导读:本文包含了被动调微晶片论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:激光器,微晶,稳定性,速率,方程,热键,外延。
被动调微晶片论文文献综述
刘宗华,郑义[1]（2013）在《LD泵浦被动调Q-Yb~(3+)∶YAG微晶片激光器的优化设计》一文中研究指出从速率方程出发,理论分析了泵浦功率、输出镜反射率、Cr4+∶YAG的初始透过率和长度、Yb3+∶YAG的长度对调Q激光器的重复频率、脉冲宽度、平均输出功率、峰值功率、输出脉冲能量和单脉冲能量利用率的影响。依据理论结果设计了一个窄脉冲宽度、高峰值功率和脉冲能量的被动调Q-Yb3+∶YAG微晶片激光器。该激光器的脉冲宽度Δt=199 ps,峰值功率P m=1.04 MW,输出脉冲能量E=0.21 mJ。(本文来源于《发光学报》期刊2013年09期）
刘少龙,朱少岚,赵卫,刘红军,王屹山[2]（2008）在《Cr~(4+)∶YAG被动调Q微晶片激光器重复频率稳定性研究》一文中研究指出对连续激光二极管抽运Nd∶YVO4/Cr4+∶YAG被动调Q微晶片激光器输出激光重复频率的稳定性进行了理论和实验研究.结果表明,谐振腔内存在最佳净增益,可以使激光器工作在稳定区.通过优化腔内的净增益,耦合输出镜反射率为85%,饱和吸收体初始透射率为70%,抽运功率从1.05W到1.20W的情况下,激光器工作在稳定区.当抽运功率为1.16W时,获得了重复频率为19.48kHz,稳定性优于0.68%(RMS)的高重复频率激光输出.进一步分析了抽运功率抖动对输出激光重复频率稳定性的影响.结果表明,激光器进入稳定区之后,抽运功率的抖动是制约输出激光重复频率稳定性进一步提高的最主要因素.针对抽运功率抖动带来的影响,讨论了增益预抽运技术,并比较了其优缺点.(本文来源于《光子学报》期刊2008年09期）
刘少龙[3]（2007）在《Cr～（4+）：YAG被动调Q微晶片激光器输出脉冲特性研究》一文中研究指出激光二极管抽运的被动调Q微晶片激光器，相对于传统的固体激光器，具有全固化、体积小、重频高、脉宽窄等优点。其产生的高重频、窄脉宽脉冲激光在远程测量、叁维成像、环境监测等很多领域都具有广泛的应用。因此，激光二极管抽运的被动调Q微晶片激光器成为当前研究的一个热点。本文在分析Cr~(4+)：YAG被动调Q运行机理的基础上，采用理论和实验相结合的研究方法，对Cr~(4+)：YAG被动调Q微晶片激光器输出激光的脉冲特性及其稳定特性进行了研究。本文的主要研究工作及研究成果如下：1．针对连续激光二极管抽运的Cr~(4+)：YAG被动调Q微晶片激光器，理论分析并实验研究了其输出激光的脉冲特性。研究结果表明，Q开关打开之后谐振腔内的增益损耗之比，是影响输出激光脉冲特性的主要因素。2．针对连续激光二极管抽运Cr~(4+)：YAG被动调Q微晶片激光器输出激光的稳定特性，分别进行了理论和实验研究。研究结果表明，Q开关开启时间的不确定性以及开关速度的不确定性，是影响输出激光稳定特性的主要原因。3．针对抽运功率抖动对输出激光稳定性的影响，引入了增益预泵浦技术，并对其进行了初步分析与讨论。讨论结果表明，采用增益预泵浦技术之后，Q开关的开启时间和开关速度的不确定性减小，输出激光的稳定性明显提高。(本文来源于《中国科学院研究生院（西安光学精密机械研究所）》期刊2007-07-27）
田信宁,闫平,柳强,巩马理,廖云[4]（2004）在《被动调QNd:YAG/Cr:YAG微晶片激光器的优化设计与实验》一文中研究指出用数值求解速率方程的方法对被动调Q微晶片激光器进行了优化设计,并在实验中验证了这一优化效果。首先对速率方程进行数值求解,从数值求解的结果中得出了几个关键性参数,例如可饱和吸收体的初始透过率、输出镜反射率、激光器腔长、激光器腔内损耗、抽运激光光斑大小等,给出了关键性的参数对被动调QNd∶YAG/Cr∶YAG激光器的影响;然后基于数值求解的结果对微晶片激光器进行了优化设计,例如缩短激光腔长度,减小腔内损耗,选择合适的输出镜反射率、初始透过率和抽运激光光斑大小等;最后完成了两种不同参数的微晶片被动调QNd∶YAG/Cr∶YAG微晶片激光器的制作。(本文来源于《光学技术》期刊2004年06期）
欧攀,闫平,巩马理,谢韬[5]（2002）在《激光二极管抽运的被动调Q Nd~(3+):YAG微晶片激光器及其稳定性》一文中研究指出从理论和实验两个方面研究了连续激光二极管抽运的Cr~(4+):YAG被动调QNd~(3+):YAG微晶片激光器。考虑Cr~(4+):YAG饱和吸收体激发态吸收,推导了连续抽运的被动调Q微晶片激光器的速率方程,分析了微晶片参量对调Q脉冲半峰全宽和峰值功率的影响;提出了实现稳定脉冲输出的微晶片激光器设计原则。在饱和吸收体初始透过率较低(T_0≈40％)的情况下,获得了脉冲峰值功率不稳定性小于±0.7％、脉冲宽度不稳定性小于±1.0％、峰值功率高达千瓦量级的高重复频率激光输出。(本文来源于《光学学报》期刊2002年12期）
巩华荣[6]（2002）在《LD泵浦微晶片激光器被动调Q材料的研究》一文中研究指出二极管泵浦被动调Q微型激光器是一种可以实现短脉冲、高峰值功率、高重复频率的全固态激光器，这种激光器具有功耗小、效率高、体积小等特点，在军事和民用上都具有重要的应用价值和运用前景，已成为全固态激光器的一个发展趋势。本文针对这一趋势，采用一种新型的腔结构，在Nd~(3+):YAG晶片上液相外延生长一层Cr~(4+):YAG单晶薄膜，形成单片式被动调Q微激光谐振腔的结构，由于激光增益介质(Nd~(3+):YAG)和饱和吸收体(Cr~(4+):YAG)两者的晶格常数基本相同，可以说是同质外延，界面的光学特性与散热特性都十分优良，从而提高了微型激光器的光学与热学性能。 Cr~(4+):YAG饱和吸收单晶外延层的制备与性能优化，需要对材料的吸收光谱与能级结构有深刻的认识，因此本文详细介绍了Cr~(4+):YAG饱和吸收材料的光谱特性，并参照有关文献的低温吸收谱数据，采用晶体场理论对饱和吸收中心Cr~(4+)在晶体中的能级分裂做了深入分析，得到了Cr~(4+)在D_(2d)对称晶场中的能级结构和晶体场参数。 采用Cr、Ca双掺杂工艺在YAG和Nd:YAG基质上生长出具有饱和吸收特性的Cr~(4+):YAG。通过对Cr离子掺杂浓度及外延层厚度的控制，外延层λ=1064nm处的饱和与非饱和透过率(ΔT)差可以很容易地控制在5％～30％，满足微激光器设计要求。在液相外延工艺制备的Cr~(4+):YAG的吸收谱中发现750nm处有一吸收峰，通过对它生成原因的分析，我们将它归属于单晶外延层中存在Cr~(5+)的电子跃迁吸收。 针对饱和吸收介质对泵浦光的吸收和衬底与外延层的晶格匹配应力，从熔料配方着手，对Cr~(4+):YAG单晶薄膜作了进一步的优化实验。从大量的实验中摸索出配方的优化规律。最后对晶体的缺陷做了简要分析。(本文来源于《电子科技大学》期刊2002-03-01）
被动调微晶片论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对连续激光二极管抽运Nd∶YVO4/Cr4+∶YAG被动调Q微晶片激光器输出激光重复频率的稳定性进行了理论和实验研究.结果表明,谐振腔内存在最佳净增益,可以使激光器工作在稳定区.通过优化腔内的净增益,耦合输出镜反射率为85%,饱和吸收体初始透射率为70%,抽运功率从1.05W到1.20W的情况下,激光器工作在稳定区.当抽运功率为1.16W时,获得了重复频率为19.48kHz,稳定性优于0.68%(RMS)的高重复频率激光输出.进一步分析了抽运功率抖动对输出激光重复频率稳定性的影响.结果表明,激光器进入稳定区之后,抽运功率的抖动是制约输出激光重复频率稳定性进一步提高的最主要因素.针对抽运功率抖动带来的影响,讨论了增益预抽运技术,并比较了其优缺点.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
被动调微晶片论文参考文献
[1].刘宗华,郑义.LD泵浦被动调Q-Yb~(3+)∶YAG微晶片激光器的优化设计[J].发光学报.2013
[2].刘少龙,朱少岚,赵卫,刘红军,王屹山.Cr~(4+)∶YAG被动调Q微晶片激光器重复频率稳定性研究[J].光子学报.2008
[3].刘少龙.Cr～（4+）：YAG被动调Q微晶片激光器输出脉冲特性研究[D].中国科学院研究生院（西安光学精密机械研究所）.2007
[4].田信宁,闫平,柳强,巩马理,廖云.被动调QNd:YAG/Cr:YAG微晶片激光器的优化设计与实验[J].光学技术.2004
[5].欧攀,闫平,巩马理,谢韬.激光二极管抽运的被动调QNd~(3+):YAG微晶片激光器及其稳定性[J].光学学报.2002
[6].巩华荣.LD泵浦微晶片激光器被动调Q材料的研究[D].电子科技大学.2002
论文知识图
