导读:本文包含了晶格材料论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶格,材料,多晶,外延,热电,分子,结构。
晶格材料论文文献综述
赵恩岳[1]（2019）在《高容量富锂正极材料晶格氧电荷补偿机制的中子全散射研究》一文中研究指出富锂氧化物因其超高的可逆比容量,已被作为下一代高能量密度锂离子电池的候选正极材料。研究表明,富锂氧化物正极超高的比容量来自材料内过渡金属和晶格氧的协同电荷补偿。但是,不可逆的晶格氧氧化还原反应(例如氧气的释放)通常会导致材料较差的电化学性能,例如电压下降、电压驰豫等。这些电化学问题严重限制了富锂氧化物正极材料的商业化应用。深入理解晶格氧的氧化还原电荷补偿机制,对于改性调控其稳定性以及实现富锂材料优异的电化学性能具有重大意义。本论文主要从晶体结构的角度来研究富锂材料晶格氧的氧化还原反应机制,试图为后续高性能电极材料的设计与优化提供指导。为了兼顾探测材料的平均结构和局域结构,本工作引入了中子对分布函数技术来分析氧晶格结构的演化。利用中子对分布函数分析方法,层状富锂材料Li_(1.2)Ni_(0.13)Mn_(0.54)Co_(0.13)O_2中伴随晶格氧的氧化还原反应出现的局域畸变氧晶格(短距离的O-O原子对)被首次探测到。理论计算发现距离变短的O-O原子对内可能存在π类型的相互作用,它的存在可以降低局域畸变晶格的能量,稳定材料整体的层状结构。与此同时,研究还发现氧晶格的畸变与过渡金属的种类(也即过渡金属与氧之间化学键的共价性强度)密切相关。具体地说,相比于共价性较强的过渡金属,氧晶格结构的畸变更容易发生在离子性较强的过渡金属周围。以上研究结果表明,层状富锂材料内晶格氧的氧化还原反应稳定性可以通过调控过渡金属的种类与原子比例来实现。此外,值得注意的是,层状富锂材料内畸变的氧晶格发生在过渡金属层间而非层内,研究表明该现象与材料内特定的结构维度有关。然而,到目前为止,这种结构的维度是如何影响晶格氧的氧化还原活性,以及如何利用这种影响调控晶格氧氧化还原反应的稳定性都是悬而未决的问题。因此,进一步研究晶格氧在不同结构维度富锂材料中的氧化还原反应是非常有必要的。对于该对比性研究,兼具叁维阳离子无序结构和晶格氧氧化还原反应活性的阳离子无序富锂氧化物是最理想的研究模型。因此,本研究工作首先通过简单的固相烧结法制备得到了新型阳离子无序富锂氧化物Li_(1.2)Ti_(0.35)Ni_(0.35)Nb_(0.1)O_(1.8)F_(0.2),其可逆充放电比容量可达约280 mA h/g。而后以该化合物作为研究模型,细致研究了其氧晶格结构演化与晶格氧氧化还原反应之间的耦合关系。非原位X射线吸收谱以及共振非弹性X射线散射提供了该材料内晶格氧参与电荷补偿的直接实验证据。更为重要的是,不同于层状富锂材料畸变的氧晶格,该材料在晶格氧发生氧化还原反应的过程中具有较为稳定的氧晶格骨架。研究表明,这种不同的结构响应,主要源自未杂化O2p轨道在不同结构维度材料中的差异性空间分布。这些发现为后续利用结构维度调控富锂材料中晶格氧的氧化还原反应稳定性提供了重要的理论基础。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
齐通通[2]（2019）在《Sb化物超晶格长波红外材料生长及探测器研究》一文中研究指出长波(8-12μm)红外探测器在民用和军事领域都有着广泛应用,尤其是用于红外吊舱、导弹制导等重大装备的红外探测器已经被列为国际战略资源,受到严格管控。新一代的红外探测器需要具备高探测率、多色、多波段、大面阵、更小体积的特点。近年来,锑化物超晶格逐渐成为红外探测材料,特别是长波红外波段研究的焦点,其中,In As/GaSb Ⅱ类超晶格材料具有带隙可调、电子有效质量大、均匀性好等优点,其长波红外探测器在高温、均匀性方面逐渐超越HgCdTe探测器。最近几年,Ga-free(In As/In AsSb)型超晶格红外材料进入人们视野,相比于In As/GaSb超晶格,Ga-free(In As/In AsSb)超晶格材料中不含Ga元素,避免了在禁带中引入与Ga有关的缺陷能级,提高了超晶格的少子寿命,降低了Shockley-Read-Hall(SRH)机制引起的产生-复合(GR)暗电流,有效提高了红外探测器性能。本论文一方面致力于分子束外延技术制备高质量的Sb化物长波红外超晶格材料,另一方面制备出高量子效率、高R_0A的In As/In AsSb以及大面积均匀的In As/GaSb超晶格长波红外探测器。采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长PIN结构In As/In AsSb超晶格长波红外材料,研究了生长温度、生长速率、V/ⅡI束流比以及快门开关顺序对晶体质量、微观形貌的影响;使用Sb元素浸润法优化了超晶格界面,成功制备出高质量的28ML In As/7ML In AsSb长周期长波红外超晶格材料。材料表面平整,无缺陷点出现,20×20μm~2范围内材料表面均方根(RMS)粗糙度约1.3?,XRD显示超过5级的卫星峰,一级卫星峰半峰宽(FWHM)约80arcsec。通过优化生长条件以及衬底加热器参数,在4英寸GaSb衬底上制备了长波红外12ML In As/7ML GaSb超晶格材料,XRD显示超过6级卫星峰,一级峰FWHM约50 arcsec;中心到边缘处的XRD卫星峰位置一致,RMS粗糙度几乎无变化,约1.2?,说明In As/GaSb超晶格材料大面积生长的良好均匀性。采用ICP刻蚀、钝化等工艺,制作了In As/In AsSb超晶格PIN型长波红外单元探测器,有源区厚度为2μm。光谱响应曲线显示50%截止波长为8μm,量子效率为7%,-50m V偏压下暗电流为0.01A,零偏阻抗-面积乘积(R_0A)为0.07Ω.cm~2,探测率为4.61×109 cm.Hz1/2/W。制作了In As/GaSb PπMN型长波红外单元探测器,光谱响应曲线显示50%截止波长为10μm,峰值量子效率为32%,响应率为2.7A/W零偏阻抗-面积乘积(R_0A)为0.2Ω.cm~2,峰值的黑体探测率为8.77×1010cm.Hz1/2/W。(本文来源于《云南师范大学》期刊2019-05-30）
常发冉[3]（2019）在《锑化物Ⅱ类超晶格中波红外探测器的材料生长及性能研究》一文中研究指出锑化物Ⅱ类超晶格红外探测器具有带隙可调、电子有效质量大、均匀性好、响应速率快和容易制备大的红外焦平面阵列等优点,在一些方面的性能已经超过了碲镉汞探测器,被认为是一种非常有潜力的第叁代红外探测器。其中,中波超晶格红外探测器在工业和和军工领域等方面有非常广泛的应用。使用分子束外延设备(Molecular Beam Epitaxy,MBE)在GaSb衬底上外延ⅡI-V族锑化物材料,经过标准探测器工艺即可制备出锑化物Ⅱ类超晶格红外探测器。但是锑化物材料种类繁多,每种化合物的最佳生长条件相差甚远,不同MBE的生长条件也有差异,同一台MBE不同时期生长同种化合物的最佳生长条件也会发生偏移。作为异质材料外延,不同材料之间的界面对材料的性能也会产生很大的影响。本论文的研究目标是使用锑化物超晶格材料体系制备中波红外探测器,系统地研究超晶格低维材料的分子束外延生长过程中生长温度、五族叁族束流比(V/ⅡI)以及界面等对材料质量的影响,研究探测器制备工艺及红外探测器性能的优化等。本文的主要研究内容和成果如下:(1)通过对材料进行高分辨X射线衍射仪(High resolution X-ray diffractometer,HRXRD)测试和原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM)测试,分析超晶格材料衬底峰和零级卫星峰的位置、零级峰的半高全宽(Full Width Half Maximum,FWHM)、卫星峰级数、材料的表面形貌以及均方根(root mean square,RMS)表面粗糙度等参数,研究了InAs/InAsSb材料分子束外延的生长条件,得到了一种系统地确定材料最佳生长条件的方法,简单易行。用这种方法成功地生长出高质量的中波(Mid-Wavelength,MW)InAs/InAsSb材料,晶格失配为0arcsec,一级卫星峰半峰宽为46.8arcsec,在10μm×10μm范围内RMS为1.571?,这些参数表明材料具有很高的晶体质量。(2)使用HRXRD和透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)分别对InAs/InAsSb和InAs/AlSb超晶格的界面控制方式进行研究,观察界面处原子的互混情况,发现在生长InSb界面时,体材料生长法得到的界面质量优于生长中断法和V族元素浸润法得到的InSb界面,这个现象对InAs/InAsSb和InAs/AlSb具有普适性。生长中断法和V族元素浸润法可用于微调材料的组分和应力。(3)使用标准探测器工艺对晶体质量良好的InAs/GaSb和InAs/InAsSb材料经过光刻、刻蚀、钝化、蒸金属电极以及打线封装等步骤,成功制备出中波InAs/InAsSb和中波InAs/GaSb红外探测器,通过在PIN型InAs/GaSb中加入M型势垒,将器件的阻抗值从440W·cm~2提高到13955W·cm~2;通过将I区厚度从1μm增加到2μm,将器件的量子效率从27.7%提高到33.7%。(本文来源于《云南师范大学》期刊2019-05-23）
李承林,房丹,张健,高佳旭,方铉[4]（2019）在《生长中断法生长InAs/GaSbⅡ型超晶格材料表面形貌的研究》一文中研究指出利用分子束外延技术,基于控制快门开关顺序的生长中断法,在GaSb衬底上生长了10周期和20周期的InAs(10 monolayer, 10 ML)/GaSb(10 ML)Ⅱ型超晶格材料。实验中,基于软件模拟对生长参数进行调控分析,实现了As-Sb高效的置换,有效地降低了界面的应力。通过双晶X射线衍射和原子力显微镜对超晶格样品表面形貌进行测试和表征,应变分别减少到0.64%和0.56%,均方根粗糙度仅为0.81 nm和0.45 nm,为后续器件的制备提供了基础。(本文来源于《光学学报》期刊2019年09期）
沈家骏,方腾,傅铁铮,忻佳展,赵新兵[5]（2019）在《热电材料中的晶格热导率》一文中研究指出随着可再生能源及能源转换技术的快速发展,热电材料在发电及制冷领域的应用前景受到越来越广泛的关注。发展具有高热电优值材料的重要性日益突出,如何获得低晶格热导率是热电材料的研究重点之一。本文阐述了热容、声速及弛豫时间对晶格热导率的影响,介绍了本征低热导率热电材料所具有的典型特征,如强非谐性、弱化学键、本征共振散射及复杂晶胞结构等,并分析了通过多尺度声子散射降低已有热电材料晶格热导率的方法,其中包括点缺陷散射、位错散射、晶界散射、共振散射、电声散射等多种散射机制。此外,总结了几种预测材料最小晶格热导率的理论模型,对快速筛选具有低晶格热导率的热电材料具有一定的理论指导意义。最后,展望了如何获得低热导率热电材料的有效途径。(本文来源于《无机材料学报》期刊2019年03期）
任武洋[6]（2019）在《基于Bi_2Se_3/In_2Se_3超晶格及half-Heusler热电材料输运特性调控的研究》一文中研究指出热电材料是一类可以实现热能和电能相互转换的功能材料,主要涉及的就是材料内部电子和声子的输运过程。基于热电材料的热电转换技术具有简单可靠、稳定性高、无噪音、无污染等优点,在功率发电、废热回收再利用、固态制冷等领域均具有潜在的应用价值。然而,由于决定热电性能的各电学、热学参数之间强烈的耦合作用,导致高性能热电材料的发展仍未达到预期。鉴于此,本文重点研究了Bi_2Se_3/In_2Se_3超晶格以及half-Heusler热电材料的输运特性,旨在优化相关电学和热学参数,并最终实现热电性能的提升。主要研究内容如下:(1)借助分子束外延技术,在氟金云母衬底上外延生长了低维热电材料Bi_2Se_3/In_2Se_3超晶格。综合原位高能反射电子衍射和非原位高分辨X射线的表征,证明了超晶格的周期结构可实现精确控制。通过调节超晶格的周期结构,观察到了热导率的一个极小值。当周期厚度较大时,声子表现为准粒子的输运模式,在异质界面发生非相干的漫散射,导致热导率下降;当周期厚度较小时,声子表现为准波动的输运模式,在异质界面发生相干散射,导致热导上升。热导率极小值的出现就归结于声子从准粒子输运模式到准波动输运模式的转变。更重要的是,此极小值比本征Bi_2Se_3薄膜的热导率低了近一个数量级,成功地证明了声子输运特性的调控对于降低热导率的重要作用。(2)杂质原子Ta或者V的引入,均在ZrCoSb格点位置产生了强烈的质量波动和应力场波动。根据Debye-Callaway模型对各声子散射机制的分析,此类点缺陷可以有效地散射高频声子。得益于此,Ta掺杂和V掺杂ZrCoSb的晶格热导率均出现了显着的降低。然而,相较于Ta掺杂ZrCoSb,V掺杂ZrCoSb展现了较差的电学性能。第一性原理计算的结果表明,掺杂元素V在ZrCoSb中形成了深能级杂质,因此不仅不能有效地提供载流子,对载流子还产生了一定的散射作用,导致其功率因子远低于Ta掺杂ZrCoSb的功率因子。鉴于Ta掺杂的ZrCoSb不仅实现了晶格热导率的降低,还具有可观的功率因子,因此其ZT值在973K时可达0.8,比V掺杂ZrCoSb的ZT峰值提高了两倍之多。这一结果也表明了在设计声子散射降低热导率的同时,对于电学输运特性的调控同样重要。(3)发现了一类具有超高功率因子的材料体系——Nb_(0.95)M_(0.05)FeSb(M=Hf、Zr以及Ti),其功率因子的峰值均约为100μW cm~(-1) K~(-2),这一数值为半导体基热电材料的最高值。通过提高样品制备时的热处理温度,Nb_(0.95)M_(0.05)FeSb的晶粒迅速增长,材料内部微观缺陷随之减少,有序度变高,有效地调控了载流子的散射机制,从而实现了迁移率的大幅度提升。同时,根据单抛物线能带模型,Nb_(0.95)M_(0.05)FeSb的载流子浓度非常接近最优化的载流子浓度。因此,显着提升的迁移率以及优化的载流子浓度推动了超高功率因子的出现。更重要的是,由于基底原子Nb与掺杂原子Hf存在较强的质量波动和应力场波动,Nb_(0.95)Hf_(0.05)FeSb在具备超高功率因子的同时,还拥有较低的晶格热导率,促使其ZT值在973K时可达0.9,分别比Nb_(0.95)Ti_(0.05)FeSb和Nb_(0.95)Zr_(0.05)FeSb提高了22%和37%。此外,我们还实际测量了Nb_(0.95)Hf_(0.05)FeSb的输出功率密度。当温差为560K时,其输出功率密度可达21.6W cm~(-2),具有非常可观的商业应用前景。(4)通过人为减少Ni的含量,有效调控了TiNiSn中自发形成的Ni填隙原子。TiNiSn和TiNi_(0.92)Sn在晶格常数、禁带宽度、电学性能以及热学性能上的差异,均证明了TiNi_(0.92)Sn结构中填隙原子的减少。得益于Ni填隙原子的有效调控,削弱了其对载流子的散射作用,Ta掺杂TiNi_(0.92)Sn的迁移率和功率因子均得到了显着提升。值得注意的是,Ta掺杂TiNi_(0.92)Sn功率因子的峰值可达50μW cm~(-1) K~(-2),可比拟目前最好的n型half-Heusler热电材料的功率因子。随后,通过对Ta掺杂TiNi_(0.92)Sn无序散射参数的分析,发现基底元素Ti与掺杂元素Ta之间存在较强的质量波动和应力场波动,可以有效地散射声子,达到降低晶格热导率的目的。因此,Ta掺杂TiNi_(0.92)Sn借助填隙原子调控提升迁移率以及重元素掺杂散射声子的迭加效果,实现了电学输运和热学输运的协同优化,其ZT峰值可以达到0.73,是目前n型TiNiSn基热电材料的最佳性能。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-03-15）
[7]（2019）在《多向晶格+3D打印:全新人造超材料轻便又坚固》一文中研究指出英国帝国理工学院团队研发了一种全新人造超材料——强度增加但质量较轻,这种材料是利用多向晶格,并结合3D打印技术制成,而其中新型晶格则是根据强金属合金的基本原理设计。晶格结构由重复节点和连接支柱组成,结合3D打印技术,制造的材料既轻便又坚固,然而一旦材料失效会带来严重后果,这限制了其实际应用。而失效的原因在于这些材料的结构——晶格整体取向单一,其(本文来源于《模具工业》期刊2019年02期）
杨斌[8]（2019）在《二类超晶格红外光电材料研究与应用》一文中研究指出二类超晶格材料是近年来飞速发展的一种红外光电材料。本文首先阐述了二类超晶格光电材料的特性,重点从中波、长波、和甚长波3个方面描述了二类超晶格光电材料的研究进展;最后全面展望了基于二类超晶格材料所制备的制冷型红外光电器件在军事、遥感、环境、安全和工业领域的应用。(本文来源于《中国基础科学》期刊2019年01期）
张梦然[9]（2019）在《多向晶格+3D打印：全新人造超材料轻便又坚固》一文中研究指出科技日报北京1月16日电 （记者张梦然）英国《自然》杂志16日发表了一项材料学最新成果：英国帝国理工学院团队报告了一种全新人造超材料——强度增加但质量依旧较轻，这种材料是利用多向晶格，并结合3D打印技术制成，而其中新型晶格则是根据强金属合金的基本原理设计(本文来源于《科技日报》期刊2019-01-17）
周雅红[10]（2018）在《超材料晶格与超材料板中弹性波传播研究》一文中研究指出弹性超材料是人造的周期性弹性复合材料,它可以通过局域共振机制在亚波长范围内操控弹性波的传播。所谓的弹性超材料是可能存在负有效质量或负有效模量的材料。现有的研究表明,弹性超材料的非寻常特性,是由嵌入在基质材料中的人造微结构造成的,这些微结构的存在使得经典的连续介质理论已经不再适合超材料模型的研究。因此,需要建立描述超材料力学行为的力学模型。首先,我们从离散的弹簧-质量模型入手,从一维到二维建立超材料晶格连续介质模型。然后对存在微结构的板的面内以及出平面振动问题进行了研究。具体的研究内容及创新性结论如下:(1).研究了一维单原子和一维双原子离散超材料晶格的连续介质模型,建立了一维单/双原子离散超材料晶格格波的色散关系并且与经典材料进行了对比。基于不同的假设,对超材料晶格分别建立了多位移连续介质模型、应变梯度连续介质模型以及非局部应变梯度连续介质模型。通过数值计算结果对比了以上各种连续介质模型的优缺点。(2).就二维九胞正方形超材料晶格,推导了多位移连续介质模型、应变梯度连续介质模型以及非局部应变梯度连续介质模型。就七胞六边形超材料晶格,基于Cosserat连续介质理论,考虑了弹簧扭转相互作用,推导了超材料Cosserat连续介质模型,通过数值计算结果进行色散曲线的比较,对各连续介质模型进行了讨论。(3).研究了局域谐振子周期排布的超材料板中面内导波的传播。由于局部谐振子周期性排布,使得超材料板与经典材料板导波的传播具有明显的不同。为了描述周期分布谐振子对面内导波传播的影响,引入额外的自由度来描述微结构的变形特征,从能量角度建立单胞的总的动能和变形势能,进一步利用相邻单胞周期性界面条件推导了超材料板面内导波的控制方程,进一步研究了面内导波的色散特征。(4).研究了周期分布超材料板的出平面导波的传播特征。出平面导波是指振动位移垂直于波的传播所在平面,这种情况下会导致沿厚度方向的对称以及反对称模式,这是面内导波没有的,我们针对对称模式以及反对称模式引入描述微结构变形的额外自山度,分别推导了对称以及反对称模式的色散方程。通过上述研究,得到如下结果。首先对于超材料晶格采用非局部应变梯度理论进行建模,结果发现非局部应变梯度理论相对于多位移模型和应变梯度理论模型可以更好地描述超材料晶格的色散特征,通过调节非局部参数,可以在更大频率范围内更好地描述超材料晶格的色散特征。然后通过引入描述微结构变形的额外位移变量,可以很好地描述超材料板的微结构效应。可以更好地描述面内导波以及出平面导波的色散特性。(本文来源于《北京科技大学》期刊2018-12-25）
晶格材料论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
长波(8-12μm)红外探测器在民用和军事领域都有着广泛应用,尤其是用于红外吊舱、导弹制导等重大装备的红外探测器已经被列为国际战略资源,受到严格管控。新一代的红外探测器需要具备高探测率、多色、多波段、大面阵、更小体积的特点。近年来,锑化物超晶格逐渐成为红外探测材料,特别是长波红外波段研究的焦点,其中,In As/GaSb Ⅱ类超晶格材料具有带隙可调、电子有效质量大、均匀性好等优点,其长波红外探测器在高温、均匀性方面逐渐超越HgCdTe探测器。最近几年,Ga-free(In As/In AsSb)型超晶格红外材料进入人们视野,相比于In As/GaSb超晶格,Ga-free(In As/In AsSb)超晶格材料中不含Ga元素,避免了在禁带中引入与Ga有关的缺陷能级,提高了超晶格的少子寿命,降低了Shockley-Read-Hall(SRH)机制引起的产生-复合(GR)暗电流,有效提高了红外探测器性能。本论文一方面致力于分子束外延技术制备高质量的Sb化物长波红外超晶格材料,另一方面制备出高量子效率、高R_0A的In As/In AsSb以及大面积均匀的In As/GaSb超晶格长波红外探测器。采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长PIN结构In As/In AsSb超晶格长波红外材料,研究了生长温度、生长速率、V/ⅡI束流比以及快门开关顺序对晶体质量、微观形貌的影响;使用Sb元素浸润法优化了超晶格界面,成功制备出高质量的28ML In As/7ML In AsSb长周期长波红外超晶格材料。材料表面平整,无缺陷点出现,20×20μm~2范围内材料表面均方根(RMS)粗糙度约1.3?,XRD显示超过5级的卫星峰,一级卫星峰半峰宽(FWHM)约80arcsec。通过优化生长条件以及衬底加热器参数,在4英寸GaSb衬底上制备了长波红外12ML In As/7ML GaSb超晶格材料,XRD显示超过6级卫星峰,一级峰FWHM约50 arcsec;中心到边缘处的XRD卫星峰位置一致,RMS粗糙度几乎无变化,约1.2?,说明In As/GaSb超晶格材料大面积生长的良好均匀性。采用ICP刻蚀、钝化等工艺,制作了In As/In AsSb超晶格PIN型长波红外单元探测器,有源区厚度为2μm。光谱响应曲线显示50%截止波长为8μm,量子效率为7%,-50m V偏压下暗电流为0.01A,零偏阻抗-面积乘积(R_0A)为0.07Ω.cm~2,探测率为4.61×109 cm.Hz1/2/W。制作了In As/GaSb PπMN型长波红外单元探测器,光谱响应曲线显示50%截止波长为10μm,峰值量子效率为32%,响应率为2.7A/W零偏阻抗-面积乘积(R_0A)为0.2Ω.cm~2,峰值的黑体探测率为8.77×1010cm.Hz1/2/W。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶格材料论文参考文献
[1].赵恩岳.高容量富锂正极材料晶格氧电荷补偿机制的中子全散射研究[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2019
[2].齐通通.Sb化物超晶格长波红外材料生长及探测器研究[D].云南师范大学.2019
[3].常发冉.锑化物Ⅱ类超晶格中波红外探测器的材料生长及性能研究[D].云南师范大学.2019
[4].李承林,房丹,张健,高佳旭,方铉.生长中断法生长InAs/GaSbⅡ型超晶格材料表面形貌的研究[J].光学学报.2019
[5].沈家骏,方腾,傅铁铮,忻佳展,赵新兵.热电材料中的晶格热导率[J].无机材料学报.2019
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