导读:本文包含了电子压强论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:第一性原理计算,结构性质,电子结构,光学性质
电子压强论文文献综述
申陈海,王广涛[1]（2019）在《不同压强下BiI_3的电子结构和光学性质（英文）》一文中研究指出基于密度泛函理论研究了压强对BiI_3的结构、电子和光学性质的影响,研究过程中考虑了自选轨道耦合(SOC)效应.计算的能带结果表明:在0 GPa条件下,BiI_3具有1.867电子伏特的间接带隙,随压强的提升带隙值降低;施加压强也能增强BiI_3的光吸收系数和光电导率.在0 GPa条件下,BiI_3的吸收系数为4×10~5cm~(-1),光电导率为3×10~3Ω~(-1)·cm~(-1),因此BiI_3可作为光伏应用的备选材料.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2019年02期）
李晓琴,肖亚涛,陆彦功,申洁,赵辉[2]（2018）在《基于第一性原理计算压强对CaO电子结构和光学性质的影响》一文中研究指出为了探究压强对CaO晶体电子结构和光学性质的影响,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势理论方法对晶体进行了理论计算与分析.优化后所得晶格常数与实验值基本一致.研究结果表明:该晶体属于直接带隙绝缘体,带隙值为4.239 eV,价带顶主要由O-p轨道贡献,导带底由Ca-d轨道贡献.随着压强的增加,介电函数实部和折射率峰值减小,并发生红移,介电函数虚部峰值变大,并发生蓝移,而反射率、吸收系数和能量损失函数的峰值均增大.因此,改变压强可以有效改变CaO的电子结构和光学性质.(本文来源于《天津师范大学学报(自然科学版)》期刊2018年05期）
赵璐璐[3]（2018）在《低气压射频容性放电中二次电子和气体压强对等离子体特性影响的数值研究》一文中研究指出容性耦合等离子体对等离子体刻蚀和材料表面改性有重要应用,因此长期以来一直都是研究的热点。容性耦合等离子体被广泛应用于等离子体化学沉积系统、射频溅射技术等工艺中的同时,也面临着许多新的考验,比如对刻蚀技术的刻蚀效率和各向异性的要求越来越高,而传统的单频容性耦合等离子体技术已经不能很好地实现对离子通量和能量的独立控制。基于人们对等离子体材料表面进行处理和改性日益增长的新要求,目前采用的解决方法是利用双频放电。在双频容性耦合等离子体放电中,高频电源决定了等离子体的离子密度,而低频电源可以用来调制等离子体鞘层中的离子能量。双频放电中的各种放电参数,特别是双频驱动频率和气体压强等对放电技术有着至关重要的影响,深入地研究这些影响有利于进一步提高生产工艺水平。为此,本文采用了数值模拟方法对低气压氩气射频辉光容性耦合等离子体放电过程进行了研究,系统的研究了气体压强和双频频率的改变对放电中各个物理量影响的物理机理。容性耦合等离子体放电中有两种不同的电子加热机理,分别为电子欧姆加热和电子压强加热。电子加热机理主要取决于一系列诸如电极间距、气体压强、驱动频率、放电电压等放电条件。而在放电过程中,二次电子发射系数对电子加热有着重要的影响。为此,本文研究二次电子对电场、电势和电子温度的影响,还重点研究了二次电子对电子压强加热和电子欧姆加热及电子加热的影响。本文的具体内容如下:在第一章中,简要介绍了辉光放电原理和低气压容性射频放电等离子体的研究现状及其发展。在第二章中,根据等离子体流体理论,在漂移扩散近似下,对容性耦合等离子体建立了一维流体模型并进行数值模拟。首先将方程组一维化,并根据所建立模型特点给出初始条件和边界条件。为了计算机计算的稳定性和准确性,再将方程组无量纲化,之后采用有限差分法求解方程。最后利用Fortran语言进行编程计算结果。在第叁章中,基于一维流体模型,研究了两个平行板电极之间的低气压氩气容性耦合射频辉光放电等离子体中,二次电子对放电等离子体特性的影响。模拟结果表明,二次电子对周期平均的电场几乎没有影响;对周期平均的电子温度的影响只发生在等离子体鞘层区;对周期平均的电离率,电子密度,电子电流密度,离子电流密度,总电流密度、电子能量损失、压强电子加热、欧姆电子加热、电子加热在整个放电区域都有影响,且在等离子鞘层区域的变化要强于等离子区域。在第四章中,基于一维流体模型,研究了低气压氩气双频射频容性耦合辉光放电等离子体中,气体压强对放电特性的影响。模拟结果表明,气体压强对周期平均的电子温度、等离子体密度和电离率,电极表面的离子电流密度和离子能量密度都有影响;压强的改变使得周期平均电场具有复杂的变化行为且变化主要发生在等离子体鞘层区域;压强对周期平均的电子压强加热、电子欧姆加热、电子加热和电子能量损失都有影响,而且电子加热在两个鞘层区域各出现两个峰值,且随着气体压强的增加,峰值逐渐变大,并向电极方向上移动。在第五章中,基于一维流体模型,研究了双频射频容性耦合辉光放电等离子体中驱动频率对等离子体放电特性的影响。结果表明,在达到稳定状态下,所有等离子体参数的周期平均都是对称的。低频对电子密度、电子温度、电场、电势和电离率没有影响,对周期平均的电子压强加热,电子欧姆加热和电子加热只在等离子体鞘层区有影响。高频对电子温度、电场和电势的影响也不大,但电子密度、电离率、电子压强加热、电子欧姆加热和电子加热会随着高频的增加而增加。最后,对全文进行总结并提出创新点和展望。(本文来源于《大连理工大学》期刊2018-09-11）
谭孟苹,王叁军,饶凤飞[4]（2018）在《压强对有机-无机杂化钙钛矿(MAPbBr_3)电子结构调制的第一性原理研究》一文中研究指出自2009年以来,有机-无机杂化钙钛矿作为光吸材料的新型太阳能电池受到了广泛关注。在基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算的基础上,利用VASP软件包,通过改变钙钛矿MAPbBr_3(CH_3NH_3PbBr_3)的晶格常数进行加压模拟计算,系统的研究了压强作用下钙钛矿材料的电子结构的变化。压强作用下带隙值变化的物理机制可以通过MA阳离子和PbBr_6正八面体无机笼之间的氢键作用进行半定量的描述。在压强作用下,Br原子通过靠近氨末端的H原子而响应,会引起了PbBr_6八面体发生不同程度的倾斜和扭曲,导致体系的晶格对称性发生破坏,使得Pb、Br原子之间的电荷密度函数发生变化,进而影响钙钛矿MAPbBr_3在不同压强下的电子结构以及光学性质的变化。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2018年08期）
刘家治,张友鹏,赵珊鹏,董海燕[5]（2018）在《压强、初始电子密度对接触网绝缘子电晕放电特性影响》一文中研究指出为研究压强、初始电子密度对接触网绝缘子电晕放电特性的影响,提出了基于化学反应与流体力学结合的绝缘子电晕放电2维数值模型.采用数值仿真模拟计算、分析了压强、初始电子密度对接触网绝缘子电晕放电过程中电场强度、电子数密度、电子温度的影响.通过分析瞬态仿真数据可知,当气体的压强逐渐增大,在电离区中,电场强度的最大值会小幅增加,而气体压强对迁移区的电场强度几乎没有影响;随着气体压强的增加电离区的电子平均能量逐渐减小,压强越大,电子平均能量减小的趋势越缓慢;电离区面积随着初始电子密度的增加而增加但幅度较小,而迁移区面积增加较为显着.因初始电子密度的增加电场强度减小,导致电子平均能量逐渐减小.本文提出的绝缘子电晕放电二维数值模型可真实模拟绝缘子电晕放电的暂态过程,分析接触网绝缘子发生电晕时压强、初始电子密度对其的影响为接触网线路的安全运行提供了理论依据.(本文来源于《低温物理学报》期刊2018年04期）
谭孟苹[6]（2018）在《压强对有机—无机杂化钙钛矿材料电子结构调制的第一性原理研究》一文中研究指出自2009年以来,有机-无机杂化钙钛矿作为光吸材料的新型太阳能电池受到了广泛关注。理论和实验结果证明,钙钛矿材料MAPbI_3几乎具有完美光吸收的所有条件:合适的直接带隙,较高的光吸收系数,优异的载流子输运性能以及较高的缺陷容忍度,成为了当今可再生能源领域的热点。然而受晶体自身禁带宽度Eg的影响,如何进一步有效的寻找到带隙值更窄以及化学性质稳定的钙钛矿材料,具有重要的应用价值和科研意义。压强作为一个基本物理学参量,目前在材料科学等领域获得很好的应用和发展。实验研究发现,压强作用下的MAPbI_3实现了体系的禁带宽度和载流子寿命的协同调控,这两点都是提高光伏性能非常重要的参考因素。基于这一实验结果,本文在基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算的基础上,利用VASP模拟软件包,通过改变钙钛矿MAPbX_3(X=I,Br)的晶格常数进行加压模拟计算,系统的研究了压强作用下钙钛矿材料的电子结构的变化,并通过计算结果分析了压强作用下带隙值变化的物理机制。(1)对于立方相钙钛矿MAPbI_3,第一性原理计算结果表明:压强作用下体系的禁带宽度会呈现一个先减小再增加的趋势,在2.772 GPa压强下,带隙值达到一个极小值,为1.114eV。继续加压,MAPbI_3的带隙值重新变大,并将逐渐的偏离高对称点R,由直接带隙转变为间接带隙,当压强增加到80 GPa附近时,MAPbI_3可以转化成0带隙的晶体结构。由压强作用下MAPbI_3的几何和电子结构分析表明,带隙值变化的机制可以系统的通过MA阳离子和PbI_6正八面体无机笼之间的氢键作用进行半定量的描述:晶格常数的减小使得体系带隙值减小,八面体PbI_6的旋转和扭曲,使得带隙值增加。在压强作用下,I原子通过靠近氨末端的H原子而响应,会引起了PbI_6八面体发生不同程度的倾斜和扭曲,导致体系的晶格对称性发生破坏,晶体结构内主要的Pb-I-Pb键角偏离了理想晶格体系下的180°,使得Pb、I原子之间的电荷密度函数发生变化,进而影响MAPbI_3体系在不同压强下的电子结构以及光学性质的变化。(2)为了验证压强对纯净的钙钛矿体系的禁带宽度的调制是否具有普适性,在MAPbI_3计算的基础上,又选取了环境压力下禁带宽度较大的MAPbBr_3立方相的晶体结构模型进行加压计算。理论计算结果表明:在一定的压强范围内,MAPbBr_3体系的禁带宽度同样的会呈现一个先减小再增加的趋势,在1.877 GPa压强下,体系的禁带宽度达到一个极小值,为1.834eV。压强作用下带隙值的变化特征与MAPbI_3的基本一致,说明了压强对于钙钛矿体系的禁带宽度的调制具有重要的研究意义。(3)半导体的电子结构从根本上决定了体系的光学性质,本文通过第一性原理计算了钙钛矿材料MAPbX_3(X=I,Br)在不同压强下的光吸收谱。压强作用下体系的吸收边会明显的向长波方向移动,这是由于系统带隙值的变化,对应电子从价带顶到导带底的跃迁。与此同时,体系的光吸收率也会明显的高于环境压力下。钙钛矿作为一类直接带隙的半导体,在压强作用下表现出的良好的物理特性,对其光学性质的深入研究具有重要的指导意义。(本文来源于《郑州大学》期刊2018-04-01）
王宬朕,董全力,刘苹,吴奕莹,盛政明[7]（2017）在《激光等离子体中高能电子各向异性压强的粒子模拟》一文中研究指出直接驱动惯性约束聚变(ICF)的实现需要对靶丸进行严格的对称压缩,以达到自持热核反应(点火)所需的条件.快点火方案的应用降低了对靶丸压缩对称性以及驱动能量的要求,但压缩及核反应过程中良好的靶丸对称性无疑有助于核反应增益的提高.本文研究了快点火方案中高能电子注入高密等离子体后导致的各向异性电子的压强张量.这一现象存在于ICF快点火方案中的高能电子束"点火"及核反应阶段.鉴于高能电子加热离子过程以及靶丸核反应自持燃烧过程的时间较长,高密靶核会由于超高的各向异性压强的作用破坏高密靶丸的对称性,降低核燃料密度,进而降低了核燃料燃烧效率以及核反应增益.(本文来源于《物理学报》期刊2017年11期）
戴姗,刘运牙,杨振华[8]（2016）在《压强对MgSiP_2电子结构和热电性能影响的第一性原理研究》一文中研究指出基于第一性原理,计算了MgSiP_2的能带结构,结果显示压强减小了能带带隙值,部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示:随着压强的增大,价带顶电子态密度的斜率逐渐减小,而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论,分别计算了p型和n型MgSiP_2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现:压强所致部分电子有效质量的减小,提高了p型和n型MgSiP_2的电导率,但在一定程度上降低了MgSiP_2的赛贝克系数。在压强作用下,相对于n型MgSiP_2,p型MgSiP_2的电导率增加幅度更大,补偿了压强所致p型MgSiP_2赛贝克系数的降低,提高了p型MgSiP_2的功率因子,使其大于n型MgSiP_2的对应值。计算结果表明,通过增大压强可以提高p型MgSiP_2的热电性能,为实验制备具有良好热电性能MgSiP_2提供了指导方案。(本文来源于《现代应用物理》期刊2016年02期）
肖琼[9]（2016）在《不同压强下WTe_2的电子结构及光学性质的第一性原理研究》一文中研究指出为利用密度泛函理论的第一性原理研究压强对WTe_2的电子结构及光学性质的影响,本文首先利用全电势局域轨道最小基能带结构方案研究了1.22 GPa、2.4 GPa和13.0 GPa下的WTe_2的能带结构,其次利用全电势线性缀加平面波方法研究了1.22 GPa、2.4 GPa和13.0 GPa下的WTe_2的费米面,最后利用投影缀加波方法研究了1.22 GPa、2.4 GPa和13.0 GPa下的WTe_2的光学性质。由计算所得的能带结构可知,当压强由2.4 GPa增大至13.0 GPa时,WTe_2会由半金属转变为金属。其次由计算所得的费米面可知,当压强由1.22 GPa增大至2.4 GPa时,WTe_2有一对沿r-x方向的空穴型费米面消失了。最后由计算所得的光电导谱、反射谱和电子能量损失谱可知,无论是沿x方向还是沿z方向,WTe_2反射谱的谱峰位置均与电子能量损失谱的谱峰位置相吻合,而且2.4 GPa下的WTe_2的光电导谱均与1.22 GPa下的WTe_2的光电导谱大致相同,但13.0 GPa下的WTe_2的光电导谱却均与2.4 GPa下的WTe_2的光电导谱有较大的不同,由此本文认为当压强由1.22 GPa增大至2.4 GPa时,压强对WTe_2的能带结构的影响虽然很小,但是它对WTe_2费米能附近的能带的影响却相对较大。而当压强由2.4 GPa继续增大至13.0 GPa时,压强对WTe_2的能带结构则会有较大的影响,相应地它对WTe_2费米能附近的能带也会有较大的影响。(本文来源于《浙江大学》期刊2016-04-24）
李健翔,符斯列,蒋联娇,马娟娟,唐吉玉[10]（2015）在《高压强下GaN的结构相变及电子结构的第一性原理研究》一文中研究指出基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选择广义梯度近似(GGA)下的PBE算法-关联泛函对GaN晶体结构、能带结构以及电子态密度随压强的变化进行了研究,并计算出GaN材料的相变点压强值。研究结果表明:随着压强增加,常见的纤锌矿与闪锌矿GaN会发生结构相变成岩盐矿结构,并且其能带结构均由直接带隙转变成间接带隙。其中,通过焓相等原理得到纤锌矿到岩盐矿结构的相变压强为44.4GPa,而闪锌矿到岩盐矿结构的相变压强为43.6GPa。此外,随着压强增大,GaN纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿的价带态密度均向低能方向偏移,而导带态密度向高能方向偏移,从而导致GaN共价性增强及带隙随压强增大而展宽。(本文来源于《材料导报》期刊2015年22期）
电子压强论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了探究压强对CaO晶体电子结构和光学性质的影响,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势理论方法对晶体进行了理论计算与分析.优化后所得晶格常数与实验值基本一致.研究结果表明:该晶体属于直接带隙绝缘体,带隙值为4.239 eV,价带顶主要由O-p轨道贡献,导带底由Ca-d轨道贡献.随着压强的增加,介电函数实部和折射率峰值减小,并发生红移,介电函数虚部峰值变大,并发生蓝移,而反射率、吸收系数和能量损失函数的峰值均增大.因此,改变压强可以有效改变CaO的电子结构和光学性质.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电子压强论文参考文献
[1].申陈海,王广涛.不同压强下BiI_3的电子结构和光学性质（英文）[J].原子与分子物理学报.2019
[2].李晓琴,肖亚涛,陆彦功,申洁,赵辉.基于第一性原理计算压强对CaO电子结构和光学性质的影响[J].天津师范大学学报(自然科学版).2018
[3].赵璐璐.低气压射频容性放电中二次电子和气体压强对等离子体特性影响的数值研究[D].大连理工大学.2018
[4].谭孟苹,王叁军,饶凤飞.压强对有机-无机杂化钙钛矿(MAPbBr_3)电子结构调制的第一性原理研究[J].人工晶体学报.2018
[5].刘家治,张友鹏,赵珊鹏,董海燕.压强、初始电子密度对接触网绝缘子电晕放电特性影响[J].低温物理学报.2018
[6].谭孟苹.压强对有机—无机杂化钙钛矿材料电子结构调制的第一性原理研究[D].郑州大学.2018
[7].王宬朕,董全力,刘苹,吴奕莹,盛政明.激光等离子体中高能电子各向异性压强的粒子模拟[J].物理学报.2017
[8].戴姗,刘运牙,杨振华.压强对MgSiP_2电子结构和热电性能影响的第一性原理研究[J].现代应用物理.2016
[9].肖琼.不同压强下WTe_2的电子结构及光学性质的第一性原理研究[D].浙江大学.2016
[10].李健翔,符斯列,蒋联娇,马娟娟,唐吉玉.高压强下GaN的结构相变及电子结构的第一性原理研究[J].材料导报.2015