导读:本文包含了氮化机制论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:氮化,诺氟沙星,硅砖,过梁,机制,焦炉,块体。
氮化机制论文文献综述
吴玉厚,王浩,李颂华,孙健,王贺[1]（2019）在《氮化硅陶瓷磨削热特性与表面成形机制》一文中研究指出目的探究氮化硅陶瓷磨削热特性与热特性对表面成形的影响。方法首先,通过反求法得出传入工件、磨屑与砂轮的热量分配比公式;其次,使用K型热电偶和测力仪得到磨削参数与磨削区温度和热量分配比的关系;最后,通过对磨削表面形貌和粗糙度的检测寻找出最优磨削质量时的温度范围。结果砂轮线速度由25 m/s增加到50 m/s时,磨削温度由256℃增加到819℃,传入砂轮、工件与磨屑的热量分配比分别由82.4%减小到64.4%、12.1%增加到24.3%、5.5%增加到11.3%。磨削深度由5μm增加至30μm时,磨削温度由289℃增加到869℃,传入砂轮、工件与磨屑的热量分配比分别由76.1%减小到53.9%、17.3%增加到30.3%、6.6%增加到15.8%。工件进给速度由2000 mm/min增加到7000 mm/min时,磨削温度由772℃减小到513℃,传入砂轮、工件与磨屑的热量分配比分别由71.1%增加到78.3%、21.1%减小到11.7%、5.8%增大至10.1%。随着磨削温度由256℃增加到869℃时,表面粗糙度先由0.2708μm减小到0.2472μm,后增加至0.3182μm。采用定速比磨削可使磨削温度降低25～127℃,减少传入工件的热量分配比。结论适当的高温有利于表面塑性变形的形成,表面质量提高,但温度过高时会形成热裂纹,温度在489～662℃之间,表面质量最好。在提高砂轮线速度的同时,可适当增加进给速度,以达到降低磨削温度,减少传入工件热量与增加磨削效率的目的。(本文来源于《表面技术》期刊2019年12期）
罗金华,林哲荇,赵艳,姜淑娟,宋少青[2]（2020）在《基于S-型光催化机制CuInS_2内嵌中空凹面氮化碳光催化分解H_2O制H_2（英文）》一文中研究指出光催化解离H_2O合成H_2是绿色可再生的太阳能光子能量转换策略之一.目前,增强光催化材料对太阳能光子的捕获并将之有效利用仍然是一个具有挑战性的课题.光催化解离H_2O反应包括叁个过程:太阳能光子能量促使光生电子在半导体材料带隙中的跃迁;光生电子定向传输;光生电子与吸附在半导体材料表面的H_2O分子发生反应.第一过程需要强的太阳光子捕获能力以产生足够的光生载流子;第二、叁过程在动力学上反映了光生载流子在各个竞争过程中能否有效利用的问题,如光生电子迁移与H_2O作用的速度很慢(～μs),而电子与空穴的复合速度快(～ps).目前研究者很难协调半导体材料的电学和光学特性以满足光生载流子在热力学和动力学两方面的要求.g-C_3N_4是由C、N原子通过sp2杂化组成的二维π共轭体系.当g-C_3N_4结构偏离二维平面时,共轭体系的π电子由凹面迁移到凸面,促使凹、凸面形成表观电势差,有利于电子的定向传输.本文通过卷曲sp2杂化离域均叁嗪体系偏离二维平面,得到空心凹面g-C_3N_4结构,便捷地优化了半导体的电子结构.将CuInS_2嵌入生长于空心g-C_3N_4的凹面,所构成的半导体光催化材料CuInS_2@C_3N_4展现了增强的光捕获能力,以及电子定向传输转移能力.结合XPS、光电流测试、电化学阻抗谱、稳态及瞬态荧光等表征手段揭示空心g-C_3N_4凹、凸面表观电势差驱动光生电子以S-型光催化作用机制从CuInS_2的Cu 2p向g-C_3N_4的N 1s的路径转移.因而,所构建的CuInS_2@C_3N_4在可见光激发下产氢效率提高到373μmol·h~(–1)·g~(–1),其产氢效率分别是二维平面g-C_3N_4负载1wt%Pt和3wt%Pd效率的1.57倍和1.35倍,表明空心g-C_3N_4凹、凸面电势差可以显着地促进光生电子分离和利用率,从而提高光催化解离水制氢效率.本文可增强g-C_3N_4的可持续太阳能转换性能,也适用于其他半导体材料以替代贵金属光催化体系,降低光催化产氢技术成本,促进光催化技术的应用.(本文来源于《Chinese Journal of Catalysis》期刊2020年01期）
葛天昊,赵文杰,乌学东[3]（2019）在《石墨烯及六方氮化硼薄层在修补前后的电化学表现及其防腐机制》一文中研究指出本工作的主要内容是,通过使用硬脂酸对铜基气相沉积石墨烯和铜基气相沉积六方氮化硼进行缺陷修补,来达到更完善、更长效的防腐蚀效果。同时研究分析了石墨烯和六方氮化硼这两种二维纳米材料防腐机制的相同点及不同点。(本文来源于《第十届全国腐蚀大会摘要集》期刊2019-10-24）
黄加兴,李达光,刘国光[4]（2019）在《磷氧掺杂石墨相氮化碳光催化降解氟喹诺酮类抗生素机制研究》一文中研究指出氟喹诺酮类抗生素(FQs)被广泛应用于治疗人类和动物的细菌感染。由于其稳定的化学结构,大多数FQs不能通过传统的污水处理工艺有效去除。半导体光催化技术被认为是解决环境污染问题的有效方法。在已研究的各种光催化剂中,g-C3N4具有适中的带隙(~2.7e V)、良好的化学稳定性和低成本等优点而受到人们的广泛关注。然而,纯g-C3N4在光照条件下产生的电子和空穴复合率高,载流子寿命短,光利用率低,所以其光催化活性受到了限制。因此,通过对g-C3N4的改性来提高光催化能力显得格外重要。(本文来源于《2019第叁届全国光催化材料创新与应用学术研讨会摘要集》期刊2019-09-20）
李佳[5]（2019）在《石墨相氮化碳（g-C_3N_4）的结构调控与光催化制氢增强机制研究》一文中研究指出石墨相氮化碳(g-C3N4)是一种二维层状半导体材料。近年来,由于其具有简单的合成方法、独特的能带结构、优良的化学稳定性,以及原材料来源丰富等优点,被认为是可见光驱动催化分解水制备氢气的高效光催化剂。然而,比表面积低、载流子易复合、太阳光吸收范围窄等问题都严重限制了块体g-C3N4光催化活性的提升。因此,通过g-C3N4的结构调控增强其光催化制氢性能受到了人们的广泛关注。本文提出了叁种新的前驱体重整策略来改性g-C3N4,成功地构建了叁种具有高光催化制氢性能的g-C3N4纳米结构,包括:非金属元素氧(O)掺杂g-C3N4纳米片、金属元素钾(K)掺杂g-C.3N4纳米片、块体/纳米片g-C.3N4同质结。结果表明:上述叁种改性方式均可提高g-C3N4的还原电势(导带位置),并有效延长了其光生载流子寿命,从而大幅度提升了光催化制氢性能。本论文的主要研究结果如下:(1)采用双氧水(H2O2)辅助-水热处理叁聚氰胺(MA)合成氧掺杂MA前驱体,然后通过直接热聚合上述氧掺杂MA前驱体,最终制备出O掺杂g-C3N4纳米片(记作CNO)。当调控H2O和H2O2的量分别为35 mL和15 mL时(叁聚氰胺质量为7.2 g固定不变),CNO的比表面积提高至31.7 m2·g—1,在模拟可见光的氙灯光源(λ>420 nm)辐照下,光催化制氢速率达到1050.3 μmol.h-1.g—1,比块体g-C3N4提高约10.7倍,量子效率达到13.04%(λ=420 nm),并具有优异的循环稳定性。非金属元素O掺杂和构筑超薄纳米片结构的有效结合,使得CNO的导带电势相对块体g-C3N4得到显着提高。同时,高的比表面积使得CNO中光催化还原反应活性位点增多,并能有效抑制载流子的快速复合,从而表现出优异的光催化制氢性能。(2)采用氢氧化钾(KOH)辅助-水热处理MA合成钾掺杂MA前驱体,然后通过直接热聚合上述钾掺杂MA前驱体,制备出K掺杂g-C3N4纳米片(记作C.NK),从而最终策略实现了K原子层间掺杂和块状g-C3N4剥离的同步进行。当MA与KOH的摩尔比为2:1时(叁聚氰胺质量为7.2 g固定不变),CNK21样品的光催化制氢性能达到最优。在模拟可见光的氙灯光源(λ>420 nm)辐照下,CNK21样品的光催化制氢速率达到919.5μmol.h-1g-1,比块体g-C3N4高13.1倍,量子效率达到6.98%cλ=420 nm),并展示出优良的光化学稳定性。CNK21样品光催化制氢性能的增强归因于:高比表面积的纳米片结构可以提供大量的光催化反应活性位点,以及位于层间的K原子可以有效提高还原电势,从而促进光生载流子的输运和抑制其复合。(3)采用葡萄糖(C6H1206)辅助-水热处理MA获得改性MA前驱体,然后直接热聚合上述改性MA前驱体,最终制备出块体/纳米片g-C3N4复合光催化剂(记作BCN/CNNS同质结)。当葡萄糖的添加量为50 mg时(叁聚氰胺质量为7.2 g固定不变),BCN/CNNS同质结光催化制氢性能达到最优。在模拟可见光的氙灯光源(λ>420 nm)辐照下,BCN/CNNS同质结的光催化制氢速率达到1361.9 μmol·h-1g-1,大约是块体g-C3N4的16.4倍,量子效率约为6.8%λ=420 nm),在能量较小的位置约为1.82%(λ=550 nm),并具有优异的化学稳定性。这种typeII同质结构不仅可以拓宽g-C3N4的可见光吸收范围,还有利于自由电子的传输,从而促进光激发还原制氢反应。同时,采用果糖、蔗糖、乳糖、麦芽糖和麦芽糖醇辅助-水热处理MA前驱体后直接热聚合制备出与BCN/CNNS同质结具有类似形貌结构的g-C3N4,并都表现出优异的光催化制氢活性。(本文来源于《西安理工大学》期刊2019-06-30）
黄志刚,曹会彦,李杰,王佳平,黄一飞[6]（2019）在《干熄焦炉用氮化硅结合碳化硅过梁砖的破损机制》一文中研究指出比较了干熄焦炉斜道区用后2年和6年的氮化硅结合碳化硅过梁砖及其原砖的体积密度、显气孔率、常温抗折强度及化学组成变化,分析了不同使用年限和不同使用部位(分别为风道侧、炉腔侧、中心部位)过梁砖的物相组成、显微结构和孔径分布,以了解其侵蚀劣化过程。结果表明:N_2为主以及CO、CO_2、H_2、O_2和CH_4共存的弱氧化、还原交替的混合气氛中,当氧化气氛占主导时,过梁砖不断遭受CO_2、O_2等氧化介质的氧化侵蚀,氧化产物SiO_2发生多晶转变产生膨胀以及裂纹破坏;而当含CO、H_2等的还原气氛占主导时,氧化产物SiO_2又会被分解,使结构进一步疏松破坏。因此,氧化和还原反应的交替侵蚀是氮化硅结合碳化硅过梁砖劣化的重要原因之一。(本文来源于《耐火材料》期刊2019年03期）
李天峰[7]（2018）在《氮化硼纳米管增韧氮化硅及其机制的研究》一文中研究指出氮化硅(Si_3N_4)作为一种重要的高温结构陶瓷,由于其杰出的性能如高强度和高硬度,良好的抗氧化性,低摩擦系数,可忽略的蠕变,良好的抗热震性,良好的耐腐蚀性等而受到广泛关注。然而,Si_3N_4陶瓷的固有脆性严重限定了其应用。自碳纳米管(CNTs)1991年被发现以来,由于具有特有的物理、化学、电子学和力学性能迅速成为材料、化学和物理等领域的研究热点。许多研究成果证明,CNTs是一种具备无限前景的陶瓷材料增强相。氮化硼纳米管(BNNTs)可以想象成卷起来的六方BN层或B和N原子交替地更迭碳纳米管(CNTs)中C原子。BNNTs具有优异的弹性模量和拉伸强度,同时拥有比CNTs更优异的热稳定性和化学稳定性,因此更有望作为高温陶瓷材料的增强相。本文通过热压烧结制备了氮化硅(Si_3N_4)陶瓷,研究了烧结助剂、烧结温度和BNNTs含量对Si_3N_4陶瓷力学性能的影响。结果表明,以Al_2O_3-Gd_2O_3为烧结助剂,可获得致密度较好、抗弯强度和断裂韧性较高的氮化硅陶瓷。在1800℃之前,陶瓷的抗弯强度随着烧结温度的升高而增加。在1800℃以上,α-Si_3N_4相完全转变为β-Si_3N_4相。通过添加BNNTs,Si_3N_4陶瓷的断裂韧性得到显着提升。当BNNTs含量从0增加到0.8wt.%时,Si_3N_4陶瓷的断裂韧性从7.2增加到10.4MPa.m~(1/2)。然而,过量引入BNNTs会导致Si_3N_4陶瓷断裂韧性的降低。同时,随着BNNTs含量的增加,Si_3N_4陶瓷的相对密度和抗弯强度略有下降,但在1.2wt.%BNNTs时,陶瓷的断裂韧性和抗弯强度仍然分别保持着8.8MPa·m~(1/2)和711MPa的较高水平。另外,BNNTs对Si_3N_4陶瓷的增韧机制也进行了探讨,主要包括纳米管的桥联、拔出和裂纹偏转机制。(本文来源于《海南大学》期刊2018-05-01）
元云岗[8]（2018）在《表面纳米化/离子氮化复合处理对TC4钛合金微动磨损机制的影响》一文中研究指出由于其优异性能,TC4钛合金被广泛应用于航空航空航天和生物领域。然而,钛合金TC4较低的硬度、耐磨性差和较高的微动敏感性,却又限制了其进一步应用。为了改善其抗微动性能,一些表面处理技术得到了广泛的关注,其中超声冷锻和离子渗氮技术应用广泛。本研究运用表面纳米化(超声冷锻—UCFT)/离子渗氮复合处理技术,选用850℃氮化,UCFT+850℃氮化对TC4钛合金进行表面强化,利用检测设备表征了所制备的钛合金样品。采用SRV-4型微动磨损试验机,探究了经复合处理后TC4钛合金的微动磨损性能,并探讨了微动磨损机理。研究结果为:(1)对TC4钛合金进行渗氮的最佳渗氮温度为850℃,在此温度下TC4钛合金的耐磨性最优。经离子渗氮后TC4的表面形成了硬质氮化物相(δ-Ti N和ε-Ti_2N)使得其表面硬度明显提升。随着渗氮温度的升高,氮化物含量增加,因此硬度也随之升高,渗氮层厚度增加。在850℃时,试样的平均摩擦系数及磨损体积最小,耐磨性最优。经离子渗氮后,渗氮层的形成能有效阻碍金属的直接接触,抑制黏着磨损。(2)不同对磨球对复合处理试样的摩擦学性能有重要影响。经氮化和表面纳米化/离子氮化复合处理的TC4钛合金,与不同的对磨球(Si_3N_4、6061Al、TC4)对磨时的耐磨性均优于未处理试样。且复合处理试样的耐磨性最好,磨损体积约为未处理的1/8(Si_3N_4)、1/5(TC4)和1/4(6061Al)。对比3种不同的对磨球(Si_3N_4、TC4和6061Al球),发现对磨球硬度越高磨损体积越大磨损越严重。复合处理和渗氮均有材料转移和氧化反应出现,且复合处理的磨痕最浅。(3)表面纳米化/离子氮化复合处理对TC4钛合金微动磨损性能有重要影响。可以发现与对磨球(Si_3N_4)对磨时的减摩性均优于未处理试样。然而,对磨球为TC4钛合金时,渗氮和复合处理试样的摩擦系数均高于未处理试样,并没有减摩的效果。对磨球Si_3N_4和TC4钛合金时,不同处理方式下TC4钛合金的微动磨损机制:在低摩擦载荷下,试样磨痕中心均处于黏着状态,磨痕边缘处于部分滑移区,发生轻微的磨粒磨损及磨痕边缘的磨屑聚集。(本文来源于《中国地质大学(北京)》期刊2018-05-01）
王盈霏,王枫亮,黎杰华,谢治杰,苏跃涵[9]（2018）在《介孔氮化碳光催化降解诺氟沙星的动力学机制》一文中研究指出采用一种简单高效的制备方法,利用Si O2为模板制备出具有更高催化活性的介孔氮化碳材料(mpg-C3N4),并通过透视电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、氮气吸脱附测试(BET)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、光电子能谱(XPS)对mpg-C3N4的形貌、组成结构进行表征.结果显示,mpg-C3N4表面存在大量直径约12nm的孔状结构,与g-C3N4相比,比表面积大幅度增大,并因此提供了更多的活性位点从而提高其光催化活性.使用紫外可见漫反射光谱(UV-vis DRS)和荧光光谱(PL)对其光电化学性能进行测试.结果表明介孔材料的引入使得氮化碳的吸收光谱发生红移,并降低了光生电子-空穴对复合率,从而提高对可见光利用效率.通过对诺氟沙星(NOR)的降解与吸附实验研究表明,NOR的光催化降解过程符合一级动力学和Langmuir-Hinshelwood动力学模型,而mpg-C3N4对NOR的吸附符合二级动力学,表明NOR的光催化降解主要发生在催化材料的表面且以化学吸附为主.吸附实验表明mpg-C3N4在30min内可以吸附56.78%的NOR,降解实验显示,光解1.5h后,超过90%的NOR可被降解.相比体相g-C3N4,mpg-C3N4表现出良好的吸附性能和光催化性能.pH值影响实验表明pH值约为7.41时达到最佳降解效果,主要归因于药物形态与材料表面电荷作用.淬灭实验表明O2·-和h+是降解体系中的主要活性物质.(本文来源于《中国环境科学》期刊2018年04期）
王玉莹[10]（2018）在《提高氮化碳光催化生成燃料的活性策略探索及机制研究》一文中研究指出随着世界环境、传统的化石能源问题的日益凸显,寻找一种清洁、可再生、廉价、安全、可行的能源形式来解决目前传统化石能源枯竭问题、环境污染问题备受瞩目。半导体光催化技术以半导体光催化剂为核心,利用取之不竭的太阳能资源,可有效实现新能源的转化生产如二氧化碳还原制甲烷及水分解制氢等,并能有效地消除环境污染,受到人们的广泛关注。目前,开发高效廉价的可见光催化剂是光催化领域研究的重点。二维纳米片层材料石墨相氮化碳(g-C_3N_4)作为一种环境友好、价格低廉,被广泛认为是潜在的光催化剂材料。然而,其电子和空穴易发生复合、表面催化活化能力差等缺陷,严重影响g-C_3N_4的可见光催化活性。为此,本论文针对g-C_3N_4可见光生电荷分离差和表面催化活化能力不足的关键科学问题,设计通过硼酸表面预处理提高贵金属(Pt、Ag、Au)和过渡金属(Ni、Fe、Co)在g-C_3N_4表面分散的单原子助催化剂表面构建新策略,并深刻探索其光生电荷转移、分离和表面催化活化机制。具体实验分如下两部分:首先,选择通用的贵金属Pt为助催化剂,通过调控g-C_3N_4表面无机硼酸的修饰量,提高Pt在g-C_3N_4表面的分散并降低颗粒尺寸。稳态表面光电压谱,荧光光谱及生成羟基自由基浓度测试表明,硼酸预处理修饰下可有效改善Pt-g-C_3N_4的光生电荷分离情况,样品0.5Pt-5B-CN最佳。光催化二氧化碳还原和产氢活性测试结果表明,硼酸存在下活性会远高于单纯修饰贵金属的活性,这可能是由于硼酸的表面修饰有效了地提高了Pt的表面分散,大幅降低了Pt颗粒尺寸甚至到单原子的结果。最后,通过对比不同贵金属单原子的活性来确定Pt的优越性。这一研究结果对后续改善g-C_3N_4的光催化活性及单原子的工作提供了新思路。其次,通过湿化学方法设计合成了YNi-5B-CN的纳米复合体,基于球差电镜及同步辐射等表征证明了Ni的单原子存在形式,并根据瞬/稳态表面光电压谱,荧光光谱及羟基自由基光致发光光谱确定其电荷分离能力明显提升,也使得光催化二氧化碳转化及光催化制氢的活性明显增强。更值得注意的是,通过IR,TG-Mass及XPS水吸附发现,镍原子不仅仅能够调控电子,更能提高YNi-5B-CN的纳米复合体对水的吸附能力,致使催化活性明显提升。在此基础之上,本文又通过同位素实验探究了在光催化甲醇存在的体系下,产物中的氢主要来源于水,而少部分来自于甲醇。甲醇在催化重整过程中主要以牺牲剂形式存在。并在最后通过对比实验验证硼酸的存在更有利于活性的提高,且在同等条件下Ni的活性要优于Fe和Co。(本文来源于《黑龙江大学》期刊2018-03-25）
氮化机制论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
光催化解离H_2O合成H_2是绿色可再生的太阳能光子能量转换策略之一.目前,增强光催化材料对太阳能光子的捕获并将之有效利用仍然是一个具有挑战性的课题.光催化解离H_2O反应包括叁个过程:太阳能光子能量促使光生电子在半导体材料带隙中的跃迁;光生电子定向传输;光生电子与吸附在半导体材料表面的H_2O分子发生反应.第一过程需要强的太阳光子捕获能力以产生足够的光生载流子;第二、叁过程在动力学上反映了光生载流子在各个竞争过程中能否有效利用的问题,如光生电子迁移与H_2O作用的速度很慢(～μs),而电子与空穴的复合速度快(～ps).目前研究者很难协调半导体材料的电学和光学特性以满足光生载流子在热力学和动力学两方面的要求.g-C_3N_4是由C、N原子通过sp2杂化组成的二维π共轭体系.当g-C_3N_4结构偏离二维平面时,共轭体系的π电子由凹面迁移到凸面,促使凹、凸面形成表观电势差,有利于电子的定向传输.本文通过卷曲sp2杂化离域均叁嗪体系偏离二维平面,得到空心凹面g-C_3N_4结构,便捷地优化了半导体的电子结构.将CuInS_2嵌入生长于空心g-C_3N_4的凹面,所构成的半导体光催化材料CuInS_2@C_3N_4展现了增强的光捕获能力,以及电子定向传输转移能力.结合XPS、光电流测试、电化学阻抗谱、稳态及瞬态荧光等表征手段揭示空心g-C_3N_4凹、凸面表观电势差驱动光生电子以S-型光催化作用机制从CuInS_2的Cu 2p向g-C_3N_4的N 1s的路径转移.因而,所构建的CuInS_2@C_3N_4在可见光激发下产氢效率提高到373μmol·h~(–1)·g~(–1),其产氢效率分别是二维平面g-C_3N_4负载1wt%Pt和3wt%Pd效率的1.57倍和1.35倍,表明空心g-C_3N_4凹、凸面电势差可以显着地促进光生电子分离和利用率,从而提高光催化解离水制氢效率.本文可增强g-C_3N_4的可持续太阳能转换性能,也适用于其他半导体材料以替代贵金属光催化体系,降低光催化产氢技术成本,促进光催化技术的应用.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氮化机制论文参考文献
[1].吴玉厚,王浩,李颂华,孙健,王贺.氮化硅陶瓷磨削热特性与表面成形机制[J].表面技术.2019
[2].罗金华,林哲荇,赵艳,姜淑娟,宋少青.基于S-型光催化机制CuInS_2内嵌中空凹面氮化碳光催化分解H_2O制H_2（英文）[J].ChineseJournalofCatalysis.2020
[3].葛天昊,赵文杰,乌学东.石墨烯及六方氮化硼薄层在修补前后的电化学表现及其防腐机制[C].第十届全国腐蚀大会摘要集.2019
[4].黄加兴,李达光,刘国光.磷氧掺杂石墨相氮化碳光催化降解氟喹诺酮类抗生素机制研究[C].2019第叁届全国光催化材料创新与应用学术研讨会摘要集.2019
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[6].黄志刚,曹会彦,李杰,王佳平,黄一飞.干熄焦炉用氮化硅结合碳化硅过梁砖的破损机制[J].耐火材料.2019
[7].李天峰.氮化硼纳米管增韧氮化硅及其机制的研究[D].海南大学.2018
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[10].王玉莹.提高氮化碳光催化生成燃料的活性策略探索及机制研究[D].黑龙江大学.2018
论文知识图
