导读:本文包含了掺钨氧化铟论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:透明导电薄膜,IWO,透过率,电阻率
掺钨氧化铟论文文献综述
臧传伟[1]（2019）在《掺钨氧化铟透明导电氧化物薄膜性能研究》一文中研究指出In2O3透明导电氧化物薄膜是一种重要光学材料,在已知的其他透明导电氧化物如ZnO、SnO2中,In2O3因禁带宽度大,电阻率低,电子迁移率高、在可见光区的透过率高等优良的特性因此在太阳能电池、透明薄膜晶体管、激光器、平板显示、发光二极管、触摸屏、紫外探测器和电磁屏蔽保护层等领域有着及其广泛的应用前景,但是如何提高透明导电氧化物的性能,成为近几年来科研人员努力的方向,采用高价态的金属离子掺入主体材料中在一定程度上解决此问题。在掺杂钨的In2O3薄膜中,因为钨原子以正六价的高价态的离子形式存在,在沉积过程中可以替代晶格中的In3+,在相同的掺杂浓度下,阳离子价态之差大于2,可以得到更多的自由载流子,换句话说,有少量杂质掺杂的情况下,就可以获得足够的自由载流子。适量的掺杂金属离子,一方面可以获得足够的载流子,提高载流子浓度;另一方面适量的掺杂能够减小带电离子散射,提高载流子迁移率和透过率,最终获得具有更高的离子迁移率和高透过率的透明导电氧化物薄膜。本实验采用了直流磁控溅射技术制备掺杂钨的In2O3透明导电薄膜。使用的靶材是:掺有2%金属钨离子的In2O3。研究了不同的衬底温度、不同的膜厚、通入不同的沉积气压等条件对In2O3透明导电薄膜性质的影响。利用SEM、XRD、四探针探测法,霍尔效应测试系统等手段进行表征与分析,具体结果如下:(1)通过实验得到了最优生长结果:稳定镀膜的压强为2Pa、稳定镀膜的功率为100W、稳定溅射的气体流量20Sccm、溅射真空度在6×10-4Pa、镀膜沉积时间在20min时获得了质量最佳薄膜。在这个工艺条件下制备的IWO薄膜的电阻率为0.83×10-4?cm,载流子迁移率为38.6cm2V-1S-1,在可见光的范围内最高透过率为93﹪,平均透过率在80%以上。(2)在合适的衬底温度和合适的工艺参数下(如镀膜气压,氩气流量,镀膜功率,镀膜时间),溅射离子能够获得合适的能量,薄膜结晶度好,颗粒堆垛致密均匀,晶界较为明显。掺杂的W6+离子可以有效代替In2O3中的In3+离子,形成n型半导体,薄膜中的有空位氧和掺杂离子提供了主要的自由载流子。(3)我们通过用XRD图谱、能谱仪对氧化铟薄膜材料进行分析,制备出没有杂质(钨除外),晶体结构完整,颗粒堆垛致密均匀的薄膜。(本文来源于《山东师范大学》期刊2019-06-03）
贺海晏,郑佳毅,单伟,王仕鹏,黄海燕[2]（2019）在《掺钨氧化铟薄膜厚度对异质结电池性能的影响》一文中研究指出研究工业化反应等离子体沉积(RPD)设备制备的掺钨氧化铟(IWO)薄膜的厚度变化对薄膜光电性能和非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)电池性能的影响。X200℃退火后具有良好的结晶性。通过控制IWO薄膜的沉积时间,制备IWO薄膜厚度递增的一系列8英寸SHJ电池样品。研究发现随着IWO膜平均厚度为82 nm时,SHJ电池转换效率最高达到21.87%,对异质结电池工业化生产具有指导意义。(本文来源于《太阳能学报》期刊2019年03期）
李洪磊[3]（2014）在《掺钨氧化铟锌薄膜晶体管的研究》一文中研究指出本课题以研发新型氧化物半导体沟道层材料为目的,研制了以非晶掺钨氧化铟锌(a-IZWO)薄膜作为沟道层,氧化铝薄膜作为介质层的薄膜晶体管(TFTs)。其中掺钨氧化铟锌薄膜采用射频磁控溅射的方法制备而得。采用闪蒸法制备的金属铝作为器件的源漏电极和栅电极。探究了氧分压、溅射压强、钨掺杂量等参数对IZWO薄膜性能以及相应的TFT器件性能的影响,以寻求IZWO-TFTs的最佳制备参数。射频磁控溅射和闪蒸都是在室温下进行,并未对基板进行加热,所以IZWO-TFTs与柔性电子学相兼容。X射线衍射分析证明,室温下通过射频磁控溅射制备的IZWO薄膜处于非晶状态,不受钨掺杂量的影响。薄膜透明性良好,紫外可见分光光度计测试证明薄膜在可见光范围内(400-700 nm)平均透射率大于80%(含玻璃基板)。测试结果表明,随着氧分压的增加薄膜的透明性增加。在a-IZWO薄膜中W起到了抑制氧空位的作用,X射线能谱测试表明,随着钨掺杂量的增加,a-IZWO薄膜中与氧空位相关的Ols峰的面积减小。采用射频磁控溅射制备的氧化铝作为介质层,制备了a-IZWO-TFTs。结果表明,随着氧氩比由15%增加到25%,器件的开关比先增加后减小。随着钨掺杂量的增加,器件的开关比和迁移率都呈现先增加后减小的趋势,证明钨起到了抑制载流子浓度的作用,与XPS的测试结果相一致。综合以上制备条件,在22.5%氧氩比,6.2 at%钨掺杂量和20w溅射功率下,制备得到了具有电流开关比107,亚阈值摆幅0.31 V/dec以及饱和迁移率11.1cm2/Vs的TFT器件。此外,本文还利用脉冲等离子体沉积的方法制备了a-IZWO做为沟道层,PVP作为介质层的TFTs,进一步验证了a-IZWO作为半导体沟道层的可行性。对a-IZWO-TFTs的正偏压稳定性进行了研究,测试了器件的滞回曲线和不同时间的栅极正偏压下阈值电压的漂移情况。根据栅极正偏压的测试结果,在10 V偏压1500s后,器件的阈值电压漂移约为6.0 V。为了改善器件稳定性,对所制备的a-IZWO-TFTs进行了真空热退火,并尝试了有机钝化层的制备。结果表明,旋转涂覆法制备的聚4-乙烯苯酚(PVP)钝化层有助于改善器件性能。采用IZWO作为透明电极,成功制备了以a-IZWO为沟道层,Al2O3为介质层的全透明器件,器件的开关比为104,亚阈值摆幅为0.8 V/dec,场效应迁移率为2.6cm2/Vs,阈值电压为1.5 V,证明了a-IZWO制备全透明器件的可行性。(本文来源于《复旦大学》期刊2014-04-05）
杨铭,李喜峰,李桂锋,张群[4]（2010）在《直流磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟透明导电薄膜性能影响的研究》一文中研究指出采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(IWO)透明导电薄膜。研究了薄膜结构、表面形貌、光学和电学性能与各种制备参数之间的依赖关系。X射线衍射(XRD)谱分析结果表明随着基底温度的升高,薄膜的结晶性得到改善。原子力显微镜(AFM)测试结果表明薄膜颗粒均匀,表面平整。研究发现薄膜的电学性能对制备参数非常敏感。在基板温度为380℃的条件下所制备的样品在可见光区域(400~700 nm)的平均透射率(未扣除基底)均大于80%。获得的IWO薄膜最低电阻率为2.8×10-4 ohm.cm,对应载流子迁移率49 cm2V-1s-1,载流子浓度4.4×1020 cm-3,平均透射率83%。(本文来源于《真空》期刊2010年05期）
掺钨氧化铟论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究工业化反应等离子体沉积(RPD)设备制备的掺钨氧化铟(IWO)薄膜的厚度变化对薄膜光电性能和非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)电池性能的影响。X200℃退火后具有良好的结晶性。通过控制IWO薄膜的沉积时间,制备IWO薄膜厚度递增的一系列8英寸SHJ电池样品。研究发现随着IWO膜平均厚度为82 nm时,SHJ电池转换效率最高达到21.87%,对异质结电池工业化生产具有指导意义。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
掺钨氧化铟论文参考文献
[1].臧传伟.掺钨氧化铟透明导电氧化物薄膜性能研究[D].山东师范大学.2019
[2].贺海晏,郑佳毅,单伟,王仕鹏,黄海燕.掺钨氧化铟薄膜厚度对异质结电池性能的影响[J].太阳能学报.2019
[3].李洪磊.掺钨氧化铟锌薄膜晶体管的研究[D].复旦大学.2014
[4].杨铭,李喜峰,李桂锋,张群.直流磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟透明导电薄膜性能影响的研究[J].真空.2010