导读:本文包含了电输运性质论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:高压,电阻率,阻抗,超导,性质,结构,纳米。
电输运性质论文文献综述
张慧亭,傅瑜,张萍,何俊宝[1]（2019）在《类铁基超导材料BaMn_2Bi_2电输运性质的各向异性》一文中研究指出层状过渡金属化合物Ba Mn_2Bi_2与"122"型铁基超导材料Ba Fe_2As_2具有十分相似的特征,不仅具有相同的四方Th Cr_2Si_2晶体结构,而且都是反铁磁基态。我们采用助溶剂法制备了Ba Mn_2Bi_2的高质量大尺寸单晶样品,通过X射线衍射、能谱分析系统、综合物性测量系统表征了该单晶样品的晶体结构、化学成分和电输运性质,并对其电输运性质的各向异性进行了系统的研究。研究发现:零磁场下Ba Mn_2Bi_2的面内电阻率和面间电阻率从300 K到100 K随温度下降而下降,表现出坏金属行为;但是100 K以下随温度下降而上升,表现出半导体行为,其激发能约为2.5～3 me V。施加9 T磁场后,100 K以上两个方向的磁阻仅为5%左右,而100 K以下两个方向磁阻都逐渐下降,直到1.8 K达到-18%左右。无论是否施加磁场,Ba Mn_2Bi_2的面内电阻率和面间电阻率都没有表现出明显的各向异性。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年09期）
刘悦,赵可,羊新胜,赵勇[2]（2019）在《硼掺杂拓扑绝缘体Bi_2Se_3单晶的电输运性质研究》一文中研究指出本文首次报道了用自助溶剂法(self-flux)制备优良的硼(B)掺杂硒化铋(Bi_2B_xSe_(3-x))样品的探索.实验结果显示掺杂样品中大部分B是以替代Se位方式存在,少量B以插入Bi_2Se_3晶格或范德瓦尔斯间隙的形式存在.当B的含量逐渐增加时,Bi_2Se_3的晶格常数c先减小后增加,且样品具有清晰的层状结构.掺杂量x=0.05的样品局部区域出现纳米带结构,同时该样品在低温下出现了明显的金属-绝缘转变现象.Bi_2Se_3样品电阻率随掺杂含量的增加而增加,表明B掺杂提高了样品表面态对整体电导的贡献,同时纳米带结构也有助于增加表面态的贡献.(本文来源于《低温物理学报》期刊2019年03期）
刘春明[3]（2019）在《高压下SnS纳米片的结构及电输运性质研究》一文中研究指出在石墨烯被报道其内部含有独特的层状结构以后,具有类似结构的IV-VI族二维层状半导体材料吸引了人们广泛的研究兴趣。硫化亚锡(Sn S)作为IVVI族化合物中极具代表性的半导体材料之一,引发了科学家们的研究热潮。本文选取应用直流电弧等离子体放电方法合成的少层Sn S纳米片作为研究对象,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品在常压时的结构和形貌进行了表征。通过对其高压原位拉曼光谱(Raman spectroscopy)和高压同步辐射X射线衍射光谱的分析,研究了Sn S纳米片在高压下的结构性质。通过高压原位室温电阻率、高压原位变温电阻率以及高压原位Hall效应的测量,对其在高压下的电输运性质进行了系统的研究。探索压力对Sn S纳米片结构及电输运性质的调控作用。具体的研究成果如下:1、我们通过直流电弧等离子体放电方法成功合成了少层Sn S纳米片。利用SEM和TEM对Sn S纳米片的形貌进行了表征,得知Sn S纳米片样品的平均长度和宽度为400-500nm,平均厚度为20-30nm。利用X射线衍射技术对其常压结构进行了表征,结果表明Sn S纳米片为正交结构具有Pnma对称性的单晶粉末样品。通过对其高压原位拉曼光谱及高压原位同步辐射X射线衍射光谱的分析,发现Sn S纳米片在3.0GPa时发生压致正交结构(Pnma)→正交结构(Cmcm)的二阶连续等结构相变,在13.0GPa时发生由正交结构(Cmcm)→单斜结构(P21/C)的一阶结构相变。2、通过高压原位直流电阻率实验,我们发现在整个压力范围内Sn S纳米片电阻率随压力增加而减小。在3.0GPa和12.0GPa处,Sn S纳米片电阻值均发生不连续变化,我们把两次不连续变化归因于结构相变。值得注意的是,相比于体材料Sn S(相变压力点约为12.6GPa和18.2GPa),Sn S纳米片两次相变的压力点均提前了,其中第一个相变压力点提前9.6GPa,第二个相转变压力点提前6.2GPa。结构相转变的差异可以归因于Sn S纳米片微观尺寸效应以及其层状形貌所具有的特殊表面和界面结构。卸压后Sn S纳米片电阻率基本恢复到原来的数量级,说明其相变过程是可逆的。过高压原位霍尔效应测量系统研究了压力对Sn S纳米片样品电输运性质的影响。霍尔系数(RH)始终为正值,这表明在整个压力区间内Sn S纳米片中起主要传导作用的载流子是空穴。电输运参数如电阻率、霍尔系数、载流子浓度和载流子迁移率等在3.0GPa和12.4GPa左右都发生了明显的不连续变化,这些变化归因于结构相变。3、通过高压原位变温电阻率测量实验,通过数据分析得出Sn S纳米片在常压到7.0GPa电阻率随温度的升高呈下降趋势,可判断在此压力区间内Sn S纳米片表现为明显的半导体特性。到8.0GPa时,Sn S纳米片的电阻率随着温度的升高呈上升趋势,表现为金属特性。对比霍尔效应测量结果,我们发现该金属或半金属相为“坏金属”,以空穴导电为主。我们给出了半导体Sn S纳米片的激活能随压力的依赖关系来反映其杂质能级随压力变化情况。此外,我们还发现:与Sn S体材料数据对比,Sn S纳米片金属化相变点也提前2.3GPa,在高压下展示出极强的尺度效应。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-06-01）
王俊盈[4]（2019）在《高压下SnS_2电输运性质的研究》一文中研究指出金属硫属化合物的能带结构工程让人们能够探索出有关凝聚态物质异乎寻常的现象并且开发出许多潜在的应用。例如,从间接带隙到直接带隙的能带改变对电子及光电子提供了可利用的价值。二硫化锡(Tin disulfide,SnS2)是一种新兴的半导体金属二硫化物,由于其分层结构产生的独特性质而备受关注。SnS2作为一种多功能材料,广泛应用于热电、光催化、气体传感等领域,具有极大的潜在应用价值,尤其是相对较高的载流子迁移率和极大的激子效应特性已成为研究热点。与其他方法相比,高压是诱导其晶体结构和电子结构发生剧烈变化的有效方法。本文以纳米级SnS2粉末为研究对象,利用金刚石对顶砧高压力装置(DAC),对SnS2样品进行了高压下原位电阻率和交流阻抗谱的测量,并对样品进开展了加压前后的SEM形貌表征。同时,结合第一性原理方法,计算了不同压力下SrnS2样品的能带结构及态密度,确定了SnS2样品在高压下电学输运性质存在的异常行为和压力效应,并且实验和计算结果都表明,能带结构在有限压力的调节下并没有带来从半导体到金属的转变。研究成果如下:(1)对S1S2样品进行0-25.0GPa范围内电阻率的测量,得到了压致电阻率变化规律:在整个压力范围内电阻率整体下降了 3个数量级,电阻率最低值达到25.964Ω·cm,其中0至4.4Gpa范围内,随着压力增加样品粉末逐渐紧密,原子间距离不断缩小,样品电阻率逐渐下降,在4.4GPa到11.2GPa范围内由于层间压缩机制导致层间相互作用增强,电阻率上升了一个数量级显示出异常反转,随后随着压力的继续增加逐渐下降,直至25.0GPa。(2)对SnS2样品进行高压交流阻抗谱的测量,得到16.4GPa以内阻抗谱及总电阻的变化规律:在4.4GPa范围内电阻逐渐减小,Nyquist图谱由两部分组成,分别是高频区域的半圆弧以及低频区域的曲线,意味着电荷载流子在晶粒内部的传导过程,以及空间电荷在晶粒边界处耗散的现象。之后阻抗平面只存在一个半圆弧即晶粒传导作用,并且在4.4GPa至11.2GPa范围内电阻逐渐增大,在11.2GPa至16.4GPa区间,电阻逐渐减小,与本文所测得的电阻率变化规律一致。利用等效电路对所测得的阻抗图谱进行模拟,得出总电阻的变化规律:总电阻在4.4GPa之前随压力的增加逐渐减小,在4.4GPa-11.2GPa区间内随压力的增加呈上升趋势显示异常反转,在11.2GPa-16.4GPa区间随压力的增加呈现下降趋势。(3)利用第一性原理对SnS2开展20.0GPa以内的能带和态密度计算。本文采用的是杂化泛函(HSE)方法替代局域密度近似(LDA)避免带隙计算偏低,进而获得更加精准的计算结果:在压力作用下,SnS2的带隙逐渐减小,在OGPa时为3.081eV,在20.0GPa时,能隙减小为1.517eV。(本文来源于《延边大学》期刊2019-05-28）
佟双[5]（2019）在《高压下Bi_2O_3的电输运性质研究》一文中研究指出氧化铋(Bi_2O_3)是一种典型的氧离子导电固态电解质材料,因在特定的温度范围内拥有与液态电解质相比拟的高离子电导率(1×10~(-6)S·cm~(-1))和低离子电导激活能(≤0.40eV),使其在陶瓷氧气发生器、固体氧化物燃料电池以及氧传感器等应用方面得到了广泛关注。压力可以通过减小物质内原子间距,改变物质的晶体结构、电子结构和能带结构,因此在高压下物质内会出现新性质和新现象。本论文基于金刚石对顶砧高压产生装置(DAC),通过高压原位拉曼光谱、高压原位同步辐射X射线衍射(XRD)以及高压原位交流阻抗谱等实验手段,对Bi_2O_3进行了拉曼振动模式以及电输运性质的研究,目的是了解压力对Bi_2O_3电输运性质的影响,在高压下发现Bi_2O_3中新奇的电输运现象,探讨结构变化与电输运性质变化的内在联系,得到如下研究结果:(1)通过高压原位XRD实验发现,在压力增加的过程中,Bi_2O_3样品并没有发生结构相变。通过高压拉曼光谱测量发现,当压力不断增加时,Ag-1振动模在5.3GPa处出现一个微弱的肩峰;当压力达到11.2GPa时,微弱的Ag-1振动模肩峰和Ag-4振动模逐渐消失。从而得出高压下Bi_2O_3拉曼峰的变化主要是由于压力诱导的晶格扭曲造成的。(2)通过高压原位交流阻抗谱测量,发现Bi_2O_3样品在常温常压下为典型的离子导体。当压力低于8.5GPa时,Bi_2O_3表现为一个典型的离子传导行为,主要的导电离子为O~(2-)离子,阻抗谱由一个半圆和一条斜率为π/4的直线组成。在0-4.9GPa压力区间内,总电阻随压力的增加不断增大;在4.9-8.5GPa压力区间内,总电阻随压力的增加不断减小。随着压力增加到9.0GPa以后,阻抗谱的形状发生了巨大的变化,斜向上的直线逐渐趋向于Z'轴,表示电子传导开始出现在载流子输运过程中。(3)通过交流阻抗谱拟合方法,得到了压力下Bi_2O_3样品的离子电阻、电子电阻、离子扩散频率以及离子电导率与压力之间的关系图。我们发现电学参量的突变点都出现在5.0GPa和9.0GPa左右。通过拉曼光谱测量我们发现从5.0GPa开始,晶格振动模式发生一系列改变,而载流子输运对于晶格的散射非常敏感,晶格振动的改变必然会改变材料的电输运行为,所以5.0GPa处电学参量的变化是由于压力诱导晶格扭曲引起的。随着压力的继续增加,拉曼光谱表明一些原本局域的电子也可以参与到电输运当中。所以,当压力高于9.0GPa时,电子传导出现在载流子电输运中,意味着样品变为离子/电子混合导体。同时,当电子传导出现在输运过程中时,电子转移电阻比离子转移电阻高2-3个数量级。而等效电路中离子电阻与电子电阻为并联关系,说明离子传导占主导地位。从交流阻抗谱中可以看出,在高频区,电输运表现为离子导体行为,当频率接近零时,阻抗虚部也趋近于零,表现为电子导电行为。所以,压力赋予了Bi_2O_3样品一个意想不到的功能,就是Bi_2O_3的电输运性质可以通过改变施加电压频率在离子传导和电子传导之间自由调节。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-05-01）
王敏[6]（2019）在《高压下Y_2O_3/ZrO_2的电输运性质与结构研究》一文中研究指出ZrO_2固溶体具有硬度高、熔点高以及耐磨性好等优良特性,在陶瓷刀具、氧传感器件、人造牙齿和陶瓷隔热层等方面有着广泛的应用。ZrO_2固溶体的优异性能与其结构和电输运等特性密不可分,因此开展相关的物性研究对于ZrO_2的应用具有重要意义。压力可以通过压缩原子间距,改变物质的晶体结构和能带结构,从而为物质带来新的特性。本论文中,我们利用高压原位阻抗谱方法和同步辐射X光衍射技术,研究了高压下Y_2O_3/ZrO_2固溶体的电输运性质和结构变化,目的是了解Y_2O_3/ZrO_2固溶体的相关物性在压力下的演化规律,发现新现象。研究得到如下结果:1、利用化学共沉淀法制备了具有立方相结构的Y_2O_3/ZrO_2固溶体。X光电子能量谱(XPS)分析表明,样品由O,Y和Zr元素组成,元素分别对应O~(2+),Y~(3+),Zr~(4+)状态,证明了合成的样品是Y_2O_3/ZrO_2。样品中各元素比例为Zr:Y:O=19.88:24.62:55.5,XRD图谱与标准PDF卡片相符,样品结构:cubic,空间群:Fm-3m,a=5.138?。2、对Y_2O_3/ZrO_2固溶体进行了高压原位交流阻抗谱研究。阻抗谱中只能看到一个半圆,说明样品的晶粒和晶界对交流信号的响应相同。随着压力的增加,Y_2O_3/ZrO_2固溶体电阻不断减小。当压力增加到13.3GPa时,电阻突然变大。因此推测,样品在13.3GPa时可能发生了结构相变,但需要X光衍射实验验证。3、通过高压原位同步辐射X光衍射,发现在高压下,Y_2O_3/ZrO_2固溶体的衍射图谱中没有衍射峰的消失或劈裂,也没有新衍射峰的出现。通过Rietveld精修,发现衍射峰位和立方相结构相符,说明Y_2O_3/ZrO_2固溶体的晶体结构在我们研究的压力范围内稳定,始终保持立方相结构。晶面间距d和晶胞体积V随着压力的增加而减小,晶体变得致密。在13.1GPa,晶面间距d和晶胞体积V减小趋势变缓,体系发生等结构相变(二级相变)。根据二阶Birch-Murnaghan状态方程,我们对两个压力阶段的数据进行了拟合。当压力小于13.1GPa时,体弹模量B_0=125GPa;当压力大于13.1GPa时,B_0=290GPa,体弹模量增加了132%,材料变得更难压缩。体弹模量在13.1GPa这个压力点处发生突变,进一步说明了Y_2O_3/ZrO_2样品在13.1GPa处发生了等结构相变。同时,也说明了Y_2O_3/ZrO_2固溶体电输运性质发生异常变化是由于等结构相变引起的。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-05-01）
任俊潼[7]（2019）在《磁畴与超导近邻互作用下马约拉纳边界态的电输运性质研究》一文中研究指出近20年来,对量子计算系统物理实现的研究越来越受到人们的广泛关注。近期逐渐兴起的拓扑量子材料相关技术理论发展快速,极大推动了量子计算物理实现领域的进步。Majorana束缚态(MBSs)是一类拥有奇异性质的新型准粒子激发态,两个MBS之间的交换遵循非阿贝尔交换统计,这一特性令其在拓扑量子计算领域展现出潜在的应用前景,也因此吸引着人们不断地在固体物理系统中探寻着它的踪迹。目前在一维纳米线/超导系统、超导/铁磁原子链系统、二维超导/量子反常霍尔绝缘体系统以及超导/拓扑绝缘体系统中人们均观测到了MBSs存在的相关证据。尽管在上述低维凝聚态体系中尚未有实验方法能够严格地证明MBSs的存在,但当前对MBSs特性的探索仍具有理论价值和实际意义。当下最为引入注目的一类MBSs器件是一维半导体纳米线/超导异质结体系,在制备与探测MBSs方面的优势使其在众多Majorana实验平台中脱颖而出。受最近一系列在Majorana半导体纳米线平台上输运测量实验的启发,本文考虑了利用受调制的外部磁场在类似的一维系统中形成磁畴的方案,并对在实现MBSs移动操纵的过程中系统的波函数及输运性质进行了研究。我们采用了一维紧束缚模型来离散化整个系统的哈密顿量,并利用非平衡格林函数法来对其电输运特性进行数值计算。进一步地,我们研究了该紧束缚模型中由非均匀性引起的涨落对其他系统参数的随机调制,并将近邻效应引起的超导配对势能、纳米线化学势以及格点间近邻跃迁强度的涨落统一作为系统无序效应来进行处理,以刻画在实际实验中可能出现的样品杂质与系统无序对输运测量的影响。我们的结果表明,改变磁畴相关的特征量如畴壁中心位置或畴壁宽度在一定条件下均可实现对MBSs的等效移动操作,而系统的电输运性质则为该过程中MBSs之间的杂化提供了一个直观的描述。对于由超导配对势、化学势和跃迁强度的随机涨落引起的系统无序,若考虑其平均效应,则在适当的参数取值下可以降低和展宽MBSs的零偏压电导峰、抑制电导峰的劈裂以及形成新的零偏压电导峰结构。我们关于系统输运性质的数值结果可以对近期实验中出现的电导峰劈裂间距衰减现象提供部分解释,并对由无序效应导致的零偏压电导峰和Majorana零能模引起的零偏压电导峰进行有效的区分。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
马新军[8]（2018）在《叁维介电材料CCTO和低维纳米材料的电输运性质研究》一文中研究指出半导体材料是人类现代文明发展的基石,有关半导体材料电输运性质的研究始终是凝聚态物理的热点课题。本论文选取叁维CCTO材料和赝量子点、非对称高斯势量子阱以及石墨烯等低维材料为研究对象,分别利用原位高压阻抗测量、线性组合算符和Pekar变分等实验和理论方法,集中研究了CCTO在高压极端环境中的介电性质以及赝量子点、非对称高斯势量子阱和石墨烯等低维材料中的极化子态等科学问题,目的是了解CCTO材料在极端条件下介电特性的稳定性,同时探讨外界温度、电子-声子耦合强度、库仑势场和电磁场等因素对极化子态的影响,以达到对赝量子点、非对称高斯势量子阱、石墨烯中极化子态和量子比特性质的较为全面的认识。取得如下主要结论:1.通过对CaCu_3Ti_4O_(12)样品的测量结果进行分析,发现CaCu_3Ti_4O_(12)样品电阻、弛豫频率在7.4和14.1GPa处发生了不连续变化,表明CaCu_3Ti_4O_(12)在7.4和14.1GPa处发生了两次电子结构相变。电子是CaCu_3Ti_4O_(12)的主要载流子,在0~7.4GPa压力区间,压力对偶极子弛豫过程的压致增强,并且促进了载流子的局域传输。而在7.4~30.0GPa压力区间,压力对CaCu_3Ti_4O_(12)中载流子长程传输和短程传输的影响不大;此外对材料介电常数实部?'、虚部?'和耗散因子tand对压力、频率的依赖性进行的研究表明:从能量效率的角度来看,在5.4GPa处,CaCu_3Ti_4O_(12)的介电性能达到最佳状态。激活能与材料的带隙密切相关,在3~14.1GPa压力区间,dE_a/dP>0表明在此区间压力使材料的带隙展宽,其中0~3GPa呈现出相反的趋势。在14.1~30.0GPa,dE_a/dP<0,这与计算结果相吻合。2.与CaCu_3Ti_4O_(12)-xNiO(x=0.003)样品比较发现,掺杂使材料的压致结构相转变压力发生了变化,由原来的7.4和14.1GPa变为了7.1和17.6GPa。此外,在0~7.1GPa和17.3~25.1GPa范围内,弛豫峰的位置随压力的增加逐渐向高频移动,说明弛豫频率随着压力的增加逐渐增大,而在7.1~17.3GPa却表现出相反的趋势。通过对CaCu_3Ti_4O_(12)-xNiO(x=0.003)样品高压下的电输运性质分析发现,其介电性能在高压下保持稳定。3.基于Pekar类型的变分法和量子统计理论,我们系统研究了电场和温度两种变量对非对称高斯势量子阱中强耦合极化子态能和激发能量的影响。计算结果表明(i)态能和激发能量是温度的增函数;(ii)态能随电场增加而减小,但激发能量随电场的变化恰恰与之相反;(iii)态能是非对称高斯势量子阱高度和电子-声子耦合强度的减函数,而激发能量和跃迁频率是它们在低温极限下的增函数。本文结果为进一步理解非对称高斯势量子阱中极化子的性质奠定了基础。4.运用Pekar变分方法和量子统计理论方法研究了RbCl赝量子点极化子的电子概率密度的温度效应。赝量子点系统的基态能量和第一激发态能量可以构成一个独立的量子比特。当电子处于迭加态时,电子的概率密度在RbCl赝量子点中做周期性振荡。并且,计算了电子概率密度与温度和二维电子气化学势的变化概率。由此发现了调节电子概率密度和振荡周期的方法:改变系统的温度和调整赝量子点的二维电子气的化学势。5.采用LLP变换法、线性组合算符和量子统计理论研究了单层石墨烯中束缚磁极化子的温度效应。在忽略库仑相互作用时,计算了有限温度下单层石墨烯中强耦合束缚磁极化子的带隙。同时当考虑库仑相互作用时,有限温度下单层石墨烯的带隙也被计算在内,两者进行对比说明了库仑杂质存在的意义。结果表明,统计平均声子数N随德拜截止波数的增加而增加,最终达到稳定值。在相同条件下,库仑束缚势的存在可以增加单层石墨烯的能隙,因此库仑束缚势是调节单层石墨烯的能隙的另一个重要因素。单层石墨烯的能隙随温度T的升高而增大,逐渐趋于稳定值。作用于单层石墨烯的磁场B的增加,将会增加诱导的单层石墨烯的能隙值,库仑束缚势的增加也会导致单层石墨烯的能隙随之增加。磁场强度B的变化,对单层石墨烯的能隙随温度变化的增长率几乎没有影响。所以单层石墨烯的能隙可以通过外界温度、库仑束缚参数g以及磁场B进行有效的调控,这一发现将会为设计石墨烯的能隙值打开新的思路。(本文来源于《吉林大学》期刊2018-12-01）
边健,朱守金,刘慧,丰远,马翠玲[9]（2018）在《烧绿石材料Bi_(2-x)Fe_xIr_2O_7的电输运性质》一文中研究指出采用固相法烧制了烧绿石材料Bi_(2-x)Fe_xIr_2O_7(x=0.1,0.2,0.3,0.4);X线衍射证实了Bi_(2-x)Fe_xIr_2O_7的立方结构,样品呈现出很好的单相;通过标准四引线法测量电阻率,样品发生了金属-绝缘体转变,随着Fe掺杂含量的增加,金属-绝缘体转变温度呈上升趋势;对样品的金属体区域和绝缘体区域分别进行了电阻率-温度(ρ-T)拟合分析.(本文来源于《河北师范大学学报(自然科学版)》期刊2018年06期）
古可民,晏浩,柯峰,邓文,许家宁[10]（2018）在《压力诱导的层状结构二碲化钛电输运性质、结构演变和振动性质的变化（英文）》一文中研究指出系统地研究了层状二碲化钛在压力(至43.4GPa)作用下的电输运、晶格振动和结构性质。室温下样品的电阻率在6、13和22GPa附近表现出一系列的异常。为更好地研究二碲化钛的电子结构,测试了样品的低温电阻,在约6GPa处观察到超导转变。综合拉曼光谱和X射线衍射(XRD)实验结果发现:二碲化钛在6GPa附近可能发生拓扑相变;继续加压至约13GPa,样品发生从叁角晶系到单斜晶系的结构相变,相变到22GPa附近完全结束。XRD数据与电输运结果相互印证,揭示了样品在压力诱导下的结构演变和电子结构变化。因此,二碲化钛为人们了解过渡金属二硫化物提供了一个全新的视角。(本文来源于《高压物理学报》期刊2018年06期）
电输运性质论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文首次报道了用自助溶剂法(self-flux)制备优良的硼(B)掺杂硒化铋(Bi_2B_xSe_(3-x))样品的探索.实验结果显示掺杂样品中大部分B是以替代Se位方式存在,少量B以插入Bi_2Se_3晶格或范德瓦尔斯间隙的形式存在.当B的含量逐渐增加时,Bi_2Se_3的晶格常数c先减小后增加,且样品具有清晰的层状结构.掺杂量x=0.05的样品局部区域出现纳米带结构,同时该样品在低温下出现了明显的金属-绝缘转变现象.Bi_2Se_3样品电阻率随掺杂含量的增加而增加,表明B掺杂提高了样品表面态对整体电导的贡献,同时纳米带结构也有助于增加表面态的贡献.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电输运性质论文参考文献
[1].张慧亭,傅瑜,张萍,何俊宝.类铁基超导材料BaMn_2Bi_2电输运性质的各向异性[J].人工晶体学报.2019
[2].刘悦,赵可,羊新胜,赵勇.硼掺杂拓扑绝缘体Bi_2Se_3单晶的电输运性质研究[J].低温物理学报.2019
[3].刘春明.高压下SnS纳米片的结构及电输运性质研究[D].吉林大学.2019
[4].王俊盈.高压下SnS_2电输运性质的研究[D].延边大学.2019
[5].佟双.高压下Bi_2O_3的电输运性质研究[D].吉林大学.2019
[6].王敏.高压下Y_2O_3/ZrO_2的电输运性质与结构研究[D].吉林大学.2019
[7].任俊潼.磁畴与超导近邻互作用下马约拉纳边界态的电输运性质研究[D].电子科技大学.2019
[8].马新军.叁维介电材料CCTO和低维纳米材料的电输运性质研究[D].吉林大学.2018
[9].边健,朱守金,刘慧,丰远,马翠玲.烧绿石材料Bi_(2-x)Fe_xIr_2O_7的电输运性质[J].河北师范大学学报(自然科学版).2018
[10].古可民,晏浩,柯峰,邓文,许家宁.压力诱导的层状结构二碲化钛电输运性质、结构演变和振动性质的变化（英文）[J].高压物理学报.2018
论文知识图
