导读:本文包含了薄膜沉积论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,气相,磁控溅射,化学,石墨,原子,矫顽力。
薄膜沉积论文文献综述
吴易谦,韦春贝,代明江,匡同春,刘敏[1]（2019）在《沉积温度对NiCrAlY/Ag复合薄膜结构及性能的影响》一文中研究指出目的改善GH4169合金的表面性能,制备摩擦学性能优良的复合薄膜。方法采用离子源辅助直流磁控溅射技术制备NiCrAlY/Ag复合薄膜,研究沉积温度分别为60、120、180℃对薄膜结构和性能的影响。利用能谱仪(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)进行薄膜元素成分含量、表面形貌、截面形貌、粗糙度和相结构的检测。采用纳米压痕仪、划痕法、球-盘式摩擦磨损试验机对薄膜的硬度、结合力、摩擦磨损性能进行分析。结果 NiCrAlY/Ag复合薄膜的表面致密度、晶粒尺寸以及表面粗糙度随沉积温度的升高而增大,物相组成主要为Ni3Al、Ag和Cr,薄膜的硬度在5.67～6.41GPa之间。复合薄膜的膜/基结合力随沉积温度的增加而降低,其中沉积温度为60℃时的膜基结合力最佳(33.1N),并且在此沉积温度下的复合薄膜具有最佳的室温摩擦学性能,其平均摩擦系数为0.24,磨损率为3.52×10–5 mm3/(N·m),磨损机制为氧化磨损和磨粒磨损。结论沉积温度对NiCrAlY/Ag复合薄膜的结构性能影响显着,当沉积温度为60℃时,薄膜综合性能最好。(本文来源于《表面技术》期刊2019年12期）
李晓芳,谭菊华,郭小春[2]（2019）在《钼酸钠对电沉积Co-Pt-Mo磁性薄膜性能的影响》一文中研究指出在纯铜表面制备了Co-Pt-Mo磁性薄膜,并研究了钼酸钠的质量浓度对Co-Pt-Mo磁性薄膜性能的影响。结果表明:随着钼酸钠的质量浓度的增加,Co-Pt-Mo磁性薄膜的厚度和电流效率显着提高,钴和钼的质量分数逐渐增大,使得比饱和磁化强度增大。然而,当钼酸钠的质量浓度为10 g/L时,由于剧烈的析氢和金属氢氧化物胶体的阻碍作用,使得电流效率下降,Co-Pt-Mo磁性薄膜表面的颗粒发生团聚现象,孔隙率增大,矫顽力降低。当钼酸钠的质量浓度为8 g/L时, Co-Pt-Mo磁性薄膜具有致密的结构和最大的矫顽力。(本文来源于《电镀与环保》期刊2019年06期）
涂溶,章嵩,后藤孝,张联盟[3]（2019）在《激光化学气相沉积技术制备功能陶瓷薄膜与涂层》一文中研究指出碳化硅(SiC)因其独特的物理和化学性质,例如宽禁带、高热导、高硬度和抗氧化性,而得到广泛应用。化学气相沉积(CVD)是制备SiC膜最重要且有效的方法之一,为了提高其沉积速率,我们将高功率连续激光引入CVD工艺,开发了一种新型激光CVD。使用六甲基乙硅烷(HMDS)和四氯硅烷(SiC14)等作为前驱体,采用冷壁式激光CVD法,将激光光斑直接照射到基板上制备SiC膜。激光功率和总压力分别为0～500 W和0.4～40 kPa,研究了各沉积条件对SiC膜的沉积速率、微观结构、晶相、择优取向和维氏硬度等的影响,最高沉积速率达到3.6 mm/h。本研究团队还采用激光CVD法制备了高温超导涂层、硬质涂层、生物陶瓷涂层、铁电薄膜及离子导体薄膜等。(本文来源于《第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2019-11-28）
宋秋明,贾浩,张礼博,刘松[4]（2019）在《低温等离子体增强化学气相沉积工艺生长SiNx薄膜的内应力研究》一文中研究指出SiNx薄膜是一种具有优良光学性能,高介电常数,高电绝缘性,高稳定性以及良好的水氧阻隔性等优点的材料,广泛应用于微电子工艺中。SiNx薄膜制备工艺包括化学气相沉积,磁控溅射等,其中等离子体增强化学气相沉积(PECVD)应用比较广泛。但是常规的PECVD工艺生长温度需要300-400摄氏度左右,温度较高,不适合于一些需要低温生长环境的应用场景。例如应用于有机电致发光二极管(OLED)中的薄膜封装技术,SiNx可以作为性能优异的水氧阻隔层,可以大幅降低水氧透过率,大幅延长OLED中有机电致发光材料的寿命。但是柔性OLED中,有机材料的生长温度要求较低(<100摄氏度),因此研究低温下条件下SiNx薄膜的生长工艺很有必要。同时,柔性OLED器件通常需要可弯折特性,而弯折可能会造成刚性的无机陶瓷材料膜层产生微裂纹或者破碎,从而失去水氧阻隔性能。SiNx膜层产生裂纹主要因为膜层中由弯折产生的附加应力与膜层内应力共同作用下的结果。本文研究SiNx低温PECVD生长工艺,通过改变生长过程中的SiH4/NH3比例可以获得膜层内应力从张应力向压应力梯度变化的SiNx薄膜,分析了薄膜内应力以及光学性质与生长参数之间的关系,可以获得可应用于柔性OLED薄膜封装的SiNx低温低内应力PECVD生长工艺。图1为SiNx膜层内应力以及折射率与NH3气体流速关系曲线。所有SiNx薄膜都使用一台电感耦合等离子体增强化学气相沉积仪(Sentech SI 500D)进行制备,基底为8寸硅片,生长温度85摄氏度,厚度为530nm;使用一台椭偏仪(J.A.Woollam)测量得到膜层厚度和光学常数;使用一台薄膜应力测量仪(FSM)测量镀膜前后的基片弯折程度从而获得膜层内应力数据。(本文来源于《第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2019-11-28）
黄美林,任永聪,梁竞鹏,王晓如,林雪莹[5]（2019）在《磁控溅射工艺对沉积丙纶无纺布基底金属薄膜的影响》一文中研究指出本文利用直流磁控溅射法在丙纶无纺布基底沉积铜、不锈钢及氧化铜薄膜,研究了本底真空度、工作气体流量、溅射功率、工作气压等溅射工艺参数对薄膜沉积速率、薄膜厚度和表面形貌的影响规律,测试了镀膜前后样品的抗紫外和抗红外性能。结果表明,一定范围内的本底真空度的变化对成膜性能影响很小;存在一个比较合适的氩气流量大小和工作气体压强范围,使得沉积速率最大;沉积速率与溅射功率成正相关关系。经测试,镀铜膜后的织物抗紫外性能明显提高。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2019年11期）
刘忠伟,张翔宇,田旭,王正铎,张海宝[6]（2019）在《化学气相沉积技术制备碳化镍与镍薄膜的研究》一文中研究指出过渡金属碳化物具有良好的机械和化学稳定性。并且由于其独特的电子结构和地球丰度,可作为价格高昂的贵金属电催化剂的替代物。原子层沉积技术(ALD)是一种新型的化学气相沉积制备技术,具有组分可控可调、厚度均匀精确、薄膜一致性好、保形性高、工艺可重复性好等特性。对于原子层沉积,如果以电能取代热能启动反应,即等离子体增强原子层沉积(PEALD),则除了保留热ALD的原有优势外,还增加了其它诸多性能,如改善材料性能(包括提升薄膜密度,降低杂质含量,以及更好地控制薄膜成分和结构组成),实现较低温度(或室温)沉积,大幅增加薄膜的生长速率等。利用自制的Ni(~(tBu2)AMD)_2前驱体,利用PEALD技术制备了碳化镍薄膜。研究了其生长曲线,考察了制备条件如等离子体作用时间、放电气体种类、沉积温度对薄膜表面形貌、组成成分的影响。研究表明Ni(~(tBu2)AMD)_2前驱体具有较宽的沉积温度窗口(75-250℃),沉积速率为0.039 nm/cycle。所制备的碳化镍薄膜表现出优异的电化学催化活性与超级电容性能,析氢反应中起始过电势仅有-77 mV(对应电流密度-0.1 mA cm-2);当电流密度为-10 mA cm~(-2)时,过电势仍然非常低,为-132 mV。当电流密度为2 mA cm~(-2)时,Ni_3C/碳纳米管的比电容达到1850 F g~(-1)。利用脉冲化学气相沉积技术,制备了镍薄膜。研究在沉积温度为140-250℃薄膜成分的变化。对比研究了在相同温度下引入氢等离子体对薄膜成分的影响。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15）
王新炜[7]（2019）在《原子层沉积制备新型薄膜材料》一文中研究指出原子层沉积(ALD)技术是一种气相薄膜沉积技术,它利用饱和自限性的表面化学反应,使薄膜材料在原子层尺度上逐层可控生长。ALD技术的主要特色在于可对复杂多孔叁维结构实现均匀保形的薄膜包覆,因而被应用在越来越多的纳米材料设计和制备中。但是,目前ALD技术所能实现的材料种类还有一定的局限性,尤其在铁钴镍硫化物方面,相关的研究还比较初步。在本报告中,作者将主要汇报近年来课题组在ALD新材料与新工艺研究方面的工作进展,包括研发新型ALD工艺制备铁钴镍硫化物、碳化物等薄膜材料,基于原位XPS技术的ALD薄膜生长原位机理研究,以及所制ALD薄膜在电催化、电子器件等领域的应用[1-8]。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15）
宋贵宏,李贵鹏,刘倩男,杜昊,胡方[8]（2019）在《溅射沉积Mg_2(Sn,Si)薄膜组织结构与导电性能》一文中研究指出采用Mg-Sn-Si-Bi合金和高纯Mg双靶,通过转动基材并调节Mg靶溅射时间,在单晶Si(111)衬底上顺序沉积并获得了Mg含量变化的Mg-Sn-Si-Bi薄膜。结果表明,保持合金靶溅射时间不变,薄膜中Mg的含量随Mg靶溅射时间的延长明显增大,同时薄膜中Sn、Si的含量呈减小趋势。薄膜中Mg含量的变化导致其相结构和导电性能发生改变。当Mg含量(原子分数)由71.437%变化到64.497%,薄膜具有单一的立方Mg2(Sn, Si)固溶体相结构;当Mg含量减小到59.813%及以下时,薄膜中Mg2(Sn, Si)固溶体相消失而出现立方Mg2Sn和立方Mg2Si两相;随Mg含量进一步减小到54.006%,薄膜中除Mg2Sn相外还出现了金属Sn相,并且该金属相含量随Mg含量的减少而增大,相应的立方Mg2Sn相含量减少,但Mg2Si相含量几乎没有变化。单一固溶体立方相结构的薄膜具有较大的载流子浓度和迁移率,因此电导率较大。然而,薄膜中金属Sn相的出现导致载流子迁移率显着下降,薄膜导电率也明显降低。(本文来源于《金属学报》期刊2019年11期）
肖和平,朱迪[9]（2019）在《Cr薄膜沉积速率对AlGaInP发光二极管电压的影响》一文中研究指出研究了在Si基片上沉积Cr薄膜的沉积速率对薄膜残余应力、晶粒尺寸的影响,并进一步讨论薄膜电阻率与残余应力、晶粒尺寸的关系,该电阻率主要由电子在薄膜晶粒内运动及穿越薄膜晶界运动受到阻力而形成。结果表明:薄膜电阻率随残余应力、晶粒尺寸的增加而变小。基于这一实验结果可以改善AlGaInP的LED正向工作电压。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2019年05期）
杨金龙[10]（2019）在《化学气相沉积宏量制备高品质石墨烯薄膜》一文中研究指出石墨烯自发现以来,因其非常优异的电学、热学、光学和力学等性能,在高端电子、能源存储、复合材料等领域有着广阔的应用前景~1。为了解决石墨烯的宏量制备和应用问题,自2009年以来,化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)方法逐渐成为制备高品质石墨烯薄膜的最有效手段之(本文来源于《物理化学学报》期刊2019年10期）
薄膜沉积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在纯铜表面制备了Co-Pt-Mo磁性薄膜,并研究了钼酸钠的质量浓度对Co-Pt-Mo磁性薄膜性能的影响。结果表明:随着钼酸钠的质量浓度的增加,Co-Pt-Mo磁性薄膜的厚度和电流效率显着提高,钴和钼的质量分数逐渐增大,使得比饱和磁化强度增大。然而,当钼酸钠的质量浓度为10 g/L时,由于剧烈的析氢和金属氢氧化物胶体的阻碍作用,使得电流效率下降,Co-Pt-Mo磁性薄膜表面的颗粒发生团聚现象,孔隙率增大,矫顽力降低。当钼酸钠的质量浓度为8 g/L时, Co-Pt-Mo磁性薄膜具有致密的结构和最大的矫顽力。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
薄膜沉积论文参考文献
[1].吴易谦,韦春贝,代明江,匡同春,刘敏.沉积温度对NiCrAlY/Ag复合薄膜结构及性能的影响[J].表面技术.2019
[2].李晓芳,谭菊华,郭小春.钼酸钠对电沉积Co-Pt-Mo磁性薄膜性能的影响[J].电镀与环保.2019
[3].涂溶,章嵩,后藤孝,张联盟.激光化学气相沉积技术制备功能陶瓷薄膜与涂层[C].第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集.2019
[4].宋秋明,贾浩,张礼博,刘松.低温等离子体增强化学气相沉积工艺生长SiNx薄膜的内应力研究[C].第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集.2019
[5].黄美林,任永聪,梁竞鹏,王晓如,林雪莹.磁控溅射工艺对沉积丙纶无纺布基底金属薄膜的影响[J].真空科学与技术学报.2019
[6].刘忠伟,张翔宇,田旭,王正铎,张海宝.化学气相沉积技术制备碳化镍与镍薄膜的研究[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019
[7].王新炜.原子层沉积制备新型薄膜材料[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019
[8].宋贵宏,李贵鹏,刘倩男,杜昊,胡方.溅射沉积Mg_2(Sn,Si)薄膜组织结构与导电性能[J].金属学报.2019
[9].肖和平,朱迪.Cr薄膜沉积速率对AlGaInP发光二极管电压的影响[J].材料科学与工程学报.2019
[10].杨金龙.化学气相沉积宏量制备高品质石墨烯薄膜[J].物理化学学报.2019
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