论文摘要
InSb作为重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料已经应用在光电探测器、中红外激光器等领域,但InSb与氧化物的界面质量对制造高性能器件仍然至关重要。通过对InSb/HfO2堆栈在300和400℃下原位退火来系统地研究其热稳定性。为了研究InSb/HfO2堆栈衬底元素的扩散,利用原子层沉积技术沉积了大约5nm厚的HfO2薄膜,通过光子能量为750和600eV的同步辐射光电子能谱来进行表征时只能探测到堆栈界面以上部分的元素信息。研究发现对HCl预处理和天然氧化样品,In氧化物的扩散分别发生在300和400℃退火后,Sb氧化物的扩散现象只在原子层沉积之后的HCl预处理样品上被发现。本工作强调了为提高InSb器件性能而对界面进行有效钝化的紧迫性。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 孙勇,王星录,史笑然,董红
关键词: 同步辐射光电子能谱,堆栈,原子层沉积,退火,扩散
来源: 真空电子技术 2019年06期
年度: 2019
分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备,无线电电子学
单位: 南开大学电子信息与光学工程学院
分类号: TQ133.53;TB383.2;TN304
DOI: 10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2019.06.15
页码: 94-97+105
总页数: 5
文件大小: 293K
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标签：同步辐射光电子能谱论文; 堆栈论文; 原子层沉积论文; 退火论文; 扩散论文;