱特性的影响（英文）[J].红外与激光工程.2015
[6].张大庆,李国斌,陈长水.单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究[J].量子电子学报.2014
[7].马春雷,冯志红.利用温度无关点计算AlGaN/GaN肖特基势垒高度[J].半导体技术.2013
[8].毛淑娟,罗军,闫江.杂质分凝技术对肖特基势垒高度的调制[J].半导体技术.2013
[9].刘淑杰,姜文龙,汪津,王冬梅,王艳玲.通过调整势垒高度改善有机电致白光器件的性能[J].吉林师范大学学报(自然科学版).2011
[10].成鹏飞,王玉平,于长丰.ZnO压敏陶瓷势垒高度的测量及其应用[J].电瓷避雷器.2010
论文知识图
